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थाइरिस्टर - एससीआर

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  • थाइरिस्टर - एससीआर
VS-ST1200C18K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C18K0

भाग स्टॉक: 312

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.8kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.73V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 1650A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 3080A,

इच्छा-सूची
VS-ST700C18L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C18L1

भाग स्टॉक: 580

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.8kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.8V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 910A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1857A,

इच्छा-सूची
VS-ST300C08C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C08C1

भाग स्टॉक: 967

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.18V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 650A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1290A,

इच्छा-सूची
VS-ST333C04CFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04CFL1

भाग स्टॉक: 832

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 400V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.96V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 720A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1435A,

इच्छा-सूची
VS-ST1280C04K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1280C04K1

भाग स्टॉक: 326

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 400V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.44V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 2310A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 4150A,

इच्छा-सूची
VS-ST300S12P0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300S12P0

भाग स्टॉक: 465

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.66V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 300A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 470A,

इच्छा-सूची
VS-ST1230C14K0LP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C14K0LP

भाग स्टॉक: 394

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.4kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.62V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 1745A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 3200A,

इच्छा-सूची
VS-2N5206
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N5206

भाग स्टॉक: 3882

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 40mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.3V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 22A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 35A,

इच्छा-सूची
VS-ST300C12L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C12L1

भाग स्टॉक: 595

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.18V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 650A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1290A,

इच्छा-सूची
VS-ST303C12LFK1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12LFK1

भाग स्टॉक: 359

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.16V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 620A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1180A,

इच्छा-सूची
VS-ST1200C12K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C12K0P

भाग स्टॉक: 341

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.73V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 1650A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 3080A,

इच्छा-सूची
VS-ST183C08CFL0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST183C08CFL0

भाग स्टॉक: 120

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.8V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 370A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 690A,

इच्छा-सूची
VS-ST1230C16K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C16K0L

भाग स्टॉक: 326

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.6kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.62V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 1745A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 3200A,

इच्छा-सूची
VS-ST173C12CFP0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173C12CFP0

भाग स्टॉक: 955

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.07V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 330A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 610A,

इच्छा-सूची
VS-ST303C08LFN1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C08LFN1

भाग स्टॉक: 496

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.16V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 620A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1180A,

इच्छा-सूची
VS-ST1230C16K1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C16K1P

भाग स्टॉक: 353

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.6kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.62V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 1745A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 3200A,

इच्छा-सूची
VS-ST780C06L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST780C06L0L

भाग स्टॉक: 589

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 600V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.31V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 1350A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 2700A,

इच्छा-सूची
VS-ST110S08P0VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S08P0VPBF

भाग स्टॉक: 1310

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.52V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 110A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 175A,

इच्छा-सूची
VS-ST333S08MFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333S08MFL1

भाग स्टॉक: 419

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.96V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 330A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 518A,

इच्छा-सूची
VS-10TTS08S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TTS08S-M3

भाग स्टॉक: 90239

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 1V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 15mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.15V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 6.5A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 10A,

इच्छा-सूची
VS-ST330C14L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C14L0

भाग स्टॉक: 563

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.4kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.9V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 650A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1230A,

इच्छा-सूची
VS-ST330C14C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C14C1

भाग स्टॉक: 780

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.4kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.96V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 720A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1420A,

इच्छा-सूची
VS-ST333C08LFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C08LFL1

भाग स्टॉक: 518

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.96V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 720A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1435A,

इच्छा-सूची
VS-ST330S14P0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S14P0PBF

भाग स्टॉक: 466

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.4kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.52V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 330A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 520A,

इच्छा-सूची
VS-ST300S12P0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300S12P0PBF

भाग स्टॉक: 672

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.66V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 300A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 470A,

इच्छा-सूची
VS-ST303S04PFN0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S04PFN0P

भाग स्टॉक: 533

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 400V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.16V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 300A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 471A,

इच्छा-सूची
VS-ST733C08LFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST733C08LFL1

भाग स्टॉक: 519

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.63V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 940A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1900A,

इच्छा-सूची
VS-ST083S10PFK1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S10PFK1P

भाग स्टॉक: 1043

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.15V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 85A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 135A,

इच्छा-सूची
VS-50RIA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA60

भाग स्टॉक: 4874

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 600V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2.5V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.6V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 50A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 80A,

इच्छा-सूची
VS-ST1230C12K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C12K0P

भाग स्टॉक: 409

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.62V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 1745A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 3200A,

इच्छा-सूची
VS-ST230C04C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C04C1

भाग स्टॉक: 1593

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 400V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.69V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 410A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 780A,

इच्छा-सूची
VS-ST1230C14K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C14K1

भाग स्टॉक: 299

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.4kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.62V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 1745A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 3200A,

इच्छा-सूची
VS-81RIA80PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-81RIA80PBF

भाग स्टॉक: 2280

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2.5V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 120mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.6V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 80A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 125A,

इच्छा-सूची
VS-ST230C12C1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C12C1L

भाग स्टॉक: 1173

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.69V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 410A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 780A,

इच्छा-सूची
VS-ST300C18C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C18C1

भाग स्टॉक: 595

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.8kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.18V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 650A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1290A,

इच्छा-सूची
VS-40TTS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TTS12-M3

भाग स्टॉक: 27457

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 1.3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 35mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.6V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 25A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 40A,

इच्छा-सूची