थाइरिस्टर - एससीआर | असतत अर्धचालक उत्पाद | 21

VS-25TTS08STRL-M3

भाग स्टॉक: 60563

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 45mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.25V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C08CFL0

भाग स्टॉक: 783

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.96V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 720A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1435A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS12-M3

भाग स्टॉक: 30781

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 45mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.25V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C12L1

भाग स्टॉक: 575

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.62V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 990A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 2000A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C04C0

भाग स्टॉक: 1588

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 400V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.96V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 350A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 660A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30TPS16-M3

भाग स्टॉक: 16019

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.6kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 45mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.3V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 20A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 30A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C18L0

भाग स्टॉक: 564

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.8kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.8V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 910A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1857A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C14L0L

भाग स्टॉक: 610

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.4kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.62V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 990A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 2000A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST103S08PFN1P

भाग स्टॉक: 1051

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.73V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 105A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 165A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA100

भाग स्टॉक: 5219

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.75V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 35A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C16K1

भाग स्टॉक: 285

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.6kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.73V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 1650A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 3080A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C16K1

भाग स्टॉक: 339

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.6kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.8V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 1473A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 2913A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C16L0

भाग स्टॉक: 622

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.6kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.62V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 990A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 2000A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80RIA40

भाग स्टॉक: 2180

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 400V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2.5V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 120mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.6V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 80A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 125A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C14C0L

भाग स्टॉक: 754

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.4kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.18V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 650A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1290A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS08FP-M3

भाग स्टॉक: 27770

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.4V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 10A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 16A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C08L1

भाग स्टॉक: 638

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.96V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 720A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1420A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS12STRL-M3

भाग स्टॉक: 59516

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.4V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 10A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 16A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C16C0L

भाग स्टॉक: 754

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.6kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.96V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 720A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1420A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111RKI120

भाग स्टॉक: 1575

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 120mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.57V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 110A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 172A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S12P1VPBF

भाग स्टॉक: 768

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.55V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 230A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 360A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C08LFL0

भाग स्टॉक: 481

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.96V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 720A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1435A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173C12CFK0L

भाग स्टॉक: 1030

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.07V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 330A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 610A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S08PFL1P

भाग स्टॉक: 398

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.16V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 300A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 471A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30TPS16LHM3

भाग स्टॉक: 2702

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.6kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 45mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.3V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 20A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 30A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C16L1L

भाग स्टॉक: 586

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.6kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.62V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 990A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 2000A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C12C0L

भाग स्टॉक: 1205

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.96V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 350A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 660A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C18L1

भाग स्टॉक: 560

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.8kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.18V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 650A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1290A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA100M

भाग स्टॉक: 4609

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 25A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 40A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS16S-M3

भाग स्टॉक: 63639

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.6kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 45mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.25V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16M1PBF

भाग स्टॉक: 419

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.6kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.52V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 330A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 520A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C08C0

भाग स्टॉक: 927

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.96V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 720A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1420A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFN2P

भाग स्टॉक: 948

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.15V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 85A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 135A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST650C22L1

भाग स्टॉक: 523

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 2.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.07V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 790A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1557A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C08CFK1

भाग स्टॉक: 829

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.16V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 620A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1180A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST650C24L0

भाग स्टॉक: 500

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 2.4kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.07V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 790A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1557A,

इच्छा-सूची