थाइरिस्टर - एससीआर | असतत अर्धचालक उत्पाद | 21

12TTS08STRR

भाग स्टॉक: 4797

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 1V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 15mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.2V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 8A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 12.5A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08STRL

भाग स्टॉक: 7584

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 1V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 15mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.15V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 6.5A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 10A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08STRR

भाग स्टॉक: 7614

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 1V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 15mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.15V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 6.5A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 10A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TTS08

भाग स्टॉक: 7644

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 1V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 15mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.2V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 8A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 12.5A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TTS08S

भाग स्टॉक: 4813

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 1V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 15mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.2V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 8A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 12.5A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08S

भाग स्टॉक: 7583

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 1V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 15mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.15V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 6.5A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 10A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08

भाग स्टॉक: 7620

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 1V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 15mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.15V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 6.5A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 10A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12STRR

भाग स्टॉक: 7665

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.4V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 10A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 16A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12STRL

भाग स्टॉक: 7597

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.4V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 10A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 16A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08STRR

भाग स्टॉक: 7581

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.4V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 10A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 16A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

112RKI80

भाग स्टॉक: 7616

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 120mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.57V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 110A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 172A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08STRL

भाग स्टॉक: 7605

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.4V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 10A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 16A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

112RKI40

भाग स्टॉक: 7639

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 400V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 120mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.57V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 110A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 172A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12FP

भाग स्टॉक: 7603

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.4V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 10A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 16A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08FP

भाग स्टॉक: 7640

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.4V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 10A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 16A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12S

भाग स्टॉक: 7612

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.4V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 10A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 16A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12

भाग स्टॉक: 7561

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.4V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 10A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 16A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08S

भाग स्टॉक: 7567

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.4V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 10A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 16A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08

भाग स्टॉक: 7649

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.4V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 10A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 16A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TTS08STRL

भाग स्टॉक: 7552

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 1V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 15mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.2V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 8A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 12.5A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

2N5204

भाग स्टॉक: 6353

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 600V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 40mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.3V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 22A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 35A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12STRR

भाग स्टॉक: 7636

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 45mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.25V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12STRL

भाग स्टॉक: 7571

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 45mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.25V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08STRR

भाग स्टॉक: 7576

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 45mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.25V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12FP

भाग स्टॉक: 7581

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 45mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.25V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12S

भाग स्टॉक: 7613

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 45mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.25V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08STRL

भाग स्टॉक: 7660

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 45mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.25V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12

भाग स्टॉक: 7607

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 45mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.25V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08FP

भाग स्टॉक: 7638

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 45mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.25V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08S

भाग स्टॉक: 7653

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 45mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.25V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08

भाग स्टॉक: 7614

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 45mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.25V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

30TPS12

भाग स्टॉक: 7665

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 45mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.3V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 20A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 30A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

30TPS08

भाग स्टॉक: 4828

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 45mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.3V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 20A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 30A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

40TPS08A

भाग स्टॉक: 4854

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2.5V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.85V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 35A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 55A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

40TPS12A

भाग स्टॉक: 4839

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2.5V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.85V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 35A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 55A,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

40TPS08

भाग स्टॉक: 7657

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2.5V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.85V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 35A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 55A,

इच्छा-सूची