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थाइरिस्टर - एससीआर

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  • थाइरिस्टर - एससीआर
VS-ST180C20C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C20C1

भाग स्टॉक: 670

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.96V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 350A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 660A,

इच्छा-सूची
VS-ST230C14C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C14C0

भाग स्टॉक: 1095

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.4kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.69V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 410A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 780A,

इच्छा-सूची
VS-ST330C14C1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C14C1L

भाग स्टॉक: 761

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.4kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.96V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 720A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1420A,

इच्छा-सूची
VS-ST700C20L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C20L0L

भाग स्टॉक: 591

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.8V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 910A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1857A,

इच्छा-सूची
VS-50RIA40M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA40M

भाग स्टॉक: 2684

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 400V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2.5V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.6V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 50A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 80A,

इच्छा-सूची
VS-25TTS16SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS16SLHM3

भाग स्टॉक: 114

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.6kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 45mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.25V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा-सूची
VS-ST700C20L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C20L0

भाग स्टॉक: 527

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.8V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 910A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1857A,

इच्छा-सूची
VS-111RKI120PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111RKI120PBF

भाग स्टॉक: 1652

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 120mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.57V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 110A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 172A,

इच्छा-सूची
VS-ST330C08L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C08L0

भाग स्टॉक: 809

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.9V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 650A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1230A,

इच्छा-सूची
VS-ST173S12PFP0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173S12PFP0

भाग स्टॉक: 863

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.07V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 175A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 275A,

इच्छा-सूची
VS-ST300C16C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C16C1

भाग स्टॉक: 781

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.6kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.18V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 650A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1290A,

इच्छा-सूची
VS-ST083S08PFM1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFM1P

भाग स्टॉक: 924

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.15V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 85A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 135A,

इच्छा-सूची
VS-10TTS08STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TTS08STRL-M3

भाग स्टॉक: 70526

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 1V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 15mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.15V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 6.5A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 10A,

इच्छा-सूची
VS-ST230S12M0VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S12M0VPBF

भाग स्टॉक: 707

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.55V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 230A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 360A,

इच्छा-सूची
VS-ST110S12P2VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S12P2VPBF

भाग स्टॉक: 1173

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.52V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 110A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 175A,

इच्छा-सूची
VS-ST700C16L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C16L1

भाग स्टॉक: 643

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.6kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.8V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 910A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1857A,

इच्छा-सूची
VS-ST180C16C1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C16C1L

भाग स्टॉक: 1039

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.6kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.96V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 350A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 660A,

इच्छा-सूची
VS-110RKI40PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110RKI40PBF

भाग स्टॉक: 2060

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 400V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 120mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.57V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 110A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 172A,

इच्छा-सूची
VS-ST330C12C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C12C1

भाग स्टॉक: 783

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.96V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 720A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1420A,

इच्छा-सूची
VS-ST1000C14K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C14K1

भाग स्टॉक: 355

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.4kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.8V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 1473A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 2913A,

इच्छा-सूची
VS-ST180S12P1VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S12P1VPBF

भाग स्टॉक: 950

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.75V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 200A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 314A,

इच्छा-सूची
VS-ST1230C08K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C08K1

भाग स्टॉक: 293

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.62V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 1745A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 3200A,

इच्छा-सूची
VS-ST280C04C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST280C04C0

भाग स्टॉक: 1319

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 400V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.36V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 500A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 960A,

इच्छा-सूची
VS-ST173S12PFK0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173S12PFK0

भाग स्टॉक: 580

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.07V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 175A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 275A,

इच्छा-सूची
VS-ST303C12CCL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12CCL1

भाग स्टॉक: 633

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.16V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 620A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1180A,

इच्छा-सूची
VS-181RKI40PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-181RKI40PBF

भाग स्टॉक: 1525

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 400V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2.5V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.35V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 180A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 285A,

इच्छा-सूची
VS-ST1230C14K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C14K0L

भाग स्टॉक: 279

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.4kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.62V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 1745A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 3200A,

इच्छा-सूची
VS-ST303C04LFL0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C04LFL0

भाग स्टॉक: 560

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 400V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.16V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 515A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 995A,

इच्छा-सूची
VS-50RIA80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA80

भाग स्टॉक: 3651

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2.5V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.6V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 50A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 80A,

इच्छा-सूची
VS-ST230S12P1V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S12P1V

भाग स्टॉक: 651

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.55V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 230A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 360A,

इच्छा-सूची
VS-ST330S16P0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16P0

भाग स्टॉक: 412

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.6kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.52V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 330A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 520A,

इच्छा-सूची
VS-80RIA120PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80RIA120PBF

भाग स्टॉक: 2059

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2.5V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 120mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.6V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 80A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 125A,

इच्छा-सूची
VS-181RKI80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-181RKI80

भाग स्टॉक: 1180

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2.5V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.35V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 180A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 285A,

इच्छा-सूची
VS-40TPS12A-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS12A-M3

भाग स्टॉक: 8210

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2.5V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.85V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 35A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 55A,

इच्छा-सूची
VS-ST180C14C0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C14C0L

भाग स्टॉक: 1010

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.4kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.96V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 350A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 660A,

इच्छा-सूची
VS-16TTS16S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS16S-M3

भाग स्टॉक: 65156

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.6kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.4V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 10A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 16A,

इच्छा-सूची