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थाइरिस्टर - एससीआर

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  • थाइरिस्टर - एससीआर
VS-ST180C20C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C20C0

भाग स्टॉक: 720

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.96V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 350A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 660A,

इच्छा-सूची
VS-40TPS16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS16PBF

भाग स्टॉक: 12393

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.6kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2.5V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.85V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 35A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 55A,

इच्छा-सूची
VS-ST083S08PFM1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFM1

भाग स्टॉक: 858

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.15V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 85A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 135A,

इच्छा-सूची
VS-ST230C14C1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C14C1L

भाग स्टॉक: 1143

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.4kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.69V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 410A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 780A,

इच्छा-सूची
VS-ST303C12CFJ1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12CFJ1

भाग स्टॉक: 720

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.16V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 620A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1180A,

इच्छा-सूची
VS-ST1230C08K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C08K0

भाग स्टॉक: 266

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.62V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 1745A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 3200A,

इच्छा-सूची
VS-25TTS12STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS12STRL-M3

भाग स्टॉक: 60767

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 45mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.25V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा-सूची
VS-ST330C16C3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C16C3

भाग स्टॉक: 740

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.6kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.96V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 720A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1420A,

इच्छा-सूची
VS-50RIA60M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA60M

भाग स्टॉक: 2615

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 600V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2.5V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.6V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 50A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 80A,

इच्छा-सूची
VS-ST1200C12K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C12K0

भाग स्टॉक: 213

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.73V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 1650A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 3080A,

इच्छा-सूची
VS-ST1230C14K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C14K0P

भाग स्टॉक: 335

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.4kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.62V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 1745A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 3200A,

इच्छा-सूची
VS-ST180S04P0V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S04P0V

भाग स्टॉक: 823

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 400V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.75V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 200A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 314A,

इच्छा-सूची
VS-ST303C12LFJ1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12LFJ1

भाग स्टॉक: 429

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.16V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 620A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1180A,

इच्छा-सूची
VS-ST300S18M0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300S18M0PBF

भाग स्टॉक: 383

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.8kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.66V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 300A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 470A,

इच्छा-सूची
VS-ST303C04CFN1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C04CFN1

भाग स्टॉक: 836

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 400V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.16V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 620A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1180A,

इच्छा-सूची
VS-ST330S08P0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S08P0PBF

भाग स्टॉक: 552

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.52V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 330A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 520A,

इच्छा-सूची
VS-ST330S16P0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16P0PBF

भाग स्टॉक: 491

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.6kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.52V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 330A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 520A,

इच्छा-सूची
VS-ST303S04PFL0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S04PFL0

भाग स्टॉक: 445

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 400V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.16V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 300A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 471A,

इच्छा-सूची
VS-ST230S08P1V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S08P1V

भाग स्टॉक: 736

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.55V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 230A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 360A,

इच्छा-सूची
VS-ST333C04LFL0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04LFL0

भाग स्टॉक: 509

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 400V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.96V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 720A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1435A,

इच्छा-सूची
VS-ST303S08PFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S08PFL1

भाग स्टॉक: 419

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.16V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 300A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 471A,

इच्छा-सूची
VS-ST303C12CFK1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12CFK1

भाग स्टॉक: 662

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.16V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 620A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1180A,

इच्छा-सूची
VS-ST180C18C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C18C1

भाग स्टॉक: 736

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.8kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.96V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 350A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 660A,

इच्छा-सूची
VS-180RKI80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-180RKI80

भाग स्टॉक: 1179

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2.5V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.35V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 180A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 285A,

इच्छा-सूची
VS-ST330S14P0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S14P0

भाग स्टॉक: 433

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.4kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.52V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 330A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 520A,

इच्छा-सूची
VS-180RKI40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-180RKI40

भाग स्टॉक: 1258

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 400V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2.5V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.35V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 180A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 285A,

इच्छा-सूची
VS-ST173C10CFK0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173C10CFK0

भाग स्टॉक: 1085

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.07V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 330A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 610A,

इच्छा-सूची
VS-ST1000C22K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C22K0L

भाग स्टॉक: 393

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 2.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.8V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 1473A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 2913A,

इच्छा-सूची
VS-ST173C10CFP0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173C10CFP0

भाग स्टॉक: 1001

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.07V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 330A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 610A,

इच्छा-सूची
VS-ST333S08PFL0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333S08PFL0

भाग स्टॉक: 471

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.96V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 330A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 518A,

इच्छा-सूची
VS-25TTS16STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS16STRL-M3

भाग स्टॉक: 52738

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.6kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 45mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.25V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा-सूची
VS-ST330C16L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C16L0L

भाग स्टॉक: 572

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.6kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.96V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 720A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1420A,

इच्छा-सूची
VS-ST180S08M1V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S08M1V

भाग स्टॉक: 737

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.75V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 200A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 314A,

इच्छा-सूची
VS-ST380CH06C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST380CH06C1

भाग स्टॉक: 737

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 600V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.58V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 960A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 2220A,

इच्छा-सूची
VS-ST333C08LFM0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C08LFM0

भाग स्टॉक: 441

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.96V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 720A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1435A,

इच्छा-सूची
VS-181RKI100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-181RKI100

भाग स्टॉक: 1038

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2.5V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.35V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 180A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 285A,

इच्छा-सूची