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थाइरिस्टर - एससीआर

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  • थाइरिस्टर - एससीआर
VS-ST333C04LFM0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04LFM0

भाग स्टॉक: 588

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 400V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.96V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 720A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1435A,

इच्छा-सूची
VS-ST303C12LFK0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12LFK0

भाग स्टॉक: 443

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.16V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 515A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 995A,

इच्छा-सूची
VS-ST300C18C1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C18C1L

भाग स्टॉक: 609

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.8kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.18V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 650A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1290A,

इच्छा-सूची
VS-ST230C12C2
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C12C2

भाग स्टॉक: 1201

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.69V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 410A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 780A,

इच्छा-सूची
VS-16TTS12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS12S-M3

भाग स्टॉक: 71052

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 60mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.4V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 10A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 16A,

इच्छा-सूची
VS-ST083S12PFK0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S12PFK0P

भाग स्टॉक: 1009

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.15V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 85A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 135A,

इच्छा-सूची
VS-ST1230C14K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C14K0

भाग स्टॉक: 288

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.4kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.62V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 1745A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 3200A,

इच्छा-सूची
VS-30TPS12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30TPS12LHM3

भाग स्टॉक: 3020

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 45mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.3V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 20A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 30A,

इच्छा-सूची
VS-ST223C08CFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST223C08CFL1

भाग स्टॉक: 1429

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.58V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 390A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 745A,

इच्छा-सूची
VS-ST180S06P1VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S06P1VPBF

भाग स्टॉक: 1120

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 600V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.75V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 200A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 314A,

इच्छा-सूची
VS-ST280S04P1V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST280S04P1V

भाग स्टॉक: 716

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 400V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.28V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 280A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 440A,

इच्छा-सूची
VS-180RKI100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-180RKI100

भाग स्टॉक: 955

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2.5V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.35V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 180A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 285A,

इच्छा-सूची
VS-ST083S12PFK1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S12PFK1P

भाग स्टॉक: 991

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.15V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 85A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 135A,

इच्छा-सूची
VS-ST1200C20K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C20K0P

भाग स्टॉक: 279

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.73V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 1650A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 3080A,

इच्छा-सूची
VS-2N688
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N688

भाग स्टॉक: 8199

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 400V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 40mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा-सूची
VS-ST1200C16K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C16K0

भाग स्टॉक: 293

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.6kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.73V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 1650A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 3080A,

इच्छा-सूची
VS-25TTS12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS12SLHM3

भाग स्टॉक: 142

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 45mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.25V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा-सूची
VS-ST333S04PFL0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333S04PFL0

भाग स्टॉक: 420

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 400V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.96V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 330A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 518A,

इच्छा-सूची
VS-ST730C12L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C12L0L

भाग स्टॉक: 613

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.62V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 990A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 2000A,

इच्छा-सूची
VS-ST203C12CFJ1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST203C12CFJ1

भाग स्टॉक: 954

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.72V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 370A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 700A,

इच्छा-सूची
VS-ST333C04CFM1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04CFM1

भाग स्टॉक: 875

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 400V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.96V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 720A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1435A,

इच्छा-सूची
VS-10TTS08SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TTS08SPBF

भाग स्टॉक: 47257

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 1V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 15mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.15V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 6.5A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 10A,

इच्छा-सूची
VS-ST380C06C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST380C06C0

भाग स्टॉक: 831

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 600V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.6V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 960A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1900A,

इच्छा-सूची
VS-ST300C12C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C12C0

भाग स्टॉक: 843

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.18V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 650A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1290A,

इच्छा-सूची
VS-25TTS08S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS08S-M3

भाग स्टॉक: 72650

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 45mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.25V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा-सूची
VS-ST1200C14K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C14K0P

भाग स्टॉक: 344

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.4kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.73V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 1650A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 3080A,

इच्छा-सूची
VS-10TTS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TTS08-M3

भाग स्टॉक: 42450

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 1V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 15mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.15V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 6.5A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 10A,

इच्छा-सूची
VS-ST700C12L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C12L1

भाग स्टॉक: 635

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.8V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 910A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1857A,

इच्छा-सूची
VS-ST730C18L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C18L1

भाग स्टॉक: 556

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.8kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.62V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 990A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 2000A,

इच्छा-सूची
VS-ST303C08CFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C08CFL1

भाग स्टॉक: 826

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.16V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 620A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1180A,

इच्छा-सूची
VS-50TPS12L-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50TPS12L-M3

भाग स्टॉक: 18144

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.2kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 1.5V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.32V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 50A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 79A,

इच्छा-सूची
VS-ST303C08LFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C08LFL1

भाग स्टॉक: 470

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.16V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 620A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1180A,

इच्छा-सूची
VS-25TTS16STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS16STRR-M3

भाग स्टॉक: 52782

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 1.6kV, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 2V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 45mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.25V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा-सूची
VS-ST303C04CFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C04CFL1

भाग स्टॉक: 918

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 400V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.16V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 620A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1180A,

इच्छा-सूची
VS-ST230S08P0VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S08P0VPBF

भाग स्टॉक: 1017

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.55V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 230A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 360A,

इच्छा-सूची
VS-ST110S08P0V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S08P0V

भाग स्टॉक: 1033

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 3V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.52V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 110A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 175A,

इच्छा-सूची