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ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - एकल

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  • ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - एकल
2SA1837,S1CSF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,S1CSF(J

भाग स्टॉक: 7010

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 230V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

इच्छा-सूची
2SA1837,HFEYHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,HFEYHF(M

भाग स्टॉक: 6997

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 230V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

इच्छा-सूची
2SA1837,HFEYHF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,HFEYHF(J

भाग स्टॉक: 6944

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 230V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

इच्छा-सूची
2SA1837,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,F(J

भाग स्टॉक: 6994

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 230V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

इच्छा-सूची
2SA1837(PAIO,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837(PAIO,F,M)

भाग स्टॉक: 6991

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 230V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

इच्छा-सूची
2SA1837(LBSAN,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837(LBSAN,F,M)

भाग स्टॉक: 6710

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 230V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

इच्छा-सूची
2SA1761,T6F(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1761,T6F(M

भाग स्टॉक: 6956

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 75mA, 1.5A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SA1761,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1761,T6F(J

भाग स्टॉक: 6934

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 75mA, 1.5A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SA1761,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1761,F(J

भाग स्टॉक: 6947

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 75mA, 1.5A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SA1680,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680,T6F(J

भाग स्टॉक: 7016

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SA1680,T6SCMDF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680,T6SCMDF(J

भाग स्टॉक: 6980

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SA1680,T6ASTIF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680,T6ASTIF(J

भाग स्टॉक: 7010

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SA1680,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680,F(J

भाग स्टॉक: 6927

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SA1680(F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680(F,M)

भाग स्टॉक: 6950

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SA1680(T6DNSO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680(T6DNSO,F,M

भाग स्टॉक: 6992

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SA1429-Y(T2TR,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1429-Y(T2TR,F,M

भाग स्टॉक: 6995

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SA1429-Y(T2OMI,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1429-Y(T2OMI,FM

भाग स्टॉक: 6951

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SA1428-Y,T2F(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-Y,T2F(M

भाग स्टॉक: 6771

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SA1428-Y,T2F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-Y,T2F(J

भाग स्टॉक: 6920

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SA1428-O,T2WNLF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-O,T2WNLF(J

भाग स्टॉक: 6933

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SA1428-Y(T2TR,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-Y(T2TR,A,F

भाग स्टॉक: 7010

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SA1428-O,T2CLAF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-O,T2CLAF(M

भाग स्टॉक: 6706

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SA1428-O,T2CLAF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-O,T2CLAF(J

भाग स्टॉक: 7011

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SA1425-Y,T2F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1425-Y,T2F(J

भाग स्टॉक: 6927

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

इच्छा-सूची
2SA1382,T6MIBF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1382,T6MIBF(J

भाग स्टॉक: 6952

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 33mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SA1315-Y,T6ASNF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1315-Y,T6ASNF(J

भाग स्टॉक: 6974

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SA1315-Y,HOF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1315-Y,HOF(M

भाग स्टॉक: 6974

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SA1020-Y,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6F(J

भाग स्टॉक: 6924

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SA1020-Y,T6KEHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6KEHF(M

भाग स्टॉक: 6919

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SA1020-Y,HOF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,HOF(M

भाग स्टॉक: 6991

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SA1020-Y,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,F(J

भाग स्टॉक: 7009

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SA1020-Y(T6TR1,AF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6TR1,AF

भाग स्टॉक: 6921

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SA1020-Y(T6TOJ,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6TOJ,FM

भाग स्टॉक: 6978

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SA1020-Y(T6ND3,AF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6ND3,AF

भाग स्टॉक: 6994

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SA1020-Y(T6OMI,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6OMI,FM

भाग स्टॉक: 6918

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SA1020-Y(T6FJT,AF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6FJT,AF

भाग स्टॉक: 6960

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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