डायोड - रेक्टीफायर - सिंगल

घर
डायोड - रेक्टीफायर - सिंगल

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS387CT,L3F

भाग स्टॉक: 117530

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 1.6ns,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS190TE85LF

भाग स्टॉक: 116

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4ns,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS187,LF

भाग स्टॉक: 131

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4ns,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS416CT,L3F

भाग स्टॉक: 111

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 500mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

1SS307(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 161

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS193,LF

भाग स्टॉक: 176168

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4ns,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS413CT,L3F

भाग स्टॉक: 156192

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 50mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 550mV @ 50mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS424(TPL3,F)

भाग स्टॉक: 201

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 200mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 500mV @ 200mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

1SS401(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS401(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 122602

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 300mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 450mV @ 300mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS193S,LF(D

भाग स्टॉक: 2303

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4ns,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS389,H3F

भाग स्टॉक: 1533

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 50mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS394TE85LF

भाग स्टॉक: 154898

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 10V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 500mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS397TE85LF

भाग स्टॉक: 152629

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 500ns,

इच्छा-सूची

1SS196(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS196(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 136052

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4ns,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS403,H3F

भाग स्टॉक: 175794

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 60ns,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS370TE85LF

भाग स्टॉक: 1558

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 60ns,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307E,L3F

भाग स्टॉक: 146552

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS413,L3M

भाग स्टॉक: 180671

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 50mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 550mV @ 50mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS416,L3M

भाग स्टॉक: 113319

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 500mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS417,L3M

भाग स्टॉक: 108515

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 620mV @ 50mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS417CT,L3F

भाग स्टॉक: 21577

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 620mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS405,H3F

भाग स्टॉक: 106441

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 50mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 550mV @ 50mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS389,L3F

भाग स्टॉक: 119305

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 10V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 500mV @ 100mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS367,H3F

भाग स्टॉक: 129010

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 10V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 500mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS427,L3M

भाग स्टॉक: 138564

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 1.6ns,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS404,H3F

भाग स्टॉक: 174948

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 300mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 450mV @ 300mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS387,L3F

भाग स्टॉक: 106991

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4ns,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS352,H3F

भाग स्टॉक: 126326

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4ns,

इच्छा-सूची

1SS250(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS250(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 172900

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 60ns,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS294,LF

भाग स्टॉक: 154455

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

BAS516,H3F

भाग स्टॉक: 8357

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 150mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 3ns,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

BAS316,H3F

भाग स्टॉक: 8339

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 150mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 3ns,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

BAS516,L3F

भाग स्टॉक: 8339

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 150mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 3ns,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS10E65C,S1Q

भाग स्टॉक: 6216

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 10A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10S30,L3F

भाग स्टॉक: 176414

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 450mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10S40,L3F

भाग स्टॉक: 162705

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 550mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

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