ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - एकल | असतत अर्धचालक उत्पाद | 11

2SB1457(T6DW,F,M)

भाग स्टॉक: 5232

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,HFEMBJF(J

भाग स्टॉक: 6608

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 230V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6TR,A,F

भाग स्टॉक: 5272

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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2SA2154CT-Y(TPL3)

भाग स्टॉक: 5238

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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2SC5439(F)

भाग स्टॉक: 5233

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 8A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 450V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 640mA, 3.2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V,

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2SC6026CT-Y(TPL3)

भाग स्टॉक: 5083

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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2SC4116-GR,LF

भाग स्टॉक: 184025

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

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2SC2713-GR,LF

भाग स्टॉक: 129870

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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2SA1313-Y,LF

भाग स्टॉक: 105477

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

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2SA1163-BL,LF

भाग स्टॉक: 145497

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

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2SA1587-GR,LF

भाग स्टॉक: 132736

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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2SA1163-GR,LF

भाग स्टॉक: 156237

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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2SC2712-Y,LF

भाग स्टॉक: 105262

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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2SC3326-B,LF

भाग स्टॉक: 114013

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 300mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 100mV @ 3mA, 30mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

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2SC4117-BL,LF

भाग स्टॉक: 141692

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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2SC2712-GR,LF

भाग स्टॉक: 150771

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

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2SC3326-A,LF

भाग स्टॉक: 149461

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 300mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 100mV @ 3mA, 30mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

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2SA1721OTE85LF

भाग स्टॉक: 100270

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 300V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 2mA, 20mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

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2SC4213-A(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 118674

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 300mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 100mV @ 3mA, 30A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

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2SC3324-BL(TE85L,F

भाग स्टॉक: 171156

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

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2SA1312GRTE85LF

भाग स्टॉक: 4810

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

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TMBT3904,LM

भाग स्टॉक: 104340

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

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TTA0002(Q)

भाग स्टॉक: 27295

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 18A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 160V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 2V @ 900mA, 9A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TTC0002(Q)

भाग स्टॉक: 27908

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 18A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 160V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 2V @ 900mA, 9A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TTC012(Q)

भाग स्टॉक: 96245

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 375V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 62.5mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 300mA, 5V,

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TPC6503(TE85L,F,M)

भाग स्टॉक: 124

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1.5A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 120mV @ 10mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 400 @ 150mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TMBT3906,LM

भाग स्टॉक: 192103

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TTC008(Q)

भाग स्टॉक: 118518

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1.5A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 285V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 62.5mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TBC857B,LM

भाग स्टॉक: 174487

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 650mV @ 100mA, 5mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 30nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TTA003,L1NQ(O

भाग स्टॉक: 186338

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 100mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TTC5200(Q)

भाग स्टॉक: 25341

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 15A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 230V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 3V @ 800mA, 8A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 5µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TTA1943(Q)

भाग स्टॉक: 25369

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 15A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 230V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 3V @ 800mA, 8A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 5µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TTA004B,Q

भाग स्टॉक: 146507

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1.5A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 160V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

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TTC009,F(M

भाग स्टॉक: 7058

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 100mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TTC009,F(J

भाग स्टॉक: 7067

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 100mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

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TBC847B,LM

भाग स्टॉक: 142061

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 100mA, 5mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 30nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

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