ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - Arrays

घर
ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - Arrays

TPCL4202(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCL4202(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 2949

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 200µA,

इच्छा-सूची

TPCF8304(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8304(TE85L,F,M

भाग स्टॉक: 2938

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 3.2A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 72 mOhm @ 1.6A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 1mA,

इच्छा-सूची

SSM6L13TU(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L13TU(T5L,F,T)

भाग स्टॉक: 2912

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, 1.8V Drive, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 143 mOhm @ 600mA, 4V, 234 mOhm @ 600mA, 4V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N48FU,RF(D

भाग स्टॉक: 2967

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, 2.5V Drive, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.2 Ohm @ 10mA, 4V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 100µA,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N68NU,LF

भाग स्टॉक: 16268

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, 1.8V Drive, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4A (Ta), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 84 mOhm @ 2A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N35AFU,LF

भाग स्टॉक: 9923

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 100µA,

इच्छा-सूची

SSM6N42FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N42FE(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 2976

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 800mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 240 mOhm @ 500mA, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N815R,LF

भाग स्टॉक: 9939

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, 4V Drive, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2A (Ta), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 103 mOhm @ 2A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 100µA,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L35FE,LM

भाग स्टॉक: 172252

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3 Ohm @ 50mA, 4V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N67NU,LF

भाग स्टॉक: 9963

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, 1.8V Drive, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4A (Ta), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 39.1 mOhm @ 2A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N35AFE,LF

भाग स्टॉक: 13256

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, 1.2V Drive, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 100µA,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P35FE,LM

भाग स्टॉक: 173905

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 8 Ohm @ 50mA, 4V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

इच्छा-सूची

SSM6P15FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P15FE(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 13232

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 12 Ohm @ 10mA, 4V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.7V @ 100µA,

इच्छा-सूची

SSM6N37CTD(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N37CTD(TPL3)

भाग स्टॉक: 2957

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 250mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

इच्छा-सूची

SSM6P41FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P41FE(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 13283

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 720mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 300 mOhm @ 400mA, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

इच्छा-सूची

TPC8405(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8405(TE12L,Q,M)

भाग स्टॉक: 3098

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6A, 4.5A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 26 mOhm @ 3A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 1mA,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N357R,LF

भाग स्टॉक: 16211

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 650mA (Ta), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 1mA,

इच्छा-सूची

SSM6P35FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P35FE(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 121978

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 8 Ohm @ 50mA, 4V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

इच्छा-सूची

SSM6L35FU(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L35FU(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 156233

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, 1.2V Drive, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3 Ohm @ 50mA, 4V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L61NU,LF

भाग स्टॉक: 154751

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4A,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N48FU,RF

भाग स्टॉक: 3013

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.2 Ohm @ 10mA, 4V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 100µA,

इच्छा-सूची

SSM6N7002BFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFU,LF

भाग स्टॉक: 154781

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 200mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3.1V @ 250µA,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N61NU,LF

भाग स्टॉक: 117701

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, 1.5V Drive, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 33 mOhm @ 4A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P49NU,LF

भाग स्टॉक: 154268

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 45 mOhm @ 3.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 1mA,

इच्छा-सूची

SSM6N16FUTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N16FUTE85LF

भाग स्टॉक: 9999

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3 Ohm @ 10mA, 4V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.1V @ 100µA,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L36FE,LM

भाग स्टॉक: 107404

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 500mA, 330mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 630 mOhm @ 200mA, 5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

इच्छा-सूची

TPCP8203(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8203(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 2780

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4.7A, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

इच्छा-सूची

SSM6N7002BFE(T5L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFE(T5L,F

भाग स्टॉक: 2844

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 200mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3.1V @ 250µA,

इच्छा-सूची

TPC8211(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8211(TE12L,Q,M)

भाग स्टॉक: 2801

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 5.5A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 36 mOhm @ 3A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

इच्छा-सूची

TPC8213-H(TE12LQ,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8213-H(TE12LQ,M

भाग स्टॉक: 2813

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 5A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 50 mOhm @ 2.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.3V @ 1mA,

इच्छा-सूची

TPC8208(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8208(TE12L,Q)

भाग स्टॉक: 2694

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 5A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 50 mOhm @ 2.5A, 4V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 200µA,

इच्छा-सूची

TPCF8201(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8201(TE85L,F,M

भाग स्टॉक: 2756

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 3A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 49 mOhm @ 1.5A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 200µA,

इच्छा-सूची

TPC8212-H(TE12LQ,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8212-H(TE12LQ,M

भाग स्टॉक: 2781

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 21 mOhm @ 3A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.3V @ 1mA,

इच्छा-सूची

TPCP8401(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8401(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 3345

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, 12V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100mA, 5.5A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3 Ohm @ 10mA, 4V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.1V @ 100µA,

इच्छा-सूची

TPC8208(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8208(TE12L,Q,M)

भाग स्टॉक: 2829

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 5A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 50 mOhm @ 2.5A, 4V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 200µA,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8207(TE12L)

भाग स्टॉक: 2650

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 20 mOhm @ 4.8A, 4V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 200µA,

इच्छा-सूची

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