ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - एकल | असतत अर्धचालक उत्पाद | 11

2SA949-Y,ONK-1F(M

भाग स्टॉक: 6969

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 800mV @ 1mA, 10A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O(TE6,F,M)

भाग स्टॉक: 7016

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,ONK-1F(J

भाग स्टॉक: 6976

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 800mV @ 1mA, 10A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,F(J

भाग स्टॉक: 6938

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 800mV @ 1mA, 10A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(TE6,F,M)

भाग स्टॉक: 6937

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 800mV @ 1mA, 10A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6SHRP,FM

भाग स्टॉक: 6975

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 800mV @ 1mA, 10A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6ONK1,FM

भाग स्टॉक: 6952

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 800mV @ 1mA, 10A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6JVC1,FM

भाग स्टॉक: 7006

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 800mV @ 1mA, 10A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-O(TE6,F,M)

भाग स्टॉक: 6949

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 800mV @ 1mA, 10A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(JVC1,F,M)

भाग स्टॉक: 6969

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 800mV @ 1mA, 10A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1972,T6WNLF(J

भाग स्टॉक: 5673

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 400V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1972,F(J

भाग स्टॉक: 6973

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 400V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,SINFQ(J

भाग स्टॉक: 7026

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 5A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 200mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,Q(J

भाग स्टॉक: 6986

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 5A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 200mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NIKKIQ(J

भाग स्टॉक: 6951

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 5A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 200mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NSEIKIQ(J

भाग स्टॉक: 6948

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 5A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 200mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NETQ(M

भाग स्टॉक: 6957

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 5A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 200mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NETQ(J

भाग स्टॉक: 6946

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 5A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 200mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,BOSCHQ(J

भाग स्टॉक: 6957

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 5A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 200mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,KEHINQ(M

भाग स्टॉक: 6765

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 5A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 200mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931(NOMARK,A,Q

भाग स्टॉक: 6941

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 5A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 200mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,Q(J

भाग स्टॉक: 7022

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 180V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 100mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 5µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,ONKQ(J

भाग स्टॉक: 6775

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 180V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 100mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 5µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,CKQ(J

भाग स्टॉक: 6939

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 180V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 100mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 5µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,LBS2DIAQ(J

भाग स्टॉक: 7019

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 180V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 100mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 5µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(ONK,Q,M)

भाग स्टॉक: 6989

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 180V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 100mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 5µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(LBS2MATQ,M

भाग स्टॉक: 6940

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 180V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 100mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 5µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y,Q(J

भाग स्टॉक: 7005

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 200mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y,MTSAQ(J

भाग स्टॉक: 6727

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 200mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y(Q,M)

भाग स्टॉक: 7004

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 200mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y(JKT,Q,M)

भाग स्टॉक: 6990

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 200mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,YHF(M

भाग स्टॉक: 6947

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 230V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,YHF(J

भाग स्टॉक: 6752

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 230V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,WNLF(J

भाग स्टॉक: 6966

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 230V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,TOA1F(J

भाग स्टॉक: 6942

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 230V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,NSEIKIF(J

भाग स्टॉक: 6984

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 230V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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