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डायोड - रेक्टीफायर - सिंगल

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  • डायोड - रेक्टीफायर - सिंगल
CUS05S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05S30,H3F

भाग स्टॉक: 141424

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 500mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 340mV @ 100mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CUS10S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10S30,H3F

भाग स्टॉक: 175222

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 230mV @ 100mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
JDH2S02SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

JDH2S02SL,L3F

भाग स्टॉक: 21594

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 10V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10mA (DC), स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची
CTS520,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CTS520,L3F

भाग स्टॉक: 122854

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 200mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 200mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CCS15S40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S40,L3F

भाग स्टॉक: 159042

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 550mV @ 1.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CUS10S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10S40,H3F

भाग स्टॉक: 172576

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 400mV @ 500mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CMF05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMF05(TE12L,Q,M)

भाग स्टॉक: 158502

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 500mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.7V @ 500mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 100ns,

इच्छा-सूची
CTS05S30,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CTS05S30,L3F

भाग स्टॉक: 114342

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 500mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 340mV @ 100mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CES388,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CES388,L3F

भाग स्टॉक: 155708

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची
CMS11(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS11(TE12L,Q,M)

भाग स्टॉक: 159752

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 550mV @ 2A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CUS05S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05S40,H3F

भाग स्टॉक: 139868

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 500mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 350mV @ 100mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
TRS6E65C,S1AQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TRS6E65C,S1AQ

भाग स्टॉक: 11358

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 6A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 6A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 0ns,

इच्छा-सूची
CMS03(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS03(TE12L,Q,M)

भाग स्टॉक: 144392

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 450mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CMS06(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS06(TE12L,Q,M)

भाग स्टॉक: 184133

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 370mV @ 2A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CRS09(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS09(TE85L,Q,M)

भाग स्टॉक: 139204

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 460mV @ 1.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CRH01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85L,Q,M)

भाग स्टॉक: 121678

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 980mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 35ns,

इच्छा-सूची
CRS08(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS08(TE85L,Q,M)

भाग स्टॉक: 183971

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 360mV @ 1.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CRS01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS01(TE85L,Q,M)

भाग स्टॉक: 104302

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 360mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CMS04(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS04(TE12L,Q,M)

भाग स्टॉक: 164330

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 370mV @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CMS05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS05(TE12L,Q,M)

भाग स्टॉक: 112076

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 450mV @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CUS08F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS08F30,H3F

भाग स्टॉक: 193256

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 800mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 220mV @ 10mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CBS10F40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10F40,L3F

भाग स्टॉक: 8420

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 700mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CUS10F40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10F40,H3F

भाग स्टॉक: 4875

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 670mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CUS520,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS520,H3F

भाग स्टॉक: 181235

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 200mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 280mV @ 10mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CUS05F40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05F40,H3F

भाग स्टॉक: 4923

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 500mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 810mV @ 500mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CUS05F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05F30,H3F

भाग स्टॉक: 151245

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 500mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 450mV @ 500mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CTS05F40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CTS05F40,L3F

भाग स्टॉक: 8357

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 500mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 810mV @ 500mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची