डायोड - रेक्टीफायर - सिंगल

घर
डायोड - रेक्टीफायर - सिंगल

Toshiba Semiconductor and Storage

CBS05F30(TPL3)

भाग स्टॉक: 1645

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 500mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 450mV @ 500mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

DSR01S30SC(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

DSR01S30SC(TPL3)

भाग स्टॉक: 131336

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 620mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

CLS01(TE16L,PAS,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(TE16L,PAS,Q)

भाग स्टॉक: 1424

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 0.47V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

DSF01S30SC(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

DSF01S30SC(TPL3)

भाग स्टॉक: 1267

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 500mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

CLS01(T6LSONY,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(T6LSONY,Q)

भाग स्टॉक: 1440

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 0.47V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

CLH05(T6L,NKOD,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05(T6L,NKOD,Q)

भाग स्टॉक: 1359

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 5A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 0.98V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 35ns,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH03(TE16R,Q)

भाग स्टॉक: 1368

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A (DC), स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 35ns,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS03(TE12L)

भाग स्टॉक: 1091

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 450mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

DSF07S30U(TPH3,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

DSF07S30U(TPH3,F)

भाग स्टॉक: 1170

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 700mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 450mV @ 700mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

DSF05S30U(TPH3,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

DSF05S30U(TPH3,F)

भाग स्टॉक: 1121

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 500mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 450mV @ 500mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

U1GWJ49(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

U1GWJ49(TE12L,F)

भाग स्टॉक: 852

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 550mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

CRS04(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS04(TE85L,Q,M)

भाग स्टॉक: 101221

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 510mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

CUS02(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS02(TE85L,Q,M)

भाग स्टॉक: 779

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 470mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

CRS06(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS06(TE85L,Q,M)

भाग स्टॉक: 186793

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 360mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

CUHS10F60,H3F

भाग स्टॉक: 9971

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15S40,H3F

भाग स्टॉक: 186045

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 450mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

CRS11(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS11(TE85L,Q,M)

भाग स्टॉक: 161979

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 360mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAS16,LM

भाग स्टॉक: 122216

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 215mA, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS551V30,H3F

भाग स्टॉक: 168808

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 500mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 470mV @ 500mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

CUS01(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS01(TE85L,Q,M)

भाग स्टॉक: 784

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 390mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15S30,H3F

भाग स्टॉक: 171031

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 400mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54,LM

भाग स्टॉक: 142010

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 140mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 580mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 1.5ns,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS09(TE12L)

भाग स्टॉक: 262

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 450mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS04(TE85L)

भाग स्टॉक: 173

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 510mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS02(TE12L)

भाग स्टॉक: 183

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 400mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS04(TE12L)

भाग स्टॉक: 211

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 370mV @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS11(TE12L)

भाग स्टॉक: 213

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 550mV @ 2A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS09(TE85L)

भाग स्टॉक: 196

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 460mV @ 1.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS08(TE85L)

भाग स्टॉक: 264

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 360mV @ 1.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85L)

भाग स्टॉक: 5028

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 980mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 35ns,

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS01(TE85L)

भाग स्टॉक: 200

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 360mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS11(TE85L)

भाग स्टॉक: 264

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 360mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS01(TE12L)

भाग स्टॉक: 178

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 370mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

CMS01(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS01(TE12L,Q,M)

भाग स्टॉक: 129014

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 370mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S30,L3QUF

भाग स्टॉक: 124325

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 400mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10F30,H3F

भाग स्टॉक: 143420

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 500mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

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