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डायोड - रेक्टीफायर - सिंगल

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  • डायोड - रेक्टीफायर - सिंगल
CRG09(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRG09(TE85L,Q,M)

भाग स्टॉक: 193

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 700mA, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CUS04(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS04(TE85L,Q,M)

भाग स्टॉक: 250

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 700mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 580mV @ 700mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CMH08(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH08(TE12L,Q,M)

भाग स्टॉक: 223

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 2A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 100ns,

इच्छा-सूची
CUS10I40A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10I40A(TE85L,QM

भाग स्टॉक: 162

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 490mV @ 700mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CRG07(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRG07(TE85L,Q,M)

भाग स्टॉक: 183

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 700mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 700mA, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CMH05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH05(TE12L,Q,M)

भाग स्टॉक: 178

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 100ns,

इच्छा-सूची
CRS14(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS14(TE85L,Q,M)

भाग स्टॉक: 166

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 490mV @ 2A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CMS10(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10(TE12L,Q,M)

भाग स्टॉक: 130001

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 550mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CLH02(TE16L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH02(TE16L,Q)

भाग स्टॉक: 2615

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 35ns,

इच्छा-सूची
CLS02(TE16L,HIT,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16L,HIT,Q)

भाग स्टॉक: 2547

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 0.55V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CLS02(T6L,CANO-O,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(T6L,CANO-O,Q

भाग स्टॉक: 2587

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 0.55V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CLS03(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16R,Q)

भाग स्टॉक: 2557

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 0.58V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CLH02(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH02(TE16R,Q)

भाग स्टॉक: 2558

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 35ns,

इच्छा-सूची
CLH05,LMBJQ(O
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05,LMBJQ(O

भाग स्टॉक: 2588

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 5A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 0.98V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 35ns,

इच्छा-सूची
CLH07(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH07(TE16R,Q)

भाग स्टॉक: 2552

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 5A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 35ns,

इच्छा-सूची
CLS01(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(TE16R,Q)

भाग स्टॉक: 2596

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 0.47V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CLS03(T6L,SHINA,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(T6L,SHINA,Q)

भाग स्टॉक: 2554

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 0.58V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CLH01(TE16L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH01(TE16L,Q)

भाग स्टॉक: 2598

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 0.98V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 35ns,

इच्छा-सूची
CLH05(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05(TE16R,Q)

भाग स्टॉक: 2581

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 5A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 0.98V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 35ns,

इच्छा-सूची
CLS03(TE16L,PCD,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,PCD,Q)

भाग स्टॉक: 2562

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 0.58V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CLS02(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16R,Q)

भाग स्टॉक: 2544

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 0.55V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CLS02(T6L,CLAR,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(T6L,CLAR,Q)

भाग स्टॉक: 2597

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 0.55V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CLS02(TE16L,SQC,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16L,SQC,Q)

भाग स्टॉक: 2590

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 0.55V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CLH06(TE16L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH06(TE16L,Q)

भाग स्टॉक: 2608

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 5A (DC), स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 35ns,

इच्छा-सूची
CLH01(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH01(TE16R,Q)

भाग स्टॉक: 2533

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 0.98V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 35ns,

इच्छा-सूची
CLS01,LFJFQ(O
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01,LFJFQ(O

भाग स्टॉक: 2549

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 0.47V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CLS03,LNITTOQ(O
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03,LNITTOQ(O

भाग स्टॉक: 2564

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 0.58V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CLS03(T6L,CANO-O,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(T6L,CANO-O,Q

भाग स्टॉक: 2613

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 0.58V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CLH03(TE16L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH03(TE16L,Q)

भाग स्टॉक: 2603

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A (DC), स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 35ns,

इच्छा-सूची
CLS03(TE16L,SQC,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,SQC,Q)

भाग स्टॉक: 2602

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 0.58V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CLS03(TE16L,PSD,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,PSD,Q)

भाग स्टॉक: 5263

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 0.58V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CLH07(TE16L,NMB,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH07(TE16L,NMB,Q)

भाग स्टॉक: 2547

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 5A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 35ns,

इच्छा-सूची
CLS03(TE16L,DNSO,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,DNSO,Q

भाग स्टॉक: 2552

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 10A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 0.58V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CLH06(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH06(TE16R,Q)

भाग स्टॉक: 5332

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 5A (DC), स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 35ns,

इच्छा-सूची
CCS15S30,L3IDTF
Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S30,L3IDTF

भाग स्टॉक: 2062

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 400mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
CMH05A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH05A(TE12L,Q,M)

भाग स्टॉक: 102694

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 35ns,

इच्छा-सूची