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ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - एकल

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  • ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - एकल
BC857BTT1
ON Semiconductor

BC857BTT1

भाग स्टॉक: 6299

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC856BLT3
ON Semiconductor

BC856BLT3

भाग स्टॉक: 6376

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 65V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC856ALT3
ON Semiconductor

BC856ALT3

भाग स्टॉक: 6317

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 65V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC850BLT1
ON Semiconductor

BC850BLT1

भाग स्टॉक: 6306

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC849BLT3G
ON Semiconductor

BC849BLT3G

भाग स्टॉक: 6673

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC849BLT3
ON Semiconductor

BC849BLT3

भाग स्टॉक: 6334

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC848BWT1
ON Semiconductor

BC848BWT1

भाग स्टॉक: 6310

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC847CWT1
ON Semiconductor

BC847CWT1

भाग स्टॉक: 6331

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC847CTT1
ON Semiconductor

BC847CTT1

भाग स्टॉक: 6299

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC847BLT3
ON Semiconductor

BC847BLT3

भाग स्टॉक: 6294

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC846AWT1G
ON Semiconductor

BC846AWT1G

भाग स्टॉक: 6369

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 65V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC846AWT1
ON Semiconductor

BC846AWT1

भाग स्टॉक: 6368

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 65V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC818-40LT1
ON Semiconductor

BC818-40LT1

भाग स्टॉक: 6727

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 700mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

इच्छा-सूची
BC817-16LT3
ON Semiconductor

BC817-16LT3

भाग स्टॉक: 6340

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 700mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

इच्छा-सूची
BC817-40LT3
ON Semiconductor

BC817-40LT3

भाग स्टॉक: 6382

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 700mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

इच्छा-सूची
BC808-40LT1
ON Semiconductor

BC808-40LT1

भाग स्टॉक: 6380

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 700mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

इच्छा-सूची
BC808-40LT1G
ON Semiconductor

BC808-40LT1G

भाग स्टॉक: 6309

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 700mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

इच्छा-सूची
BC807-16LT3
ON Semiconductor

BC807-16LT3

भाग स्टॉक: 6341

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 700mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

इच्छा-सूची
BC808-25LT1
ON Semiconductor

BC808-25LT1

भाग स्टॉक: 6356

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 700mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

इच्छा-सूची
BC640ZL1G
ON Semiconductor

BC640ZL1G

भाग स्टॉक: 6296

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

इच्छा-सूची
BC640G
ON Semiconductor

BC640G

भाग स्टॉक: 6333

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

इच्छा-सूची
BC640ZL1
ON Semiconductor

BC640ZL1

भाग स्टॉक: 6324

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

इच्छा-सूची
BC640-016G
ON Semiconductor

BC640-016G

भाग स्टॉक: 6371

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

इच्छा-सूची
BC639ZL1
ON Semiconductor

BC639ZL1

भाग स्टॉक: 6345

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

इच्छा-सूची
BC639RL1
ON Semiconductor

BC639RL1

भाग स्टॉक: 6372

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

इच्छा-सूची
BC639G
ON Semiconductor

BC639G

भाग स्टॉक: 6314

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

इच्छा-सूची
BC639-16ZL1
ON Semiconductor

BC639-16ZL1

भाग स्टॉक: 6282

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

इच्छा-सूची
BC638G
ON Semiconductor

BC638G

भाग स्टॉक: 6703

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

इच्छा-सूची
BC638ZL1
ON Semiconductor

BC638ZL1

भाग स्टॉक: 6309

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

इच्छा-सूची
BC637G
ON Semiconductor

BC637G

भाग स्टॉक: 6342

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

इच्छा-सूची
BC635ZL1G
ON Semiconductor

BC635ZL1G

भाग स्टॉक: 6354

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

इच्छा-सूची
BC635RL1
ON Semiconductor

BC635RL1

भाग स्टॉक: 6334

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

इच्छा-सूची
BC618RL1G
ON Semiconductor

BC618RL1G

भाग स्टॉक: 6325

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 55V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.1V @ 200µA, 200mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 10000 @ 200mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC618RL1
ON Semiconductor

BC618RL1

भाग स्टॉक: 6302

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 55V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.1V @ 200µA, 200mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 10000 @ 200mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC618G
ON Semiconductor

BC618G

भाग स्टॉक: 6300

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 55V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.1V @ 200µA, 200mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 10000 @ 200mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC560CZL1G
ON Semiconductor

BC560CZL1G

भाग स्टॉक: 6312

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V,

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