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ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - एकल

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  • ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - एकल
BC327_J35Z
ON Semiconductor

BC327_J35Z

भाग स्टॉक: 6438

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 700mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

इच्छा-सूची
BC32725_J35Z
ON Semiconductor

BC32725_J35Z

भाग स्टॉक: 6433

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 700mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

इच्छा-सूची
BC308C_J35Z
ON Semiconductor

BC308C_J35Z

भाग स्टॉक: 6475

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC308_J35Z
ON Semiconductor

BC308_J35Z

भाग स्टॉक: 6455

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC308A_J35Z
ON Semiconductor

BC308A_J35Z

भाग स्टॉक: 6474

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC238_J35Z
ON Semiconductor

BC238_J35Z

भाग स्टॉक: 6661

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC307B_J35Z
ON Semiconductor

BC307B_J35Z

भाग स्टॉक: 6480

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC237_J35Z
ON Semiconductor

BC237_J35Z

भाग स्टॉक: 6435

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC237A_J35Z
ON Semiconductor

BC237A_J35Z

भाग स्टॉक: 6436

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC237B_J35Z
ON Semiconductor

BC237B_J35Z

भाग स्टॉक: 6485

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC214L_J35Z
ON Semiconductor

BC214L_J35Z

भाग स्टॉक: 6738

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC214_J35Z
ON Semiconductor

BC214_J35Z

भाग स्टॉक: 6496

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC214LC_J35Z
ON Semiconductor

BC214LC_J35Z

भाग स्टॉक: 6437

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC214LB_J35Z
ON Semiconductor

BC214LB_J35Z

भाग स्टॉक: 6528

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC213L_J35Z
ON Semiconductor

BC213L_J35Z

भाग स्टॉक: 6690

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC212_J35Z
ON Semiconductor

BC212_J35Z

भाग स्टॉक: 6498

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 300mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 60 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC212LB_J35Z
ON Semiconductor

BC212LB_J35Z

भाग स्टॉक: 6432

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 60 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC212L_J35Z
ON Semiconductor

BC212L_J35Z

भाग स्टॉक: 6471

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 300mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 60 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC184_J35Z
ON Semiconductor

BC184_J35Z

भाग स्टॉक: 6502

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 130 @ 100mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC212B_J35Z
ON Semiconductor

BC212B_J35Z

भाग स्टॉक: 6440

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 60 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC184LC_J35Z
ON Semiconductor

BC184LC_J35Z

भाग स्टॉक: 6494

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 130 @ 100mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC184C_J35Z
ON Semiconductor

BC184C_J35Z

भाग स्टॉक: 6522

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC183_J35Z
ON Semiconductor

BC183_J35Z

भाग स्टॉक: 6434

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 10µA, 5V,

इच्छा-सूची
BC183C_J35Z
ON Semiconductor

BC183C_J35Z

भाग स्टॉक: 6449

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC183LC_J35Z
ON Semiconductor

BC183LC_J35Z

भाग स्टॉक: 6491

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 10µA, 5V,

इच्छा-सूची
BC182L_J35Z
ON Semiconductor

BC182L_J35Z

भाग स्टॉक: 6451

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC182_J35Z
ON Semiconductor

BC182_J35Z

भाग स्टॉक: 6459

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC182LB_J35Z
ON Semiconductor

BC182LB_J35Z

भाग स्टॉक: 6671

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 10µA, 5V,

इच्छा-सूची
BC182LA_J35Z
ON Semiconductor

BC182LA_J35Z

भाग स्टॉक: 6489

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V,

इच्छा-सूची
BC182B_J35Z
ON Semiconductor

BC182B_J35Z

भाग स्टॉक: 6468

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 10µA, 5V,

इच्छा-सूची
BUL642D2G
ON Semiconductor

BUL642D2G

भाग स्टॉक: 6471

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 440V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 200mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 200µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 1V,

इच्छा-सूची
BD13616STU
ON Semiconductor

BD13616STU

भाग स्टॉक: 143625

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1.5A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

इच्छा-सूची
BF423
ON Semiconductor

BF423

भाग स्टॉक: 6471

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 250V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 2mA, 20mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V,

इच्छा-सूची
BDX34B
ON Semiconductor

BDX34B

भाग स्टॉक: 6412

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 10A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 2.5V @ 6mA, 3A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 500µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

इच्छा-सूची
BDX33B
ON Semiconductor

BDX33B

भाग स्टॉक: 6425

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 10A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 2.5V @ 6mA, 3A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 500µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

इच्छा-सूची
BD244B
ON Semiconductor

BD244B

भाग स्टॉक: 111023

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 6A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1A, 6A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 700µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

इच्छा-सूची