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ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - Arrays

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2SA1708T-YMH-AN
ON Semiconductor

2SA1708T-YMH-AN

भाग स्टॉक: 4488

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 40mA, 400mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC848CPDW1T1G
ON Semiconductor

BC848CPDW1T1G

भाग स्टॉक: 121168

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC847CDXV6T1H
ON Semiconductor

BC847CDXV6T1H

भाग स्टॉक: 122457

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC847BPDXV6T1G
ON Semiconductor

BC847BPDXV6T1G

भाग स्टॉक: 160959

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC847CDXV6T1G
ON Semiconductor

BC847CDXV6T1G

भाग स्टॉक: 115909

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC847S
ON Semiconductor

BC847S

भाग स्टॉक: 147700

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC847BPDXV6T1
ON Semiconductor

BC847BPDXV6T1

भाग स्टॉक: 4563

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC847BS
ON Semiconductor

BC847BS

भाग स्टॉक: 182235

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC858CDW1T1G
ON Semiconductor

BC858CDW1T1G

भाग स्टॉक: 6498

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC858CDW1T1
ON Semiconductor

BC858CDW1T1

भाग स्टॉक: 4499

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC857CDW1T1
ON Semiconductor

BC857CDW1T1

भाग स्टॉक: 4423

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC856BDW1T1
ON Semiconductor

BC856BDW1T1

भाग स्टॉक: 4478

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 65V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC848CPDW1T1
ON Semiconductor

BC848CPDW1T1

भाग स्टॉक: 4434

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC848CDXV6T1G
ON Semiconductor

BC848CDXV6T1G

भाग स्टॉक: 4467

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC847BPDXV6T5G
ON Semiconductor

BC847BPDXV6T5G

भाग स्टॉक: 6445

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC858CDXV6T5G
ON Semiconductor

BC858CDXV6T5G

भाग स्टॉक: 4404

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC848CDXV6T5G
ON Semiconductor

BC848CDXV6T5G

भाग स्टॉक: 4440

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC847CDXV6T5G
ON Semiconductor

BC847CDXV6T5G

भाग स्टॉक: 4426

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC847CDXV6T5
ON Semiconductor

BC847CDXV6T5

भाग स्टॉक: 4475

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC858CDXV6T5
ON Semiconductor

BC858CDXV6T5

भाग स्टॉक: 4393

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC848CDXV6T5
ON Semiconductor

BC848CDXV6T5

भाग स्टॉक: 4433

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC857S
ON Semiconductor

BC857S

भाग स्टॉक: 117373

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC856BDW1T3G
ON Semiconductor

BC856BDW1T3G

भाग स्टॉक: 135230

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 65V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC848CDW1T1G
ON Semiconductor

BC848CDW1T1G

भाग स्टॉक: 175357

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC847CDW1T1G
ON Semiconductor

BC847CDW1T1G

भाग स्टॉक: 117917

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC856BDW1T1G
ON Semiconductor

BC856BDW1T1G

भाग स्टॉक: 175380

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 65V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC858CDXV6T1G
ON Semiconductor

BC858CDXV6T1G

भाग स्टॉक: 168041

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC847BPDW1T2G
ON Semiconductor

BC847BPDW1T2G

भाग स्टॉक: 149592

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC857CDW1T1G
ON Semiconductor

BC857CDW1T1G

भाग स्टॉक: 185143

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC846BPDW1T1G
ON Semiconductor

BC846BPDW1T1G

भाग स्टॉक: 165331

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 65V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC847BPDW1T3G
ON Semiconductor

BC847BPDW1T3G

भाग स्टॉक: 123526

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC847BDW1T3G
ON Semiconductor

BC847BDW1T3G

भाग स्टॉक: 102627

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC847BDW1T1G
ON Semiconductor

BC847BDW1T1G

भाग स्टॉक: 161746

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC847BPDW1T1G
ON Semiconductor

BC847BPDW1T1G

भाग स्टॉक: 144465

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC857BDW1T1G
ON Semiconductor

BC857BDW1T1G

भाग स्टॉक: 194751

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 PNP (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC846BDW1T1G
ON Semiconductor

BC846BDW1T1G

भाग स्टॉक: 189374

ट्रांजिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 65V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

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