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थाइरिस्टर - एससीआर

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  • थाइरिस्टर - एससीआर
2N5064RLRMG
ON Semiconductor

2N5064RLRMG

भाग स्टॉक: 7685

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 200V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 800mV, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200µA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 510mA, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 800mA,

इच्छा-सूची
2N5060RLRMG
ON Semiconductor

2N5060RLRMG

भाग स्टॉक: 7656

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 30V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 800mV, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200µA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 510mA, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 800mA,

इच्छा-सूची
2N6509T
ON Semiconductor

2N6509T

भाग स्टॉक: 7661

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 1.5V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 30mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.8V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा-सूची
2N6401
ON Semiconductor

2N6401

भाग स्टॉक: 4823

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 100V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 1.5V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 30mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 10A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 16A,

इच्छा-सूची
2N6400
ON Semiconductor

2N6400

भाग स्टॉक: 7723

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 50V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 1.5V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 30mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 10A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 16A,

इच्छा-सूची
2N6394
ON Semiconductor

2N6394

भाग स्टॉक: 7735

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 50V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 1.5V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 30mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.2V, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 12A,

इच्छा-सूची
2N5064RLRM
ON Semiconductor

2N5064RLRM

भाग स्टॉक: 7735

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 200V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 800mV, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200µA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 510mA, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 800mA,

इच्छा-सूची
2N5062G
ON Semiconductor

2N5062G

भाग स्टॉक: 7644

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 100V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 800mV, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200µA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 510mA, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 800mA,

इच्छा-सूची
2N5060RLRM
ON Semiconductor

2N5060RLRM

भाग स्टॉक: 7686

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 30V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 800mV, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200µA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 510mA, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 800mA,

इच्छा-सूची
2N5060RLRAG
ON Semiconductor

2N5060RLRAG

भाग स्टॉक: 7692

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 30V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 800mV, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200µA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 510mA, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 800mA,

इच्छा-सूची
2N5064G
ON Semiconductor

2N5064G

भाग स्टॉक: 7694

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 200V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 800mV, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200µA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 510mA, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 800mA,

इच्छा-सूची
2N5061G
ON Semiconductor

2N5061G

भाग स्टॉक: 7617

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 60V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 800mV, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200µA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 510mA, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 800mA,

इच्छा-सूची
2N5064RLRAG
ON Semiconductor

2N5064RLRAG

भाग स्टॉक: 7644

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 200V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 800mV, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200µA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 510mA, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 800mA,

इच्छा-सूची
2N5060G
ON Semiconductor

2N5060G

भाग स्टॉक: 4808

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 30V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 800mV, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200µA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 510mA, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 800mA,

इच्छा-सूची
2N5061RLRAG
ON Semiconductor

2N5061RLRAG

भाग स्टॉक: 7622

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 60V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 800mV, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200µA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 510mA, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 800mA,

इच्छा-सूची
2N5062RLRAG
ON Semiconductor

2N5062RLRAG

भाग स्टॉक: 7629

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 100V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 800mV, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200µA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 510mA, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 800mA,

इच्छा-सूची
2N5062RLRA
ON Semiconductor

2N5062RLRA

भाग स्टॉक: 4782

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 100V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 800mV, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200µA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 510mA, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 800mA,

इच्छा-सूची
2N5064RLRA
ON Semiconductor

2N5064RLRA

भाग स्टॉक: 7597

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 200V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 800mV, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200µA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 510mA, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 800mA,

इच्छा-सूची
2N5061RLRA
ON Semiconductor

2N5061RLRA

भाग स्टॉक: 7659

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 60V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 800mV, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200µA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 510mA, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 800mA,

इच्छा-सूची
C122F1
ON Semiconductor

C122F1

भाग स्टॉक: 7726

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 50V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 1.5V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 25mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.83V, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 8A,

इच्छा-सूची
MCR12LDG
ON Semiconductor

MCR12LDG

भाग स्टॉक: 7633

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 400V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 800mV, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 8mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.2V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 7.6A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 12A,

इच्छा-सूची
MCR68-002
ON Semiconductor

MCR68-002

भाग स्टॉक: 7675

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 50V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 1.5V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 30mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.2V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 8A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 12A,

इच्छा-सूची
MCR8SM
ON Semiconductor

MCR8SM

भाग स्टॉक: 7641

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 600V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 1V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200µA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.8V, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 8A,

इच्छा-सूची
MCR22-8G
ON Semiconductor

MCR22-8G

भाग स्टॉक: 7721

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 600V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 800mV, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200µA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1.5A,

इच्छा-सूची
MCR12DSMT4
ON Semiconductor

MCR12DSMT4

भाग स्टॉक: 7684

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 600V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 1V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200µA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.9V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 7.6A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 12A,

इच्छा-सूची
MCR100-6RL
ON Semiconductor

MCR100-6RL

भाग स्टॉक: 7666

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 400V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 800mV, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200µA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 800mA,

इच्छा-सूची
MCR12DSN-001
ON Semiconductor

MCR12DSN-001

भाग स्टॉक: 7596

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 800V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 1V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200µA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.9V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 7.6A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 12A,

इच्छा-सूची
MCR22-6RLRA
ON Semiconductor

MCR22-6RLRA

भाग स्टॉक: 7626

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 400V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 800mV, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200µA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 1.5A,

इच्छा-सूची
NCR169DG
ON Semiconductor

NCR169DG

भाग स्टॉक: 7646

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 400V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 800mV, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200µA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 800mA,

इच्छा-सूची
NYC008-6JG
ON Semiconductor

NYC008-6JG

भाग स्टॉक: 4837

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 600V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 800mV, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200µA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 800mA,

इच्छा-सूची
MCR100-4G
ON Semiconductor

MCR100-4G

भाग स्टॉक: 7672

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 200V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 800mV, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200µA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 800mA,

इच्छा-सूची
MCR100-4RLRMG
ON Semiconductor

MCR100-4RLRMG

भाग स्टॉक: 7729

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 200V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 800mV, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200µA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 800mA,

इच्छा-सूची
MCR8DCMT4
ON Semiconductor

MCR8DCMT4

भाग स्टॉक: 7693

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 600V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 1V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 15mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.8V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 5.1A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 8A,

इच्छा-सूची
MCR708A1
ON Semiconductor

MCR708A1

भाग स्टॉक: 7698

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 600V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 800mV, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 75µA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 2.2V, वर्तमान - राज्य पर (यह (एवी)) (अधिकतम): 1.6A, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 4A,

इच्छा-सूची
MCR218-002
ON Semiconductor

MCR218-002

भाग स्टॉक: 7713

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 50V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 1.5V, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 25mA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.8V, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 8A,

इच्छा-सूची
MCR100-004
ON Semiconductor

MCR100-004

भाग स्टॉक: 4793

वोल्टेज - ऑफ स्टेट: 200V, वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम): 800mV, करंट - गेट ट्रिगर (Igt) (अधिकतम): 200µA, वोल्टेज - राज्य पर (वीटीएम) (अधिकतम): 1.7V, वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): 800mA,

इच्छा-सूची