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ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - एकल

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  • ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - एकल
BD682TG
ON Semiconductor

BD682TG

भाग स्टॉक: 6395

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 4A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 2.5V @ 30mA, 1.5A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 500µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

इच्छा-सूची
BD676A
ON Semiconductor

BD676A

भाग स्टॉक: 6396

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 4A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 2.8V @ 40mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 500µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

इच्छा-सूची
BD676
ON Semiconductor

BD676

भाग स्टॉक: 5664

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 4A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 2.5V @ 30mA, 1.5A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 500µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

इच्छा-सूची
BD675A
ON Semiconductor

BD675A

भाग स्टॉक: 6326

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 4A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 2.8V @ 40mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 500µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

इच्छा-सूची
BD675
ON Semiconductor

BD675

भाग स्टॉक: 6658

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 4A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 2.5V @ 30mA, 1.5A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 500µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

इच्छा-सूची
BD441
ON Semiconductor

BD441

भाग स्टॉक: 6309

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 4A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 800mV @ 300mA, 3A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V,

इच्छा-सूची
BD442
ON Semiconductor

BD442

भाग स्टॉक: 6394

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 4A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 800mV @ 300mA, 3A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V,

इच्छा-सूची
BD440G
ON Semiconductor

BD440G

भाग स्टॉक: 6326

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 4A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 800mV @ 300mA, 3A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V,

इच्छा-सूची
BD440
ON Semiconductor

BD440

भाग स्टॉक: 5666

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 4A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 800mV @ 300mA, 3A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V,

इच्छा-सूची
BD439
ON Semiconductor

BD439

भाग स्टॉक: 6319

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 4A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 800mV @ 300mA, 3A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V,

इच्छा-सूची
BD243CG
ON Semiconductor

BD243CG

भाग स्टॉक: 72552

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 6A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1A, 6A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 700µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

इच्छा-सूची
BD438G
ON Semiconductor

BD438G

भाग स्टॉक: 6370

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 4A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 700mV @ 300mA, 3A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

इच्छा-सूची
BD437T
ON Semiconductor

BD437T

भाग स्टॉक: 6319

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 4A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 800mV @ 300mA, 3A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

इच्छा-सूची
BD435
ON Semiconductor

BD435

भाग स्टॉक: 6306

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 4A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 32V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 200mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

इच्छा-सूची
BD234
ON Semiconductor

BD234

भाग स्टॉक: 6314

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 100mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V,

इच्छा-सूची
BD179
ON Semiconductor

BD179

भाग स्टॉक: 6360

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 800mV @ 100mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

इच्छा-सूची
BD159
ON Semiconductor

BD159

भाग स्टॉक: 6345

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 350V, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

इच्छा-सूची
BD138
ON Semiconductor

BD138

भाग स्टॉक: 6296

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1.5A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

इच्छा-सूची
BCX71JLT1
ON Semiconductor

BCX71JLT1

भाग स्टॉक: 6359

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 550mV @ 1.25mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 20nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCX17LT3G
ON Semiconductor

BCX17LT3G

भाग स्टॉक: 6663

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 620mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

इच्छा-सूची
BCX18LT1G
ON Semiconductor

BCX18LT1G

भाग स्टॉक: 6715

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 620mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

इच्छा-सूची
BCW70LT1
ON Semiconductor

BCW70LT1

भाग स्टॉक: 6376

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 500µA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCW72LT1
ON Semiconductor

BCW72LT1

भाग स्टॉक: 6378

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 500µA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCW66GLT1
ON Semiconductor

BCW66GLT1

भाग स्टॉक: 6339

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 700mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 20nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

इच्छा-सूची
BCW65CLT1
ON Semiconductor

BCW65CLT1

भाग स्टॉक: 6387

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 32V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 700mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 20nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

इच्छा-सूची
BCW65ALT1
ON Semiconductor

BCW65ALT1

भाग स्टॉक: 6329

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 32V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 700mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 20nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

इच्छा-सूची
BC859CLT1G
ON Semiconductor

BC859CLT1G

भाग स्टॉक: 6358

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BCW33LT1
ON Semiconductor

BCW33LT1

भाग स्टॉक: 6323

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 32V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 500µA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC859BLT3G
ON Semiconductor

BC859BLT3G

भाग स्टॉक: 6340

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC859CLT1
ON Semiconductor

BC859CLT1

भाग स्टॉक: 6344

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC859BLT1G
ON Semiconductor

BC859BLT1G

भाग स्टॉक: 6358

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC858BWT1
ON Semiconductor

BC858BWT1

भाग स्टॉक: 6367

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC858AWT1
ON Semiconductor

BC858AWT1

भाग स्टॉक: 6298

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC858ALT1
ON Semiconductor

BC858ALT1

भाग स्टॉक: 6348

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC857BWT1
ON Semiconductor

BC857BWT1

भाग स्टॉक: 6290

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
BC857CWT1
ON Semiconductor

BC857CWT1

भाग स्टॉक: 6314

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची