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ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - एकल

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  • ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - एकल
2N4400TF
ON Semiconductor

2N4400TF

भाग स्टॉक: 5685

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 750mV @ 50mA, 500mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N4400TA
ON Semiconductor

2N4400TA

भाग स्टॉक: 5603

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 750mV @ 50mA, 500mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N4126TFR
ON Semiconductor

2N4126TFR

भाग स्टॉक: 5650

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N4126TF
ON Semiconductor

2N4126TF

भाग स्टॉक: 5621

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N4126TA
ON Semiconductor

2N4126TA

भाग स्टॉक: 5603

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N4125TFR
ON Semiconductor

2N4125TFR

भाग स्टॉक: 5617

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N4125TF
ON Semiconductor

2N4125TF

भाग स्टॉक: 5610

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N4125TA
ON Semiconductor

2N4125TA

भाग स्टॉक: 5648

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N4124TFR
ON Semiconductor

2N4124TFR

भाग स्टॉक: 5659

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N4124TF
ON Semiconductor

2N4124TF

भाग स्टॉक: 5615

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N4124TA
ON Semiconductor

2N4124TA

भाग स्टॉक: 5603

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N4123TFR
ON Semiconductor

2N4123TFR

भाग स्टॉक: 5692

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N4123TA
ON Semiconductor

2N4123TA

भाग स्टॉक: 5607

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N3905TF
ON Semiconductor

2N3905TF

भाग स्टॉक: 5631

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N3905TFR
ON Semiconductor

2N3905TFR

भाग स्टॉक: 5607

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N3905TA
ON Semiconductor

2N3905TA

भाग स्टॉक: 5609

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N3904NLBU
ON Semiconductor

2N3904NLBU

भाग स्टॉक: 5650

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 5mA, 50mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N3904CTA
ON Semiconductor

2N3904CTA

भाग स्टॉक: 5680

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 5mA, 50mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N7053_D74Z
ON Semiconductor

2N7053_D74Z

भाग स्टॉक: 5606

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1.5A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 100µA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 200nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 5V,

इच्छा-सूची
2N6426_D26Z
ON Semiconductor

2N6426_D26Z

भाग स्टॉक: 5613

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1.2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 500µA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 20000 @ 500mA, 5V,

इच्छा-सूची
2N5551CYTA
ON Semiconductor

2N5551CYTA

भाग स्टॉक: 5655

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 160V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 200mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
2N6076
ON Semiconductor

2N6076

भाग स्टॉक: 5635

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N5401TA
ON Semiconductor

2N5401TA

भाग स्टॉक: 5629

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
2N5550TF
ON Semiconductor

2N5550TF

भाग स्टॉक: 5683

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 140V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
2N5210TF
ON Semiconductor

2N5210TF

भाग स्टॉक: 5675

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 700mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V,

इच्छा-सूची
2N5088_J61Z
ON Semiconductor

2N5088_J61Z

भाग स्टॉक: 5594

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V,

इच्छा-सूची
2N5088_D81Z
ON Semiconductor

2N5088_D81Z

भाग स्टॉक: 5607

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V,

इच्छा-सूची
2N4403_D11Z
ON Semiconductor

2N4403_D11Z

भाग स्टॉक: 5597

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 750mV @ 50mA, 500mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

इच्छा-सूची
2N3904_J05Z
ON Semiconductor

2N3904_J05Z

भाग स्टॉक: 5596

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 5mA, 50mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N3416_D26Z
ON Semiconductor

2N3416_D26Z

भाग स्टॉक: 5624

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 3mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 75 @ 2mA, 4.5V,

इच्छा-सूची
2SC4081RT1G
ON Semiconductor

2SC4081RT1G

भाग स्टॉक: 5636

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V,

इच्छा-सूची
2SA1576ART1G
ON Semiconductor

2SA1576ART1G

भाग स्टॉक: 5652

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V,

इच्छा-सूची
2N6517G
ON Semiconductor

2N6517G

भाग स्टॉक: 5638

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 350V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V,

इच्छा-सूची
2N6497G
ON Semiconductor

2N6497G

भाग स्टॉक: 5608

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 5A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 250V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 5V @ 2A, 5A, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 10 @ 2.5A, 10V,

इच्छा-सूची
2N6426G
ON Semiconductor

2N6426G

भाग स्टॉक: 5595

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 500µA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30000 @ 100mA, 5V,

इच्छा-सूची
2N6427G
ON Semiconductor

2N6427G

भाग स्टॉक: 5641

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 500µA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

इच्छा-सूची