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ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - एकल

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  • ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - एकल
2N5772_D75Z
ON Semiconductor

2N5772_D75Z

भाग स्टॉक: 5757

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 300mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 3mA, 300mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 500nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV,

इच्छा-सूची
2N5308_D27Z
ON Semiconductor

2N5308_D27Z

भाग स्टॉक: 5795

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1.2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.4V @ 200µA, 200mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
2N5772_D26Z
ON Semiconductor

2N5772_D26Z

भाग स्टॉक: 6637

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 300mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 3mA, 300mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 500nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV,

इच्छा-सूची
2N4410_D75Z
ON Semiconductor

2N4410_D75Z

भाग स्टॉक: 5836

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 200mV @ 100µA, 1mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N5172_D75Z
ON Semiconductor

2N5172_D75Z

भाग स्टॉक: 5805

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V,

इच्छा-सूची
2N4410_D74Z
ON Semiconductor

2N4410_D74Z

भाग स्टॉक: 5805

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 200mV @ 100µA, 1mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N4410_D27Z
ON Semiconductor

2N4410_D27Z

भाग स्टॉक: 6668

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 200mV @ 100µA, 1mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N4402_J14Z
ON Semiconductor

2N4402_J14Z

भाग स्टॉक: 6610

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 750mV @ 50mA, 500mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V,

इच्छा-सूची
2N4402_S00Z
ON Semiconductor

2N4402_S00Z

भाग स्टॉक: 5789

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 750mV @ 50mA, 500mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V,

इच्छा-सूची
2N4402_D81Z
ON Semiconductor

2N4402_D81Z

भाग स्टॉक: 5772

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 750mV @ 50mA, 500mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V,

इच्छा-सूची
2N3703
ON Semiconductor

2N3703

भाग स्टॉक: 5781

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V,

इच्छा-सूची
2N3702_D27Z
ON Semiconductor

2N3702_D27Z

भाग स्टॉक: 5841

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

इच्छा-सूची
2N3415_D75Z
ON Semiconductor

2N3415_D75Z

भाग स्टॉक: 5760

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 3mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V,

इच्छा-सूची
2N3702_D26Z
ON Semiconductor

2N3702_D26Z

भाग स्टॉक: 5844

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

इच्छा-सूची
2N3415_D74Z
ON Semiconductor

2N3415_D74Z

भाग स्टॉक: 5797

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 3mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V,

इच्छा-सूची
2N3415_D27Z
ON Semiconductor

2N3415_D27Z

भाग स्टॉक: 5789

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 3mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V,

इच्छा-सूची
2N3415_D26Z
ON Semiconductor

2N3415_D26Z

भाग स्टॉक: 5829

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 3mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V,

इच्छा-सूची
2N3393_D26Z
ON Semiconductor

2N3393_D26Z

भाग स्टॉक: 6631

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 90 @ 2mA, 4.5V,

इच्छा-सूची
2N7051
ON Semiconductor

2N7051

भाग स्टॉक: 5802

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1.5A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 100µA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 200nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 5V,

इच्छा-सूची
2N5771_D75Z
ON Semiconductor

2N5771_D75Z

भाग स्टॉक: 5755

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 300mV,

इच्छा-सूची
2N6427_D26Z
ON Semiconductor

2N6427_D26Z

भाग स्टॉक: 5747

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1.2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 500µA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 14000 @ 500mA, 5V,

इच्छा-सूची
2N5771_D74Z
ON Semiconductor

2N5771_D74Z

भाग स्टॉक: 5793

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 300mV,

इच्छा-सूची
2N5771_D27Z
ON Semiconductor

2N5771_D27Z

भाग स्टॉक: 5814

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 300mV,

इच्छा-सूची
2N5366_D75Z
ON Semiconductor

2N5366_D75Z

भाग स्टॉक: 6592

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 30mA, 300mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N5771_D26Z
ON Semiconductor

2N5771_D26Z

भाग स्टॉक: 5821

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 300mV,

इच्छा-सूची
2N5366_D27Z
ON Semiconductor

2N5366_D27Z

भाग स्टॉक: 5793

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 30mA, 300mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N5306_D74Z
ON Semiconductor

2N5306_D74Z

भाग स्टॉक: 5809

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1.2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.4V @ 200µA, 200mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
2N5087_J61Z
ON Semiconductor

2N5087_J61Z

भाग स्टॉक: 5824

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V,

इच्छा-सूची
2N4403_J60Z
ON Semiconductor

2N4403_J60Z

भाग स्टॉक: 5800

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 750mV @ 50mA, 500mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

इच्छा-सूची
2N4403_S00Z
ON Semiconductor

2N4403_S00Z

भाग स्टॉक: 5781

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 750mV @ 50mA, 500mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

इच्छा-सूची
2N4403_J05Z
ON Semiconductor

2N4403_J05Z

भाग स्टॉक: 5802

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 750mV @ 50mA, 500mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

इच्छा-सूची
2N4403_J18Z
ON Semiconductor

2N4403_J18Z

भाग स्टॉक: 5802

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 750mV @ 50mA, 500mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

इच्छा-सूची
2N4403_D29Z
ON Semiconductor

2N4403_D29Z

भाग स्टॉक: 6590

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 750mV @ 50mA, 500mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

इच्छा-सूची
2N3906_J61Z
ON Semiconductor

2N3906_J61Z

भाग स्टॉक: 5765

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N4126_S00Z
ON Semiconductor

2N4126_S00Z

भाग स्टॉक: 5756

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N3704_D75Z
ON Semiconductor

2N3704_D75Z

भाग स्टॉक: 5787

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

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