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ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - एकल

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  • ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - एकल
2N7052
ON Semiconductor

2N7052

भाग स्टॉक: 5526

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1.5A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 100µA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 200nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 5V,

इच्छा-सूची
2N6724
ON Semiconductor

2N6724

भाग स्टॉक: 5450

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 2mA, 1A, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V,

इच्छा-सूची
2N6726
ON Semiconductor

2N6726

भाग स्टॉक: 5395

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V,

इच्छा-सूची
2N6714
ON Semiconductor

2N6714

भाग स्टॉक: 6579

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V,

इच्छा-सूची
2N3014
ON Semiconductor

2N3014

भाग स्टॉक: 5441

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 350mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 300nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV,

इच्छा-सूची
2N3108
ON Semiconductor

2N3108

भाग स्टॉक: 5384

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 100mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA,1V,

इच्छा-सूची
2N2906A
ON Semiconductor

2N2906A

भाग स्टॉक: 71797

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.6V @ 50mA, 500mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

इच्छा-सूची
2N2369
ON Semiconductor

2N2369

भाग स्टॉक: 5393

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 1mA, 10mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N2221A
ON Semiconductor

2N2221A

भाग स्टॉक: 71785

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

इच्छा-सूची
2N5961
ON Semiconductor

2N5961

भाग स्टॉक: 5420

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 200mV @ 500µA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 2nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
2N5830
ON Semiconductor

2N5830

भाग स्टॉक: 5439

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
2N5771
ON Semiconductor

2N5771

भाग स्टॉक: 5732

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 300mV,

इच्छा-सूची
2N5772
ON Semiconductor

2N5772

भाग स्टॉक: 5387

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 300mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 3mA, 300mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 500nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV,

इच्छा-सूची
2N5682
ON Semiconductor

2N5682

भाग स्टॉक: 5471

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V,

इच्छा-सूची
2N5550BU
ON Semiconductor

2N5550BU

भाग स्टॉक: 6606

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 140V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
2N5401BU
ON Semiconductor

2N5401BU

भाग स्टॉक: 5419

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची
2N5323
ON Semiconductor

2N5323

भाग स्टॉक: 5454

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.2V @ 50mA, 500mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 4V,

इच्छा-सूची
2N5226
ON Semiconductor

2N5226

भाग स्टॉक: 5437

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 800mV @ 10mA, 100mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

इच्छा-सूची
2N5224
ON Semiconductor

2N5224

भाग स्टॉक: 5407

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 12V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 350mV @ 3mA, 10mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N5088BU
ON Semiconductor

2N5088BU

भाग स्टॉक: 179781

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V,

इच्छा-सूची
2N4402BU
ON Semiconductor

2N4402BU

भाग स्टॉक: 5460

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 750mV @ 50mA, 500mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V,

इच्छा-सूची
2N4400BU
ON Semiconductor

2N4400BU

भाग स्टॉक: 5455

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 750mV @ 50mA, 500mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N4125BU
ON Semiconductor

2N4125BU

भाग स्टॉक: 5391

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N4208
ON Semiconductor

2N4208

भाग स्टॉक: 5405

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 12V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 130mV @ 100µA, 1mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 300mV,

इच्छा-सूची
2N3962
ON Semiconductor

2N3962

भाग स्टॉक: 5405

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

इच्छा-सूची
2N4123BU
ON Semiconductor

2N4123BU

भाग स्टॉक: 5451

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N3905BU
ON Semiconductor

2N3905BU

भाग स्टॉक: 5413

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N6727
ON Semiconductor

2N6727

भाग स्टॉक: 5472

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 100mA, 1A, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V,

इच्छा-सूची
2N6719
ON Semiconductor

2N6719

भाग स्टॉक: 6614

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 300V,

इच्छा-सूची
2N6725
ON Semiconductor

2N6725

भाग स्टॉक: 5448

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 2mA, 1A, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V,

इच्छा-सूची
2N6715
ON Semiconductor

2N6715

भाग स्टॉक: 5467

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 100mA, 1A, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V,

इच्छा-सूची
2N5210BU
ON Semiconductor

2N5210BU

भाग स्टॉक: 117326

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 700mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V,

इच्छा-सूची
2N5087BU
ON Semiconductor

2N5087BU

भाग स्टॉक: 5408

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V,

इच्छा-सूची
2N4410
ON Semiconductor

2N4410

भाग स्टॉक: 5437

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 200mV @ 100µA, 1mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N4126BU
ON Semiconductor

2N4126BU

भाग स्टॉक: 5407

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

इच्छा-सूची
2N4124BU
ON Semiconductor

2N4124BU

भाग स्टॉक: 5425

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

इच्छा-सूची