डायोड - रेक्टीफायर - सिंगल | असतत अर्धचालक उत्पाद | 100

BYG10Y-E3/TR3

भाग स्टॉक: 119874

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 1.5A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4µs,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22DHE3_A/H

भाग स्टॉक: 198448

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 2A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 25ns,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21KHM3_A/I

भाग स्टॉक: 152155

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.6V @ 1.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 120ns,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J-E3/TR3

भाग स्टॉक: 158166

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 1.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 75ns,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20W-E3-18

भाग स्टॉक: 197367

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 200mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54WS-G3-08

भाग स्टॉक: 194835

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 5ns,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16WS-G3-18

भाग स्टॉक: 113942

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 150mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 6ns,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-G3-08

भाग स्टॉक: 120561

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 70V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 70mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 15mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21W-HE3-18

भाग स्टॉक: 114352

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19W-G3-08

भाग स्टॉक: 158404

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 200mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46W-G3-18

भाग स्टॉक: 129535

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 150mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 250mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42W-G3-18

भाग स्टॉक: 111296

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 50mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 5ns,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20W-G3-18

भाग स्टॉक: 199754

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 200mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19W-HE3-08

भाग स्टॉक: 117566

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 200mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21WS-G3-18

भाग स्टॉक: 138262

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 200mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-HG3-18

भाग स्टॉक: 325

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 200mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42WS-G3-08

भाग स्टॉक: 139086

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 50mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 5ns,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42W-E3-18

भाग स्टॉक: 148789

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 50mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 5ns,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54WS-HE3-18

भाग स्टॉक: 107239

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 5ns,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54W-G3-18

भाग स्टॉक: 140508

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 5ns,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16WS-HE3-08

भाग स्टॉक: 148285

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 150mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 6ns,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46W-HE3-08

भाग स्टॉक: 133467

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 150mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 250mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54WS-E3-18

भाग स्टॉक: 128129

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 5ns,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20W-HE3-18

भाग स्टॉक: 115332

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 200mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42WS-G3-18

भाग स्टॉक: 155536

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 50mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 5ns,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-G3-18

भाग स्टॉक: 174272

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 70V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 70mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 15mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19WS-HE3-18

भाग स्टॉक: 190986

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 200mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43W-HE3-18

भाग स्टॉक: 132335

डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 200mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 450mV @ 15mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 5ns,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21WS-E3-18

भाग स्टॉक: 163202

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 200mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21WS-E3-08

भाग स्टॉक: 163559

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 200mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21W-G3-08

भाग स्टॉक: 185224

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19WS-E3-08

भाग स्टॉक: 141866

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 200mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16D-E3-18

भाग स्टॉक: 146436

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 150mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 6ns,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-E3-18

भाग स्टॉक: 197062

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 200mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19WS-G3-08

भाग स्टॉक: 176953

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 200mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-HG3-08

भाग स्टॉक: 367

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 200mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची