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डायोड - रेक्टीफायर - सिंगल

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  • डायोड - रेक्टीफायर - सिंगल
BYW85TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW85TR

भाग स्टॉक: 190298

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 3A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 7.5µs,

इच्छा-सूची
BYW72-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW72-TR

भाग स्टॉक: 176837

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 200ns,

इच्छा-सूची
BYM36A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM36A-TAP

भाग स्टॉक: 106977

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.6V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 100ns,

इच्छा-सूची
BYV98-200-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-200-TR

भाग स्टॉक: 166059

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 35ns,

इच्छा-सूची
BYW73-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW73-TAP

भाग स्टॉक: 197416

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 200ns,

इच्छा-सूची
BYM36E-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM36E-TR

भाग स्टॉक: 193761

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.78V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 150ns,

इच्छा-सूची
BYV98-50-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-50-TAP

भाग स्टॉक: 186896

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 35ns,

इच्छा-सूची
BYT56K-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56K-TR

भाग स्टॉक: 193768

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 100ns,

इच्छा-सूची
BY228-13TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228-13TAP

भाग स्टॉक: 151048

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 2µs,

इच्छा-सूची
BYW84-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW84-TAP

भाग स्टॉक: 193746

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 3A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 7.5µs,

इच्छा-सूची
BYW172G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW172G-TR

भाग स्टॉक: 180423

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 9A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 100ns,

इच्छा-सूची
BYV28-050-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-050-TAP

भाग स्टॉक: 168824

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 30ns,

इच्छा-सूची
BYM36C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM36C-TAP

भाग स्टॉक: 144190

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.6V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 100ns,

इच्छा-सूची
BYV98-150-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-150-TR

भाग स्टॉक: 180379

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 35ns,

इच्छा-सूची
BY228-15TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228-15TR

भाग स्टॉक: 184567

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 2µs,

इच्छा-सूची
BYV28-200-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-200-TR

भाग स्टॉक: 153910

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 30ns,

इच्छा-सूची
BYW178-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW178-TAP

भाग स्टॉक: 174447

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.9V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 60ns,

इच्छा-सूची
BYT56J-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56J-TAP

भाग स्टॉक: 197427

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 100ns,

इच्छा-सूची
BYW73-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW73-TR

भाग स्टॉक: 197470

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 200ns,

इच्छा-सूची
BYV98-100-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-100-TR

भाग स्टॉक: 183624

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 35ns,

इच्छा-सूची
BYT56B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56B-TR

भाग स्टॉक: 145511

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 100ns,

इच्छा-सूची
BYT56G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56G-TR

भाग स्टॉक: 111086

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 100ns,

इच्छा-सूची
BYW84-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW84-TR

भाग स्टॉक: 193786

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 3A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 7.5µs,

इच्छा-सूची
BYW75TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW75TR

भाग स्टॉक: 190208

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 500V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 200ns,

इच्छा-सूची
BYV98-200-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-200-TAP

भाग स्टॉक: 174443

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 35ns,

इच्छा-सूची
BYT56D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56D-TAP

भाग स्टॉक: 181104

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 100ns,

इच्छा-सूची
BYW172F-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW172F-TR

भाग स्टॉक: 183570

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 9A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 100ns,

इच्छा-सूची
BYV28-100-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-100-TR

भाग स्टॉक: 163522

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 30ns,

इच्छा-सूची
BYT56B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56B-TAP

भाग स्टॉक: 149650

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 100ns,

इच्छा-सूची
BYT78-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT78-TR

भाग स्टॉक: 181183

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 250ns,

इच्छा-सूची
BY228GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228GP-E3/73

भाग स्टॉक: 165820

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1500V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.6V @ 2.5A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 20µs,

इच्छा-सूची
BYW83-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW83-TR

भाग स्टॉक: 197398

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 3A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 7.5µs,

इच्छा-सूची
BYV98-150-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-150-TAP

भाग स्टॉक: 180387

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 35ns,

इच्छा-सूची
BYW76TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW76TAP

भाग स्टॉक: 186903

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 200ns,

इच्छा-सूची
BYW82-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW82-TAP

भाग स्टॉक: 193864

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 3A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 7.5µs,

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BYT56A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56A-TAP

भाग स्टॉक: 101521

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 100ns,

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