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डायोड - रेक्टीफायर - सिंगल

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BYG10M-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-M3/TR

भाग स्टॉक: 183725

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 1.5A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4µs,

इच्छा-सूची
BYG20JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHE3_A/I

भाग स्टॉक: 115069

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 1.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 75ns,

इच्छा-सूची
BYG10G-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-E3/TR3

भाग स्टॉक: 197411

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 1.5A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4µs,

इच्छा-सूची
BYG22AHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22AHM3_A/H

भाग स्टॉक: 133472

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 2A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 25ns,

इच्छा-सूची
BYG22AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22AHE3_A/I

भाग स्टॉक: 189054

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 2A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 25ns,

इच्छा-सूची
BYG22AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22AHE3_A/H

भाग स्टॉक: 154231

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 2A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 25ns,

इच्छा-सूची
BYG24GHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHM3_A/H

भाग स्टॉक: 129432

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 1.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 140ns,

इच्छा-सूची
BYG20JHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHM3_A/I

भाग स्टॉक: 181553

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 1.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 75ns,

इच्छा-सूची
BYG23MHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHE3_A/H

भाग स्टॉक: 177768

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 75ns,

इच्छा-सूची
BYG24DHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24DHM3_A/I

भाग स्टॉक: 144093

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 1.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 140ns,

इच्छा-सूची
BYG10J-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-E3/TR3

भाग स्टॉक: 138230

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 1.5A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4µs,

इच्छा-सूची
BYG24J-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-M3/TR3

भाग स्टॉक: 163164

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 1.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 140ns,

इच्छा-सूची
BYG20G-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-E3/TR3

भाग स्टॉक: 107656

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 1.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 75ns,

इच्छा-सूची
BYG21MHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHE3_A/H

भाग स्टॉक: 135582

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.6V @ 1.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 120ns,

इच्छा-सूची
BYG22DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22DHM3_A/H

भाग स्टॉक: 187643

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 2A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 25ns,

इच्छा-सूची
BYG10KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHE3_A/I

भाग स्टॉक: 141453

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 1.5A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4µs,

इच्छा-सूची
BYG10JHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHM3_A/H

भाग स्टॉक: 151105

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 1.5A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4µs,

इच्छा-सूची
BYG24DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24DHE3_A/I

भाग स्टॉक: 110757

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 1.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 140ns,

इच्छा-सूची
BYG10KHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHM3_A/I

भाग स्टॉक: 163338

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 1.5A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4µs,

इच्छा-सूची
BYG21KHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21KHM3_A/H

भाग स्टॉक: 160116

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.6V @ 1.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 120ns,

इच्छा-सूची
BYG22D-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-M3/TR3

भाग स्टॉक: 174275

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 2A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 25ns,

इच्छा-सूची
BYG22BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHE3_A/I

भाग स्टॉक: 159460

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 2A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 25ns,

इच्छा-सूची
BYG20GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHE3_A/I

भाग स्टॉक: 116335

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 1.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 75ns,

इच्छा-सूची
BYG21KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21KHE3_A/H

भाग स्टॉक: 199885

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.6V @ 1.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 120ns,

इच्छा-सूची
BYG10DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHM3_A/H

भाग स्टॉक: 187956

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 1.5A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4µs,

इच्छा-सूची
BYG22B-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22B-M3/TR

भाग स्टॉक: 199372

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 2A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 25ns,

इच्छा-सूची
BYG24GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHE3_A/I

भाग स्टॉक: 176378

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 1.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 140ns,

इच्छा-सूची
BYG20JHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHM3_A/H

भाग स्टॉक: 183930

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 1.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 75ns,

इच्छा-सूची
BYG24D-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-M3/TR

भाग स्टॉक: 155546

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 1.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 140ns,

इच्छा-सूची
BYG21KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21KHE3_A/I

भाग स्टॉक: 125757

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.6V @ 1.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 120ns,

इच्छा-सूची
BYG20DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHE3_A/H

भाग स्टॉक: 196711

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 1.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 75ns,

इच्छा-सूची
BYG10GHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHM3_A/I

भाग स्टॉक: 186120

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 1.5A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4µs,

इच्छा-सूची
BYG20DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHM3_A/H

भाग स्टॉक: 139157

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 1.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 75ns,

इच्छा-सूची
BYG22DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22DHE3_A/I

भाग स्टॉक: 185358

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 2A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 25ns,

इच्छा-सूची
BYG10MHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHE3_A/H

भाग स्टॉक: 310

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 1.5A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4µs,

इच्छा-सूची
BYG10K-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-M3/TR

भाग स्टॉक: 195437

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 1.5A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4µs,

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