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डायोड - रेक्टीफायर - सिंगल

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  • डायोड - रेक्टीफायर - सिंगल
BY268TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY268TAP

भाग स्टॉक: 122912

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 800mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 400mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 400ns,

इच्छा-सूची
BYV27-050-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-050-TR

भाग स्टॉक: 170832

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 55V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.07V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 25ns,

इच्छा-सूची
BYT51D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51D-TR

भाग स्टॉक: 169988

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4µs,

इच्छा-सूची
BYT62-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT62-TR

भाग स्टॉक: 158535

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 2400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 350mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 3.6V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 5µs,

इच्छा-सूची
BYV12-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV12-TAP

भाग स्टॉक: 133807

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 300ns,

इच्छा-सूची
BYV37-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV37-TR

भाग स्टॉक: 166239

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 300ns,

इच्छा-सूची
BYT53A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53A-TAP

भाग स्टॉक: 162849

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.9A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची
BYT54M-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54M-TR

भाग स्टॉक: 154344

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.25A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 100ns,

इच्छा-सूची
BY448TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY448TAP

भाग स्टॉक: 127685

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1500V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.6V @ 3A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 2µs,

इच्छा-सूची
BYX83TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX83TAP

भाग स्टॉक: 178566

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4µs,

इच्छा-सूची
BYT52A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52A-TAP

भाग स्टॉक: 107418

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 200ns,

इच्छा-सूची
BYT51B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51B-TAP

भाग स्टॉक: 155091

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4µs,

इच्छा-सूची
BYT53F-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53F-TAP

भाग स्टॉक: 140893

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.9A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची
BYT51J-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51J-TR

भाग स्टॉक: 113210

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4µs,

इच्छा-सूची
BYT54K-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54K-TR

भाग स्टॉक: 120137

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.25A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 100ns,

इच्छा-सूची
BYX83TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX83TR

भाग स्टॉक: 176417

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4µs,

इच्छा-सूची
BYT53B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53B-TR

भाग स्टॉक: 161256

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.9A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची
BYX84TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX84TR

भाग स्टॉक: 147051

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4µs,

इच्छा-सूची
BYT53C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53C-TAP

भाग स्टॉक: 127986

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.9A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची
BYT52M-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52M-TR

भाग स्टॉक: 178212

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 200ns,

इच्छा-सूची
BYT54D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54D-TR

भाग स्टॉक: 142835

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.25A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 100ns,

इच्छा-सूची
BYV12-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV12-TR

भाग स्टॉक: 156566

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 300ns,

इच्छा-सूची
BYT53B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53B-TAP

भाग स्टॉक: 198030

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.9A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची
BY527TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY527TR

भाग स्टॉक: 197736

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.65V @ 10A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4µs,

इच्छा-सूची
BY458TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY458TR

भाग स्टॉक: 132572

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.6V @ 3A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 2µs,

इच्छा-सूची
BY203-12STAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-12STAP

भाग स्टॉक: 198779

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 250mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.4V @ 200mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 300ns,

इच्छा-सूची
BYW35-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW35-TR

भाग स्टॉक: 168310

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 500V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 200ns,

इच्छा-सूची
BYX84TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX84TAP

भाग स्टॉक: 129025

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4µs,

इच्छा-सूची
BYT51A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51A-TAP

भाग स्टॉक: 197129

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4µs,

इच्छा-सूची
BYT51M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51M-TAP

भाग स्टॉक: 143955

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4µs,

इच्छा-सूची
BY527TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY527TAP

भाग स्टॉक: 135313

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.65V @ 10A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4µs,

इच्छा-सूची
BYT51G-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51G-TAP

भाग स्टॉक: 191378

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4µs,

इच्छा-सूची
BYV13-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV13-TAP

भाग स्टॉक: 199601

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 300ns,

इच्छा-सूची
BYX82TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX82TAP

भाग स्टॉक: 116196

डायोड प्रकार: Avalanche, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 2A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 1A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 4µs,

इच्छा-सूची
BYM12-300-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-300-E3/96

भाग स्टॉक: 143123

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

इच्छा-सूची
BYM12-400HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-400HE3_A/I

भाग स्टॉक: 205

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), रिवर्स रिकवरी टाइम (trr): 50ns,

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