ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - Arrays

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ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - Arrays

SQJ262EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ262EP-T1_GE3

भाग स्टॉक: 2536

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 40A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 35.5 mOhm @ 2A, 10V, 15.5 mOhm @ 5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SQS944ENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQS944ENW-T1_GE3

भाग स्टॉक: 2484

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 25 mOhm @ 1.25A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SI4202DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4202DY-T1-GE3

भाग स्टॉक: 118970

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 12.1A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 14 mOhm @ 8A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SI1029X-T1-GE3

भाग स्टॉक: 164736

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 305mA, 190mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SIA533EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA533EDJ-T1-GE3

भाग स्टॉक: 106980

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 12V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4.5A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SIA975DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA975DJ-T1-GE3

भाग स्टॉक: 159548

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 12V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4.5A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 41 mOhm @ 4.3A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SQJ260EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ260EP-T1_GE3

भाग स्टॉक: 2593

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 19 mOhm @ 6A, 10V, 8.5 mOhm @ 10A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SI1026X-T1-GE3

भाग स्टॉक: 107231

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 305mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SI5515CDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5515CDC-T1-GE3

भाग स्टॉक: 185766

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 36 mOhm @ 6A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 800mV @ 250µA,

इच्छा-सूची

SI1539CDL-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1539CDL-T1-GE3

भाग स्टॉक: 143752

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 388 mOhm @ 600mA, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SIA517DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA517DJ-T1-GE3

भाग स्टॉक: 150755

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 12V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4.5A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SIR770DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR770DP-T1-GE3

भाग स्टॉक: 139904

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 8A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 21 mOhm @ 8A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.8V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SI1553CDL-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1553CDL-T1-GE3

भाग स्टॉक: 145828

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 390 mOhm @ 700mA, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SQJB70EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJB70EP-T1_GE3

भाग स्टॉक: 113439

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 95 mOhm @ 4A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3.5V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SI4936BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4936BDY-T1-E3

भाग स्टॉक: 168524

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6.9A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 35 mOhm @ 5.9A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SI1965DH-T1-E3

भाग स्टॉक: 100544

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 12V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1.3A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 390 mOhm @ 1A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SIA911ADJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA911ADJ-T1-GE3

भाग स्टॉक: 139873

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4.5A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 116 mOhm @ 2.8A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SQJ990EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ990EP-T1_GE3

भाग स्टॉक: 141592

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 34A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 40 mOhm @ 6A, 10V, 19 mOhm @ 10A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SQ1563AEH-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ1563AEH-T1_GE3

भाग स्टॉक: 2535

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 850mA (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 280 mOhm @ 850mA, 4.5V, 575 mOhm @ 800mA, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SIA537EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA537EDJ-T1-GE3

भाग स्टॉक: 157576

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 12V, 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4.5A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 28 mOhm @ 5.2A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SI5513CDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5513CDC-T1-GE3

भाग स्टॉक: 193923

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 55 mOhm @ 4.4A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SQJQ904E-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJQ904E-T1_GE3

भाग स्टॉक: 54848

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 100A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.4 mOhm @ 20A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3.5V @ 250µA,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SI1926DL-T1-E3

भाग स्टॉक: 150474

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 370mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.4 Ohm @ 340mA, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SI7212DN-T1-E3

भाग स्टॉक: 57376

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4.9A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 36 mOhm @ 6.8A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.6V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SQJB40EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJB40EP-T1_GE3

भाग स्टॉक: 152466

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 30A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 8 mOhm @ 8A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SQJ963EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ963EP-T1_GE3

भाग स्टॉक: 91401

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 8A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 85 mOhm @ 3.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SI7972DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7972DP-T1-GE3

भाग स्टॉक: 149146

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 8A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 18 mOhm @ 11A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.7V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SQJQ910EL-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJQ910EL-T1_GE3

भाग स्टॉक: 2597

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 70A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 8.6 mOhm @ 10A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SI7949DP-T1-E3

भाग स्टॉक: 39374

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 3.2A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 64 mOhm @ 5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SQJB00EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJB00EP-T1_GE3

भाग स्टॉक: 152443

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 30A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 13 mOhm @ 10A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3.5V @ 250µA,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SI4900DY-T1-E3

भाग स्टॉक: 142035

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 5.3A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SQJQ980EL-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJQ980EL-T1_GE3

भाग स्टॉक: 2601

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 80V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 36A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 13.5 mOhm @ 5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SIZF906ADT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZF906ADT-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2533

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), Schottky, एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SI4214DDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4214DDY-T1-E3

भाग स्टॉक: 188973

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 8.5A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 19.5 mOhm @ 8A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा-सूची

SQJB80EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJB80EP-T1_GE3

भाग स्टॉक: 152485

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 80V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 30A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 19 mOhm @ 8A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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SI4925BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4925BDY-T1-E3

भाग स्टॉक: 152470

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 5.3A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 25 mOhm @ 7.1A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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