ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - Arrays | असतत अर्धचालक उत्पाद | 18

SI4913DY-T1-E3

भाग स्टॉक: 2758

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 7.1A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 15 mOhm @ 9.4A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 500µA,

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Vishay Siliconix

SIB914DK-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2810

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 8V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1.5A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 113 mOhm @ 2.5A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 800mV @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4226DY-T1-E3

भाग स्टॉक: 2801

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 25V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 8A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 19.5 mOhm @ 7A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI7270DP-T1-GE3

भाग स्टॉक: 139888

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 8A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 21 mOhm @ 8A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.8V @ 250µA,

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SI1035X-T1-E3

भाग स्टॉक: 2711

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 180mA, 145mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 400mV @ 250µA (Min),

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SI5902DC-T1-E3

भाग स्टॉक: 2714

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2.9A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA (Min),

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SI6925ADQ-T1-E3

भाग स्टॉक: 2762

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 3.3A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.8V @ 250µA,

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SI7945DP-T1-E3

भाग स्टॉक: 2759

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 7A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 20 mOhm @ 10.9A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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SI6967DQ-T1-E3

भाग स्टॉक: 2864

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 8V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 30 mOhm @ 5A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 450mV @ 250µA (Min),

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SIA915DJ-T1-GE3

भाग स्टॉक: 188602

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4.5A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 87 mOhm @ 2.9A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

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SI1024X-T1-E3

भाग स्टॉक: 3329

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 485mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 900mV @ 250µA,

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SI1988DH-T1-E3

भाग स्टॉक: 3369

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1.3A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 168 mOhm @ 1.4A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI5980DU-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2827

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2.5A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 567 mOhm @ 400mA, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 250µA,

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SI7946DP-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2835

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 150V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2.1A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 150 mOhm @ 3.3A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SQ9945AEY-T1-E3

भाग स्टॉक: 2873

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 3.7A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 80 mOhm @ 3.7A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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SIZ920DT-T1-GE3

भाग स्टॉक: 87034

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 40A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 7.1 mOhm @ 18.9A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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SI5933CDC-T1-E3

भाग स्टॉक: 194649

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 3.7A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 144 mOhm @ 2.5A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

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SIA914DJ-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2803

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4.5A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI1967DH-T1-E3

भाग स्टॉक: 177519

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 1.3A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 490 mOhm @ 910mA, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI7218DN-T1-E3

भाग स्टॉक: 159065

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 24A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 25 mOhm @ 8A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SQJ914EP-T1_GE3

भाग स्टॉक: 2508

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 30A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 12 mOhm @ 4.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI5948DU-T1-GE3

भाग स्टॉक: 153924

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 82 mOhm @ 5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SIS990DN-T1-GE3

भाग स्टॉक: 178823

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 100V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 12.1A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 85 mOhm @ 8A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI7220DN-T1-E3

भाग स्टॉक: 82356

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 3.4A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 60 mOhm @ 4.8A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SQJ946EP-T1_GE3

भाग स्टॉक: 173017

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 15A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 33 mOhm @ 7A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SIS903DN-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2575

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 20.1 mOhm @ 5A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SIA921EDJ-T4-GE3

भाग स्टॉक: 178268

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4.5A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.4V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI5504BDC-T1-E3

भाग स्टॉक: 163999

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SIS932EDN-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2519

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 22 mOhm @ 10A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.4V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SQJB90EP-T1_GE3

भाग स्टॉक: 141525

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 80V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 30A (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 21.5 mOhm @ 10A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4564DY-T1-GE3

भाग स्टॉक: 118890

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 10A, 9.2A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 17.5 mOhm @ 8A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SQ4920EY-T1_GE3

भाग स्टॉक: 97887

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 8A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 14.5 mOhm @ 6A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI3993CDV-T1-GE3

भाग स्टॉक: 136053

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2.9A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 111 mOhm @ 2.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4559ADY-T1-GE3

भाग स्टॉक: 141946

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 5.3A, 3.9A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI3932DV-T1-GE3

भाग स्टॉक: 199469

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 3.7A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 58 mOhm @ 3.4A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

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SQ1912AEEH-T1_GE3

भाग स्टॉक: 2494

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 280 mOhm @ 1.2A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

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