ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - Arrays | असतत अर्धचालक उत्पाद | 18

SI4942DY-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2829

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 5.3A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 21 mOhm @ 7.4A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SI4622DY-T1-E3

भाग स्टॉक: 2830

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 8A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 16 mOhm @ 9.6A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SI5915BDC-T1-E3

भाग स्टॉक: 2830

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 8V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 70 mOhm @ 3.3A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SI4920DY-T1-GE3

भाग स्टॉक: 3373

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 25 mOhm @ 6.9A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA (Min),

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SI7530DP-T1-E3

भाग स्टॉक: 2779

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 3A, 3.2A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 75 mOhm @ 4.6A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SI4226DY-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2790

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 25V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 8A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 19.5 mOhm @ 7A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 250µA,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SI5903DC-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2802

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2.1A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 600mV @ 250µA (Min),

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Vishay Siliconix

SI5509DC-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2824

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6.1A, 4.8A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 52 mOhm @ 5A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 250µA,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SI4908DY-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2849

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 5A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 60 mOhm @ 4.1A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI6973DQ-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2819

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4.1A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 30 mOhm @ 4.8A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 450mV @ 250µA (Min),

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SI4972DY-T1-E3

भाग स्टॉक: 2770

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 10.8A, 7.2A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 14.5 mOhm @ 6A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI6967DQ-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2883

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 8V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 30 mOhm @ 5A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 450mV @ 250µA (Min),

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Vishay Siliconix

SIA921EDJ-T1-GE3

भाग स्टॉक: 107104

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4.5A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.4V @ 250µA,

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SIB911DK-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2759

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 2.6A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 295 mOhm @ 1.5A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4340CDY-T1-E3

भाग स्टॉक: 2692

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 14.1A, 20A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 9.4 mOhm @ 11.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI6966EDQ-T1-GE3

भाग स्टॉक: 3300

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 30 mOhm @ 5.2A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 600mV @ 250µA (Min),

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SI4563DY-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2834

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 8A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 16 mOhm @ 5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4944DY-T1-E3

भाग स्टॉक: 2773

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 9.3A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 9.5 mOhm @ 12.2A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा-सूची

Vishay Siliconix

SI1555DL-T1-E3

भाग स्टॉक: 3341

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, 8V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 660mA, 570mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 385 mOhm @ 660mA, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.4V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI1029X-T1-E3

भाग स्टॉक: 2706

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 60V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 305mA, 190mA, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4992EY-T1-GE3

भाग स्टॉक: 3302

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 75V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 3.6A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 48 mOhm @ 4.8A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4923DY-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2800

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6.2A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 21 mOhm @ 8.3A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4973DY-T1-E3

भाग स्टॉक: 2800

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 5.8A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 23 mOhm @ 7.6A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI7842DP-T1-E3

भाग स्टॉक: 2760

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6.3A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4340DY-T1-E3

भाग स्टॉक: 2736

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 7.3A, 9.9A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 12 mOhm @ 9.6A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI9926BDY-T1-E3

भाग स्टॉक: 2741

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6.2A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 20 mOhm @ 8.2A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI6981DQ-T1-E3

भाग स्टॉक: 2748

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 20V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4.1A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 31 mOhm @ 4.8A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 900mV @ 300µA,

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Vishay Siliconix

SI7925DN-T1-E3

भाग स्टॉक: 2813

एफईटी प्रकार: 2 P-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 12V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4.8A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 42 mOhm @ 6.5A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI6544BDQ-T1-E3

भाग स्टॉक: 2797

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 3.7A, 3.8A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 43 mOhm @ 3.8A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI7540DP-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2788

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 12V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 7.6A, 5.7A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4914DY-T1-E3

भाग स्टॉक: 2801

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 5.5A, 5.7A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 23 mOhm @ 7A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4906DY-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2837

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 40V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6.6A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 39 mOhm @ 5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI7842DP-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2811

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 6.3A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI7218DN-T1-GE3

भाग स्टॉक: 99158

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual), एफईटी फ़ीचर: Standard, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 30V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 24A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 25 mOhm @ 8A, 10V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SMMA511DJ-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2895

एफईटी प्रकार: N and P-Channel, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 12V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4.5A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI6924AEDQ-T1-GE3

भाग स्टॉक: 2794

एफईटी प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, एफईटी फ़ीचर: Logic Level Gate, ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss): 28V, करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 4.1A, आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 33 mOhm @ 4.6A, 4.5V, वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

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