डायोड - रेक्टीफायर्स - Arrays

घर
डायोड - रेक्टीफायर्स - Arrays

Vishay Semiconductor Diodes Division

60CTQ045

भाग स्टॉक: 3720

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 560mV @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

6CWQ10FNTRR

भाग स्टॉक: 3608

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 3.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 810mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

6CWQ10FNTRL

भाग स्टॉक: 3641

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 3.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 810mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

6CWQ06FNTRR

भाग स्टॉक: 3631

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 3.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 610mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

6CWQ06FNTRL

भाग स्टॉक: 3694

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 3.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 610mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

6CWQ04FNTRR

भाग स्टॉक: 3623

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 3.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 530mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

6CWQ03FNTRR

भाग स्टॉक: 3678

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 3.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 450mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

6CWQ04FNTRL

भाग स्टॉक: 3629

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 3.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 530mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

6CWQ03FNTRL

भाग स्टॉक: 3676

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 3.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 450mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

63CPQ100

भाग स्टॉक: 4403

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 770mV @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

6CWQ03FN

भाग स्टॉक: 3686

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 3.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 450mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

6CWQ10FNTR

भाग स्टॉक: 3604

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 3.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 810mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

6CWQ10FN

भाग स्टॉक: 3579

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 3.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 810mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

6CWQ06FNTR

भाग स्टॉक: 3588

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 3.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 610mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

6CWQ04FN

भाग स्टॉक: 3610

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 3.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 530mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

70CRU02

भाग स्टॉक: 3723

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.09V @ 35A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

72CPQ030

भाग स्टॉक: 3596

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 35A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 510mV @ 35A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ045ASM

भाग स्टॉक: 4436

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 740mV @ 80A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ045ASL

भाग स्टॉक: 4407

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 740mV @ 80A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ135APBF

भाग स्टॉक: 3731

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 135V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 990mV @ 40A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ150APBF

भाग स्टॉक: 3774

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 990mV @ 40A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ135ASL

भाग स्टॉक: 4425

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 135V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 990mV @ 40A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ135A

भाग स्टॉक: 3677

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 135V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 990mV @ 40A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ040A

भाग स्टॉक: 3658

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 520mV @ 40A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ040A

भाग स्टॉक: 3692

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 740mV @ 80A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ135ASM

भाग स्टॉक: 3651

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 135V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 990mV @ 40A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ045A

भाग स्टॉक: 3682

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 740mV @ 80A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ035A

भाग स्टॉक: 3643

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 520mV @ 40A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

83CNQ080A

भाग स्टॉक: 3661

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 80A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ035A

भाग स्टॉक: 3661

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 740mV @ 80A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ150ASL

भाग स्टॉक: 3663

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 990mV @ 40A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ150ASM

भाग स्टॉक: 3639

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 990mV @ 40A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

82CNQ030ASM

भाग स्टॉक: 3642

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 550mV @ 80A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

83CNQ100ASM

भाग स्टॉक: 3697

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 80A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

83CNQ100ASL

भाग स्टॉक: 3631

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 80A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

87CNQ020A

भाग स्टॉक: 3675

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 20V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 450mV @ 40A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

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