डायोड - रेक्टीफायर्स - Arrays | असतत अर्धचालक उत्पाद | 97

10CTQ150S

भाग स्टॉक: 3531

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 930mV @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

10CTQ150

भाग स्टॉक: 3546

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 930mV @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

20CTH03-1

भाग स्टॉक: 4530

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

20CTH03STRR

भाग स्टॉक: 4438

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

25CTQ035STRR

भाग स्टॉक: 4463

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 560mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

20CTQ035

भाग स्टॉक: 4444

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 640mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

203DMQ100PBF

भाग स्टॉक: 3688

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.03V @ 200A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

201CMQ045PBF

भाग स्टॉक: 3730

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 670mV @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

20CTQ150

भाग स्टॉक: 3678

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 880mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

20CTH03S

भाग स्टॉक: 3744

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

20CTH03FP

भाग स्टॉक: 3725

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

20CTH03

भाग स्टॉक: 4424

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

20CTH03STRL

भाग स्टॉक: 3736

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

20CTQ045-1

भाग स्टॉक: 3716

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 640mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

25CTQ045STRR

भाग स्टॉक: 3688

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 560mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

25CTQ045STRL

भाग स्टॉक: 3645

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 560mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

25CTQ035STRL

भाग स्टॉक: 3682

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 560mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

20CTQ045STRR

भाग स्टॉक: 3688

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 640mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

20CTQ045STRL

भाग स्टॉक: 3648

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 640mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

20CTQ035STRR

भाग स्टॉक: 3641

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 640mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

20CTQ035STRL

भाग स्टॉक: 3664

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 640mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

203CNQ100R

भाग स्टॉक: 3644

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 860mV @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

20CJQ030TR

भाग स्टॉक: 3695

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 500mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

203DNQ100

भाग स्टॉक: 3655

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 860mV @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

203DMQ100

भाग स्टॉक: 3658

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.03V @ 200A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

25CTQ035

भाग स्टॉक: 3643

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 560mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

20CTQ040

भाग स्टॉक: 3684

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 640mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

20CJQ100

भाग स्टॉक: 3649

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 790mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

20CJQ060

भाग स्टॉक: 3670

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 590mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

25CTQ035S

भाग स्टॉक: 3597

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 560mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

25CTQ045S

भाग स्टॉक: 3611

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 560mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

20CTQ045S

भाग स्टॉक: 3648

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 640mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

20CTQ035S

भाग स्टॉक: 4376

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 640mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

20CJQ045TR

भाग स्टॉक: 3627

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 540mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

20CJQ030

भाग स्टॉक: 3604

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 1A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 500mV @ 1A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची

Vishay Semiconductor Diodes Division

20CTQ045

भाग स्टॉक: 3540

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 640mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची