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डायोड - रेक्टीफायर्स - Arrays

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BYVB32-150HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-150HE3/45

भाग स्टॉक: 84464

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYVF32-150HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-150HE3/45

भाग स्टॉक: 84448

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYVF32-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-200HE3/45

भाग स्टॉक: 84465

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYVB32-50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-50HE3/45

भाग स्टॉक: 84388

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYVF32-50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-50HE3/45

भाग स्टॉक: 87228

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYVF32-100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-100-E3/45

भाग स्टॉक: 87144

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYVF32-150-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-150-E3/45

भाग स्टॉक: 87197

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYVF32-50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-50-E3/45

भाग स्टॉक: 87137

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYT28B-300HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28B-300HE3/81

भाग स्टॉक: 84901

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYT28B-400HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28B-400HE3/81

भाग स्टॉक: 84909

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYVB32-50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-50-E3/45

भाग स्टॉक: 88816

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYVB32-100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-100-E3/45

भाग स्टॉक: 88779

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYT28B-300-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28B-300-E3/81

भाग स्टॉक: 87379

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYT28B-400-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28B-400-E3/81

भाग स्टॉक: 87329

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYV32-50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV32-50-E3/45

भाग स्टॉक: 93642

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYV32-150-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV32-150-E3/45

भाग स्टॉक: 93652

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 18A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYT28F-400HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28F-400HE3/45

भाग स्टॉक: 95567

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYQ28EB-150HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28EB-150HE3/81

भाग स्टॉक: 94147

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYQ28EB-200HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28EB-200HE3/81

भाग स्टॉक: 94201

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYQ28EB-100HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28EB-100HE3/81

भाग स्टॉक: 94148

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYQ28EB-100-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28EB-100-E3/81

भाग स्टॉक: 99581

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYQ28EB-200-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28EB-200-E3/81

भाग स्टॉक: 99628

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYQ28EB-150-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28EB-150-E3/81

भाग स्टॉक: 99563

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYT28F-300HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28F-300HE3/45

भाग स्टॉक: 104917

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYT28F-400-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28F-400-E3/45

भाग स्टॉक: 104928

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYT28F-300-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28F-300-E3/45

भाग स्टॉक: 104927

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYT28B-400HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28B-400HE3/45

भाग स्टॉक: 107478

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYT28B-300HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28B-300HE3/45

भाग स्टॉक: 107542

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYQ28EB-100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28EB-100HE3/45

भाग स्टॉक: 119216

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYQ28EB-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28EB-200HE3/45

भाग स्टॉक: 119258

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYQ28EF-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28EF-200HE3/45

भाग स्टॉक: 119266

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYQ28EB-150HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28EB-150HE3/45

भाग स्टॉक: 119219

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYQ28EF-100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28EF-100-E3/45

भाग स्टॉक: 122173

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYQ28EF-100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28EF-100HE3/45

भाग स्टॉक: 122211

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYQ28EF-150HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28EF-150HE3/45

भाग स्टॉक: 122166

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
BYQ28EF-150-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28EF-150-E3/45

भाग स्टॉक: 122246

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची