ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 65M, डेटा इंटरफ़ेस: Serial LVDS, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 202mW @ 65MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 4, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 125M, डेटा इंटरफ़ेस: Serial LVDS, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 598mW @ 125MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 4, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 2M, डेटा इंटरफ़ेस: CMOS, LVDS, Serial, SPI, निवेश सीमा: 8Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 162mW @ 2MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 500k, डेटा इंटरफ़ेस: SPI, निवेश सीमा: 0 ~ VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 17mW @ 500kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 250k, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, Parallel, निवेश सीमा: ±4.096V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 95mW @ 250kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 65M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 205mW @ 65MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 80M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, Serial, SPI, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 161mW @ 80MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 3M, डेटा इंटरफ़ेस: SPI, निवेश सीमा: 0 ~ 2.5V,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 10, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 170M, डेटा इंटरफ़ेस: CMOS, LVDS, Parallel, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 1.045W @ 170MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 25M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 150mW @ 25MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 500k, डेटा इंटरफ़ेस: SPI, निवेश सीमा: ±4.096V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 27mW @ 500kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 20M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 161mW @ 20MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 60, डेटा इंटरफ़ेस: SPI, निवेश सीमा: 0 ~ VREF,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 65M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 1.5 ~ 2.25Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 610mW @ 65MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 80M, डेटा इंटरफ़ेस: CMOS, LVDS, Parallel, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 366mW @ 80MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 10, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 125M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 790mW @ 125MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 18, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 500k, डेटा इंटरफ़ेस: SPI, निवेश सीमा: ±VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 6.75mW @ 500kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 15, डेटा इंटरफ़ेस: MICROWIRE™, Serial, SPI™,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 40M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 235mW @ 40MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 125M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 315mW @ 125MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 4.2M, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: ±VREF/2, पावर (टाइप) @ शर्तें: 36mW @ 4.2MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 1M, डेटा इंटरफ़ेस: DSP, MICROWIRE™, QSPI™, Serial, SPI™, निवेश सीमा: 0 ~ 5V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 120mW @ 1MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 1.33M, डेटा इंटरफ़ेस: DSP, MICROWIRE™, QSPI™, Serial, SPI™, निवेश सीमा: 0 ~ VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 10.5mW @ 1.33MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 4, बिट्स की संख्या: 24, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 256k, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, SPI, निवेश सीमा: ±VREF,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 24, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 120, डेटा इंटरफ़ेस: MICROWIRE™, QSPI™, Serial, SPI™, निवेश सीमा: ±5V,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 24, डेटा इंटरफ़ेस: DSP, MICROWIRE™, QSPI™, Serial, SPI™,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 18, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 800k, डेटा इंटरफ़ेस: DSP, MICROWIRE™, Parallel, QSPI™, Serial, SPI™, निवेश सीमा: 0 ~ 5V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 126mW @ 800kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 1M, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, Parallel, निवेश सीमा: ±VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 115mW @ 1MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 24, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 250k, डेटा इंटरफ़ेस: SPI, DSP, निवेश सीमा: ±VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 105mW @ 250kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 8, बिट्स की संख्या: 24, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 32k, डेटा इंटरफ़ेस: SPI, निवेश सीमा: ±VREF/gain, पावर (टाइप) @ शर्तें: 117mW @ 32kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 24, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 470, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: ±VREF/gain, पावर (टाइप) @ शर्तें: 2.5mW @ 470SPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 123, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: ±VREF/128, पावर (टाइप) @ शर्तें: 1.6mW @ 123SPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 250k, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: ±VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 10.8mW @ 250kSPS, 5V,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 6, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 250k, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, Parallel, निवेश सीमा: ±4 x VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 140mW @ 250kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 24, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 1k, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: 0 ~ 3.3V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 3.65mW @ 3.3V,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 18, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 250k, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, Parallel, निवेश सीमा: ±4 x VREF,