ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 80M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 1.5 ~ 2.25Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 725mW @ 80MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 25M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 173mW @ 25MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 150M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, Serial, SPI, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 221mW @ 150MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 60, डेटा इंटरफ़ेस: SPI, निवेश सीमा: ±VREF/2,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 25M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 150mW @ 25MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 250, 1k, डेटा इंटरफ़ेस: SPI, निवेश सीमा: 0 ~ VREF,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 105M, डेटा इंटरफ़ेस: Serial LVDS, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 409mW @ 105MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 65M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 400mW @ 65MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 200k, डेटा इंटरफ़ेस: LVDS, Serial, SPI, निवेश सीमा: ±10.24V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 284mW @ 200kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 10, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 135M, डेटा इंटरफ़ेस: CMOS, LVDS, Parallel, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 630mW @ 135MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 20M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 218mW @ 20MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 24, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 8k, डेटा इंटरफ़ेस: MICROWIRE™, Serial, SPI™,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 8, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 125M, डेटा इंटरफ़ेस: Serial LVDS, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 1.224W @ 125MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 65M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 205mW @ 65MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 200k, डेटा इंटरफ़ेस: MICROWIRE™, Serial, SPI™,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 150M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 231mW @ 150MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 20M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 2.1Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 299mW @ 20MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 20, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 7.5, डेटा इंटरफ़ेस: MICROWIRE™, Serial, SPI™,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 3M, डेटा इंटरफ़ेस: MICROWIRE™, Serial, SPI™,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 10, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 80M, डेटा इंटरफ़ेस: CMOS, LVDS, Parallel, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 366mW @ 80MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 170M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, Serial, SPI, निवेश सीमा: 1.5Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 338mW @ 170MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 105M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 2.25Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 900mW @ 105MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 550k, निवेश सीमा: ±10.24V,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 10M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 120mW @ 10MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 1M, डेटा इंटरफ़ेस: DSP, MICROWIRE™, QSPI™, Serial, SPI™, निवेश सीमा: 0 ~ VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 12.5mW @ 1MSPS, 5V,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 24, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 31.25k, डेटा इंटरफ़ेस: DSP, MICROWIRE™, QSPI™, Serial, SPI™, निवेश सीमा: ±VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 16.6mW @ 31.25kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 18, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 200k, डेटा इंटरफ़ेस: DSP, MICROWIRE™, Parallel, QSPI™, Serial, SPI™, निवेश सीमा: ±10V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 100mW @ 200kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 500k, डेटा इंटरफ़ेस: DSP, MICROWIRE™, QSPI™, Serial, SPI™, निवेश सीमा: ±VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 15mW @ 500kSPS, 5V,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 18, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 250k, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: ±VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 1.35mW @ 100kSPS, 2.5V,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 24, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 15.1k, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: ±2.5V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 85mW @ 5V,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 300k, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, SPI, निवेश सीमा: ±10V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 71mW @ 300kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 500k, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: ±10V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 17mW @ 500kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 100k, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: ±10V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 100mW @ 100kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 24, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 128k, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: ±VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 15mW @ 128kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 24, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 250k, डेटा इंटरफ़ेस: DSP, MICROWIRE™, QSPI™, Serial, SPI™, निवेश सीमा: ±VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 42.5mW @ 250kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 8, बिट्स की संख्या: 18, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 200k, डेटा इंटरफ़ेस: DSP, MICROWIRE™, Parallel, QSPI™, Serial, SPI™, निवेश सीमा: ±10V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 100mW @ 200kSPS,
