ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 125M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 395mW @ 125MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 500k, डेटा इंटरफ़ेस: SPI, निवेश सीमा: 0 ~ VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 6.75mW @ 500kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 130M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 2.25Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 1.498W @ 130MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 10M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 1.5 ~ 2.25Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 140mW @ 10MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 2M, डेटा इंटरफ़ेस: SPI, निवेश सीमा: ±VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 19mW @ 2MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 125M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 790mW @ 125MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 2M, डेटा इंटरफ़ेस: CMOS, Serial, निवेश सीमा: 8Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 35mW @ 2MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 4 and 8, बिट्स की संख्या: 12, 14, 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 5M, 2M, 1.5M, डेटा इंटरफ़ेस: Serial,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 210M, डेटा इंटरफ़ेस: CMOS, LVDS, Parallel, निवेश सीमा: 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 710mW @ 210MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 4, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 25M, डेटा इंटरफ़ेस: Serial LVDS, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 216mW @ 25MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 65M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 400mW @ 65MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 160M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 1.5 ~ 2.25Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 1.785W @ 160MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 400k, डेटा इंटरफ़ेस: CMOS, LVDS, Serial, निवेश सीमा: ±4.096V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 106mW @ 400kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 20, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 1M, डेटा इंटरफ़ेस: SPI, निवेश सीमा: ±VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 21mW @ 1MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 100k, डेटा इंटरफ़ेस: MICROWIRE™, Serial, SPI™,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 24, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 1M, डेटा इंटरफ़ेस: SPI, निवेश सीमा: 0 ~ VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 21mW @ 1MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 170M, डेटा इंटरफ़ेस: JESD204B, Serial, निवेश सीमा: 1.5Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 751mW @ 170MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 18, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 1M, डेटा इंटरफ़ेस: SPI, निवेश सीमा: ±VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 13.5mW @ 1MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 105M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 187mW @ 105MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 250k, डेटा इंटरफ़ेस: SPI, निवेश सीमा: 0 ~ VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 3.4mW @ 250kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 10, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 105M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 320mW @ 105MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 80M, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: 1.5 ~ 2.25Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 1.1W @ 80MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 1M, डेटा इंटरफ़ेस: SPI, निवेश सीमा: 0 ~ VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 13.5mW @ 1MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 4, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 125M, डेटा इंटरफ़ेस: Serial LVDS, निवेश सीमा: 220mVpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 1.31W @ 125MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 60, डेटा इंटरफ़ेस: I²C, Serial, निवेश सीमा: ±1.25V,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 18, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 1M, डेटा इंटरफ़ेस: SPI, निवेश सीमा: ±10.24V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 50mW @ 1MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 25M, डेटा इंटरफ़ेस: Serial LVDS, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 124mW @ 25MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 20, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 470, डेटा इंटरफ़ेस: SPI, निवेश सीमा: ±5V,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 100k, डेटा इंटरफ़ेस: DSP, MICROWIRE™, Parallel, QSPI™, Serial, SPI™, निवेश सीमा: 0 ~ 2.5V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 16mW @ 100kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 500, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: 0 ~ 5.25V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 6.5mW @ 500SPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 24, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 123, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: ±VREF/128, पावर (टाइप) @ शर्तें: 1.6mW @ 123SPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 10, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 188k, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: 0 ~ 5.5V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 7.7mW @ 188kSPS, 5.5V,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 18, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 1.33M, डेटा इंटरफ़ेस: DSP, MICROWIRE™, QSPI™, Serial, SPI™, निवेश सीमा: ±10V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 10.5mW @ 1.33MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 4, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 1G, डेटा इंटरफ़ेस: LVDS, Serial, SPI, निवेश सीमा: 2Vpp,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 10M, डेटा इंटरफ़ेस: LVDS, Serial, निवेश सीमा: ±4.096V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 136mW @ 10MSPS,
