ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 10, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 210M, डेटा इंटरफ़ेस: CMOS, LVDS, Parallel, निवेश सीमा: 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 710mW @ 210MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 6.8, डेटा इंटरफ़ेस: MICROWIRE™, Serial, SPI™,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 60, डेटा इंटरफ़ेस: SPI, निवेश सीमा: ±VREF,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 18, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 500k, डेटा इंटरफ़ेस: SPI, निवेश सीमा: ±VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 6.8mW @ 500kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 65M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 1.5 ~ 2.25Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 610mW @ 65MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 2M, डेटा इंटरफ़ेस: SPI, निवेश सीमा: 0 ~ VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 19mW @ 2MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 14k, डेटा इंटरफ़ेस: I²C, Serial, पावर (टाइप) @ शर्तें: 1.5mW @ 1kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 250M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, Serial, SPI, निवेश सीमा: 1.5Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 706mW @ 250MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 1M, डेटा इंटरफ़ेस: SPI, निवेश सीमा: ±10.24V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 72.5mW @ 1MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 170M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, Serial, SPI, निवेश सीमा: 1.5Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 596mW @ 170MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 40M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 120mW @ 40MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 500k, डेटा इंटरफ़ेस: MICROWIRE™, Serial, SPI™,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 135M, डेटा इंटरफ़ेस: CMOS, LVDS, Parallel, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 828mW @ 135MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 25M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 47mW @ 25MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 310M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, Serial, SPI, निवेश सीमा: 400mVpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 777mW @ 310MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 666k, डेटा इंटरफ़ेस: CMOS, LVDS, Serial, निवेश सीमा: ±4.096V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 97mW @ 666kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 10, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 135M, डेटा इंटरफ़ेस: CMOS, LVDS, Parallel, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 630mW @ 135MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 18, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 1.6M, डेटा इंटरफ़ेस: SPI, निवेश सीमा: ±VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 18mW @ 1.6MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 40M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, Serial, SPI, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 121.1mW @ 40MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 10, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 80M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, निवेश सीमा: 1 ~ 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 422mW @ 80MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 250M, डेटा इंटरफ़ेस: Parallel, Serial, SPI, निवेश सीमा: 1.5Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 380mW @ 250MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, डेटा इंटरफ़ेस: LVDS, निवेश सीमा: ±320mV,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 200k, डेटा इंटरफ़ेस: DSP, MICROWIRE™, Parallel, QSPI™, Serial, SPI™, निवेश सीमा: ±10V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 75mW @ 200kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 24, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 156k, डेटा इंटरफ़ेस: SPI, निवेश सीमा: ±3.2768V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 300mW @ 156kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 24, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 32k, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: ±VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 8.5mW @ 32kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 8, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 80M, डेटा इंटरफ़ेस: LVDS - Serial, निवेश सीमा: 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 470mW @ 80MSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 24, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 19.2k, डेटा इंटरफ़ेस: DSP, MICROWIRE™, QSPI™, Serial, SPI™, निवेश सीमा: ±VREF/gain,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 24, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 128k, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: ±VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 15mW @ 128kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 39K, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: ±250mV, पावर (टाइप) @ शर्तें: 209mW @ 39kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 14, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 200k, डेटा इंटरफ़ेस: DSP, MICROWIRE™, Parallel, QSPI™, Serial, SPI™, निवेश सीमा: ±10V, पावर (टाइप) @ शर्तें: 100mW @ 200kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 24, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 625k, डेटा इंटरफ़ेस: SPI, निवेश सीमा: ±3.25Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 955.5mW @ 625kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 500k, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, Parallel, निवेश सीमा: ±VREF, पावर (टाइप) @ शर्तें: 67mW @ 500kSPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 18, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 670k, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, Parallel, निवेश सीमा: ±4 x VREF,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 16, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 470, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: ±VREF/gain, पावर (टाइप) @ शर्तें: 2.5mW @ 470SPS,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 1, बिट्स की संख्या: 12, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 1M, डेटा इंटरफ़ेस: DSP, Serial, SPI™,
ए/डी कन्वर्टर्स की संख्या: 2, बिट्स की संख्या: 16, 24, नमूनाकरण दर (प्रति सेकंड): 105, डेटा इंटरफ़ेस: Serial, निवेश सीमा: 2Vpp, पावर (टाइप) @ शर्तें: 4.85mW @ 105SPS,
