ट्रांजिस्टर - बाइपोलर (BJT) - सिंगल, प्री-बायस्ड

घर
ट्रांजिस्टर - बाइपोलर (BJT) - सिंगल, प्री-बायस्ड

DTC123ECAHZGT116

Rohm Semiconductor

DTC123ECAHZGT116

भाग स्टॉक: 24337

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased + Diode, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 2.2 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

इच्छा-सूची

Rohm Semiconductor

DTA114TUAT106

भाग स्टॉक: 183739

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

इच्छा-सूची

Rohm Semiconductor

DTC123TKAT146

भाग स्टॉक: 158912

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

इच्छा-सूची

Rohm Semiconductor

DTA143EEBHZGTL

भाग स्टॉक: 9929

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची

Rohm Semiconductor

DTC343TKT146

भाग स्टॉक: 107675

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

इच्छा-सूची

Rohm Semiconductor

DTA144EMFHAT2L

भाग स्टॉक: 21676

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC023YUBTL

भाग स्टॉक: 168392

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

DTC043EUBTL

भाग स्टॉक: 135453

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

DTA123EUAT106

भाग स्टॉक: 177378

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 2.2 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

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DTC143XCAHZGT116

Rohm Semiconductor

DTC143XCAHZGT116

भाग स्टॉक: 16286

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased + Diode, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC015EEBTL

भाग स्टॉक: 107532

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 100 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 100 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

DTB114GKT146

भाग स्टॉक: 168234

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC143XUAT106

भाग स्टॉक: 114463

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA143ZKAT146

भाग स्टॉक: 123299

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC144VKAT146

भाग स्टॉक: 164888

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची

Rohm Semiconductor

DTA114EETL

भाग स्टॉक: 192516

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA123YKAT146

भाग स्टॉक: 115793

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC143XMFHAT2L

भाग स्टॉक: 21633

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased + Diode, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची

Rohm Semiconductor

DTA115ECAT116

भाग स्टॉक: 177500

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 100 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 100 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची

Rohm Semiconductor

DTC114YUAT106

भाग स्टॉक: 195367

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 70mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC114YUBHZGTL

भाग स्टॉक: 9901

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased + Diode, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA124EKAT146

भाग स्टॉक: 112633

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 22 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची

Rohm Semiconductor

DTC124XMFHAT2L

भाग स्टॉक: 21632

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased + Diode, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC124EMT2L

भाग स्टॉक: 149498

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 22 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची

Rohm Semiconductor

DTC323TKT146

भाग स्टॉक: 112534

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

इच्छा-सूची

DTA143TCAHZGT116

Rohm Semiconductor

DTA143TCAHZGT116

भाग स्टॉक: 9901

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

इच्छा-सूची

Rohm Semiconductor

DTC114YUBTL

भाग स्टॉक: 162062

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 70mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची

Rohm Semiconductor

DTC143EUBHZGTL

भाग स्टॉक: 9958

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased + Diode, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची

Rohm Semiconductor

DTC014EUBTL

भाग स्टॉक: 155818

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

DTD123ECT116

भाग स्टॉक: 147929

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 2.2 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V,

इच्छा-सूची

Rohm Semiconductor

DTC123JUAT106

भाग स्टॉक: 179769

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची

Rohm Semiconductor

DTC113ZUAT106

भाग स्टॉक: 194809

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 1 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V,

इच्छा-सूची

Rohm Semiconductor

DTC143XCAT116

भाग स्टॉक: 171920

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

इच्छा-सूची

Rohm Semiconductor

DTC013ZEBTL

भाग स्टॉक: 122933

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 1 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

DTC363EUT106

भाग स्टॉक: 2179

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V, रोकनेवाला - आधार (R1): 6.8 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 6.8 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA143EUBHZGTL

भाग स्टॉक: 16260

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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