ट्रांजिस्टर - बाइपोलर (BJT) - सिंगल, प्री-बायस्ड | असतत अर्धचालक उत्पाद | 16

DTC124ECAHZGT116

भाग स्टॉक: 123

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased + Diode, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 22 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC124EU3T106

भाग स्टॉक: 63

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased + Diode, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 22 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC023EMT2L

भाग स्टॉक: 143332

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 2.2 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

DTC114YMT2L

भाग स्टॉक: 101222

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 70mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC123JETL

भाग स्टॉक: 199453

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC143ECAT116

भाग स्टॉक: 167420

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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DTC124XEFRATL

भाग स्टॉक: 69

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased + Diode, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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DTA143TMT2L

भाग स्टॉक: 104749

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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DTA013ZUBTL

भाग स्टॉक: 181648

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 1 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

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DTD113ECHZGT116

भाग स्टॉक: 113

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased + Diode, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, रोकनेवाला - आधार (R1): 1 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 1 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

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DTD113ECT116

भाग स्टॉक: 100985

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 1 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 1 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

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DTA123JCAT116

भाग स्टॉक: 103671

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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DTA115EMT2L

भाग स्टॉक: 111770

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 100 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 100 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC023JMT2L

भाग स्टॉक: 109540

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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DTC015EUBTL

भाग स्टॉक: 162811

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 100 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 100 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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DTC923TUBTL

भाग स्टॉक: 157543

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 400mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC124XMT2L

भाग स्टॉक: 100919

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA144GUAT106

भाग स्टॉक: 182490

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTB123YKT146

भाग स्टॉक: 199309

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA143ZCAT116

भाग स्टॉक: 107740

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA143ECAT116

भाग स्टॉक: 120659

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA144EU3T106

भाग स्टॉक: 54

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased + Diode, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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DTA024EMT2L

भाग स्टॉक: 136823

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 22 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

DTB123YCHZGT116

भाग स्टॉक: 135

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased + Diode, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA114YKAT146

भाग स्टॉक: 125826

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA143EMT2L

भाग स्टॉक: 141367

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA114YCAT116

भाग स्टॉक: 185770

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC144GUAT106

भाग स्टॉक: 191385

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC124XCAHZGT116

भाग स्टॉक: 66

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased + Diode, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA123JMT2L

भाग स्टॉक: 161293

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC124TMT2L

भाग स्टॉक: 187509

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC014TUBTL

भाग स्टॉक: 164311

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

DTD523YETL

भाग स्टॉक: 136937

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 12V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

DTC144EMT2L

भाग स्टॉक: 197378

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA124XEFRATL

भाग स्टॉक: 103

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA014EMT2L

भाग स्टॉक: 158404

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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