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ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - एकल

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  • ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - एकल
2SC4102T106R
Rohm Semiconductor

2SC4102T106R

भाग स्टॉक: 122102

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 500nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V,

इच्छा-सूची
2SB1561T100Q
Rohm Semiconductor

2SB1561T100Q

भाग स्टॉक: 164630

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 350mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SB1733TL
Rohm Semiconductor

2SB1733TL

भाग स्टॉक: 178752

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 350mV @ 25mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SCR375P5T100R
Rohm Semiconductor

2SCR375P5T100R

भाग स्टॉक: 131612

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1.5A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 80mA, 800mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 5V,

इच्छा-सूची
2SD1383KT146B
Rohm Semiconductor

2SD1383KT146B

भाग स्टॉक: 149824

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 300mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 32V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 400µA, 200mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 5000 @ 100mA, 5V,

इच्छा-सूची
2SC5658T2LR
Rohm Semiconductor

2SC5658T2LR

भाग स्टॉक: 141770

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

इच्छा-सूची
2SAR533PFRAT100
Rohm Semiconductor

2SAR533PFRAT100

भाग स्टॉक: 58

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 3V,

इच्छा-सूची
2SA1576U3T106Q
Rohm Semiconductor

2SA1576U3T106Q

भाग स्टॉक: 103

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

इच्छा-सूची
2SC4725TLP
Rohm Semiconductor

2SC4725TLP

भाग स्टॉक: 134728

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 4mA, 20mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 500nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V,

इच्छा-सूची
2SCR346PT100P
Rohm Semiconductor

2SCR346PT100P

भाग स्टॉक: 184111

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 400V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 2mA, 20mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V,

इच्छा-सूची
2SC5585TL
Rohm Semiconductor

2SC5585TL

भाग स्टॉक: 148835

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 12V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 200mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SCR293PFRAT100
Rohm Semiconductor

2SCR293PFRAT100

भाग स्टॉक: 91

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 350mV @ 25mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SD2114KT146V
Rohm Semiconductor

2SD2114KT146V

भाग स्टॉक: 160091

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 20mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 500nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 3V,

इच्छा-सूची
2SCR514PFRAT100
Rohm Semiconductor

2SCR514PFRAT100

भाग स्टॉक: 94

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 700mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 15mA, 300mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

इच्छा-सूची
2SAR523UBTL
Rohm Semiconductor

2SAR523UBTL

भाग स्टॉक: 168051

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

इच्छा-सूची
2SC4081U3T106Q
Rohm Semiconductor

2SC4081U3T106Q

भाग स्टॉक: 124

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

इच्छा-सूची
2SD2707T2LV
Rohm Semiconductor

2SD2707T2LV

भाग स्टॉक: 111999

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 300nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V,

इच्छा-सूची
2SA1576U3T106R
Rohm Semiconductor

2SA1576U3T106R

भाग स्टॉक: 50

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

इच्छा-सूची
2SD2351T106W
Rohm Semiconductor

2SD2351T106W

भाग स्टॉक: 170644

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 300nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V,

इच्छा-सूची
2SA1514KT146R
Rohm Semiconductor

2SA1514KT146R

भाग स्टॉक: 182444

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 500nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V,

इच्छा-सूची
2SC5824T100R
Rohm Semiconductor

2SC5824T100R

भाग स्टॉक: 125000

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 200mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SCR542PT100
Rohm Semiconductor

2SCR542PT100

भाग स्टॉक: 181991

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 5A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 100mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SAR553P5T100
Rohm Semiconductor

2SAR553P5T100

भाग स्टॉक: 111299

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 35mA, 700mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SC4102T106S
Rohm Semiconductor

2SC4102T106S

भाग स्टॉक: 142960

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 500nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V,

इच्छा-सूची
2SAR293P5T100
Rohm Semiconductor

2SAR293P5T100

भाग स्टॉक: 121004

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 350mV @ 25mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SB1731TL
Rohm Semiconductor

2SB1731TL

भाग स्टॉक: 178205

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1.5A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 370mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SD2226KT146W
Rohm Semiconductor

2SD2226KT146W

भाग स्टॉक: 170942

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 300nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V,

इच्छा-सूची
2SA1579T106S
Rohm Semiconductor

2SA1579T106S

भाग स्टॉक: 174437

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 500nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V,

इच्छा-सूची
2SD2702TL
Rohm Semiconductor

2SD2702TL

भाग स्टॉक: 197914

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1.5A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 12V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 200mV @ 25mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SAR514PFRAT100
Rohm Semiconductor

2SAR514PFRAT100

भाग स्टॉक: 89

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 700mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 15mA, 300mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

इच्छा-सूची
2SC4081U3T106S
Rohm Semiconductor

2SC4081U3T106S

भाग स्टॉक: 50

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

इच्छा-सूची
2SD2656FRAT106
Rohm Semiconductor

2SD2656FRAT106

भाग स्टॉक: 80

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 350mV @ 25mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SC4081U3T106R
Rohm Semiconductor

2SC4081U3T106R

भाग स्टॉक: 117

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

इच्छा-सूची
2SA2018TL
Rohm Semiconductor

2SA2018TL

भाग स्टॉक: 128169

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 12V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 200mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V,

इच्छा-सूची
2SCR514P5T100
Rohm Semiconductor

2SCR514P5T100

भाग स्टॉक: 182767

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 700mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 15mA, 300mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

इच्छा-सूची
2SD2654TLW
Rohm Semiconductor

2SD2654TLW

भाग स्टॉक: 134178

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 300nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V,

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