ट्रांजिस्टर - बाइपोलर (BJT) - सिंगल, प्री-बायस्ड | असतत अर्धचालक उत्पाद | 16

DTA124TETL

भाग स्टॉक: 140040

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC114EETL

भाग स्टॉक: 137334

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC323TUT106

भाग स्टॉक: 1832

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA144GKAT146

भाग स्टॉक: 158896

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC144EUBTL

भाग स्टॉक: 135212

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTD743XMT2L

भाग स्टॉक: 101477

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

DTA124EUBTL

भाग स्टॉक: 186192

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 22 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA043EEBTL

भाग स्टॉक: 123580

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

DTC114EUBHZGTL

भाग स्टॉक: 1778

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased + Diode, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA144EUBTL

भाग स्टॉक: 190368

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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DTC124XETL

भाग स्टॉक: 191445

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC144EEBHZGTL

भाग स्टॉक: 1774

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased + Diode, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA114EUBHZGTL

भाग स्टॉक: 1781

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC363EKT146

भाग स्टॉक: 166996

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V, रोकनेवाला - आधार (R1): 6.8 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 6.8 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTB743XETL

भाग स्टॉक: 175064

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

DTC114EUBTL

भाग स्टॉक: 181223

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTD122JKT146

भाग स्टॉक: 124520

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 220 Ohms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC125TKAT146

भाग स्टॉक: 178751

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 200 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC144EUBHZGTL

भाग स्टॉक: 1734

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased + Diode, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, रोकनेवाला - आधार (R1): 47 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA123JEBTL

भाग स्टॉक: 186032

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTB723YMT2L

भाग स्टॉक: 179617

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

DTA043TEBTL

भाग स्टॉक: 177480

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

DTA124TKAT146

भाग स्टॉक: 124123

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 22 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTD123TKT146

भाग स्टॉक: 168635

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTD743EETL

भाग स्टॉक: 130069

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

DTA123JUBHZGTL

भाग स्टॉक: 1793

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTB713ZETL

भाग स्टॉक: 180256

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, रोकनेवाला - आधार (R1): 1 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

DTA014EEBTL

भाग स्टॉक: 148623

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 10 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

DTA143EUAT106

भाग स्टॉक: 139888

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC143XEBHZGTL

भाग स्टॉक: 1750

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased + Diode, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTB143TKT146

भाग स्टॉक: 172260

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTB743XMT2L

भाग स्टॉक: 184829

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 10 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

DTA123JKAT246

भाग स्टॉक: 131497

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 2.2 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTA143TUAT106

भाग स्टॉक: 124371

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTC143EUBTL

भाग स्टॉक: 113594

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTB743ZETL

भाग स्टॉक: 129453

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, रोकनेवाला - आधार (R1): 4.7 kOhms, रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): 47 kOhms, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

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