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ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - एकल

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  • ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - एकल
SMMBT6521LT1G
ON Semiconductor

SMMBT6521LT1G

भाग स्टॉक: 113081

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 500nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 300 @ 2mA, 10V,

इच्छा-सूची
NSVBC857BLT3G
ON Semiconductor

NSVBC857BLT3G

भाग स्टॉक: 193265

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 650mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
NJVMJD210T4G
ON Semiconductor

NJVMJD210T4G

भाग स्टॉक: 138380

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 5A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.8V @ 1A, 5A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V,

इच्छा-सूची
NSVMMBT6520LT1G
ON Semiconductor

NSVMMBT6520LT1G

भाग स्टॉक: 120062

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 350V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 5mA, 50mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V,

इच्छा-सूची
NSS35200CF8T1G
ON Semiconductor

NSS35200CF8T1G

भाग स्टॉक: 184207

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 20mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V,

इच्छा-सूची
PZTA64
ON Semiconductor

PZTA64

भाग स्टॉक: 167667

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1.2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 100µA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

इच्छा-सूची
SBCP68T1G
ON Semiconductor

SBCP68T1G

भाग स्टॉक: 185720

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 100mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

इच्छा-सूची
NSV1C301ET4G-VF01
ON Semiconductor

NSV1C301ET4G-VF01

भाग स्टॉक: 171019

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 300mA, 3A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V,

इच्छा-सूची
NJVMJB45H11T4G
ON Semiconductor

NJVMJB45H11T4G

भाग स्टॉक: 78939

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 10A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 400mA, 8A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

इच्छा-सूची
NST846BF3T5G
ON Semiconductor

NST846BF3T5G

भाग स्टॉक: 138127

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 65V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
KSP05TA
ON Semiconductor

KSP05TA

भाग स्टॉक: 122978

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V,

इच्छा-सूची
KSA1281YTA
ON Semiconductor

KSA1281YTA

भाग स्टॉक: 152676

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची
NSV60601MZ4T1G
ON Semiconductor

NSV60601MZ4T1G

भाग स्टॉक: 163510

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 6A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 600mA, 6A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V,

इच्छा-सूची
MCH3245-TL-E
ON Semiconductor

MCH3245-TL-E

भाग स्टॉक: 138360

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 260mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

इच्छा-सूची
NJVMJD32CG
ON Semiconductor

NJVMJD32CG

भाग स्टॉक: 100994

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.2V @ 375mA, 3A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

इच्छा-सूची
NJVMJD31CRLG
ON Semiconductor

NJVMJD31CRLG

भाग स्टॉक: 134493

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.2V @ 375mA, 3A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

इच्छा-सूची
MMJT350T1G
ON Semiconductor

MMJT350T1G

भाग स्टॉक: 178452

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 300V, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

इच्छा-सूची
TIP42AG
ON Semiconductor

TIP42AG

भाग स्टॉक: 107722

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 6A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 600mA, 6A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 700µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

इच्छा-सूची
TIP3055G
ON Semiconductor

TIP3055G

भाग स्टॉक: 43342

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 15A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 3V @ 3.3A, 10A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 700µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

इच्छा-सूची
FJD5553TM
ON Semiconductor

FJD5553TM

भाग स्टॉक: 125206

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 400V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 200mA, 1A, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 400mA, 3V,

इच्छा-सूची
CPH3121-TL-E
ON Semiconductor

CPH3121-TL-E

भाग स्टॉक: 153522

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 12V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 165mV @ 30mA, 1.5A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची
KSH47TF
ON Semiconductor

KSH47TF

भाग स्टॉक: 111443

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 250V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 200mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 200µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

इच्छा-सूची
MJE15028G
ON Semiconductor

MJE15028G

भाग स्टॉक: 68517

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 8A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 100mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V,

इच्छा-सूची
NSV40501UW3T2G
ON Semiconductor

NSV40501UW3T2G

भाग स्टॉक: 198771

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 5A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 150mV @ 400mA, 4A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V,

इच्छा-सूची
KSC1008GTA
ON Semiconductor

KSC1008GTA

भाग स्टॉक: 166070

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 700mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची
NJVMJD32T4G
ON Semiconductor

NJVMJD32T4G

भाग स्टॉक: 152387

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.2V @ 375mA, 3A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

इच्छा-सूची
SS8550CTA
ON Semiconductor

SS8550CTA

भाग स्टॉक: 196989

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1.5A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 80mA, 800mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

इच्छा-सूची
KSA733CYTA
ON Semiconductor

KSA733CYTA

भाग स्टॉक: 157709

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

इच्छा-सूची
KSA1381ESTU
ON Semiconductor

KSA1381ESTU

भाग स्टॉक: 133191

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 300V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 2mA, 20mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V,

इच्छा-सूची
NSVBC847BTT1G
ON Semiconductor

NSVBC847BTT1G

भाग स्टॉक: 133882

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
NSS60601MZ4T3G
ON Semiconductor

NSS60601MZ4T3G

भाग स्टॉक: 171535

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 6A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 600mA, 6A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V,

इच्छा-सूची
SBC807-25LT3G
ON Semiconductor

SBC807-25LT3G

भाग स्टॉक: 128578

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 700mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

इच्छा-सूची
SMMBTA56LT3G
ON Semiconductor

SMMBTA56LT3G

भाग स्टॉक: 123248

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

इच्छा-सूची
PZTA29
ON Semiconductor

PZTA29

भाग स्टॉक: 124083

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 100µA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

इच्छा-सूची
KSH31CTF
ON Semiconductor

KSH31CTF

भाग स्टॉक: 121906

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.2V @ 375mA, 3A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

इच्छा-सूची
NSV40201LT1G
ON Semiconductor

NSV40201LT1G

भाग स्टॉक: 132151

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 115mV @ 200mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची