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ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - एकल

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  • ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (BJT) - एकल
NJD1718T4G
ON Semiconductor

NJD1718T4G

भाग स्टॉक: 130699

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची
NJVNJD35N04T4G
ON Semiconductor

NJVNJD35N04T4G

भाग स्टॉक: 106745

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 4A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 350V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 20mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

इच्छा-सूची
FJX1182YTF
ON Semiconductor

FJX1182YTF

भाग स्टॉक: 117438

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

इच्छा-सूची
FZT3019
ON Semiconductor

FZT3019

भाग स्टॉक: 120329

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

इच्छा-सूची
MJD32T4G
ON Semiconductor

MJD32T4G

भाग स्टॉक: 105821

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.2V @ 375mA, 3A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

इच्छा-सूची
MCH3145-TL-E
ON Semiconductor

MCH3145-TL-E

भाग स्टॉक: 153395

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 330mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

इच्छा-सूची
KSH44H11TF
ON Semiconductor

KSH44H11TF

भाग स्टॉक: 197206

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 8A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 400mA, 8A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

इच्छा-सूची
NJVMJD350T4G
ON Semiconductor

NJVMJD350T4G

भाग स्टॉक: 135300

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 300V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

इच्छा-सूची
MMBTA56LT1G
ON Semiconductor

MMBTA56LT1G

भाग स्टॉक: 145900

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

इच्छा-सूची
NJV4031NT1G
ON Semiconductor

NJV4031NT1G

भाग स्टॉक: 184303

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 300mV @ 300mA, 3A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V,

इच्छा-सूची
KSH42CTF
ON Semiconductor

KSH42CTF

भाग स्टॉक: 191674

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 6A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 600mA, 6A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

इच्छा-सूची
MJ11021G
ON Semiconductor

MJ11021G

भाग स्टॉक: 10533

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 15A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 250V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 3.4V @ 150mA, 15A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V,

इच्छा-सूची
MJD200T4G
ON Semiconductor

MJD200T4G

भाग स्टॉक: 123189

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 5A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 25V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.8V @ 1A, 5A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V,

इच्छा-सूची
FSB560
ON Semiconductor

FSB560

भाग स्टॉक: 104131

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 350mV @ 200mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची
SMMBT2222ALT1G
ON Semiconductor

SMMBT2222ALT1G

भाग स्टॉक: 177340

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 600mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

इच्छा-सूची
CPH3116-TL-E
ON Semiconductor

CPH3116-TL-E

भाग स्टॉक: 169101

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 430mV @ 10mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

इच्छा-सूची
NSV12200LT1G
ON Semiconductor

NSV12200LT1G

भाग स्टॉक: 148051

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 12V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 180mV @ 200mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची
CPH3215-TL-H
ON Semiconductor

CPH3215-TL-H

भाग स्टॉक: 146816

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1.5A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 225mV @ 15mA, 750mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

इच्छा-सूची
NSV20200LT1G
ON Semiconductor

NSV20200LT1G

भाग स्टॉक: 195524

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 180mV @ 200mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची
MMBTA05LT3G
ON Semiconductor

MMBTA05LT3G

भाग स्टॉक: 126347

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

इच्छा-सूची
SMMBTA14LT3G
ON Semiconductor

SMMBTA14LT3G

भाग स्टॉक: 169566

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 300mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 100µA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

इच्छा-सूची
NSS30070MR6T1G
ON Semiconductor

NSS30070MR6T1G

भाग स्टॉक: 140385

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 700mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 70mA, 700mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V,

इच्छा-सूची
NJVMJD6039T4G
ON Semiconductor

NJVMJD6039T4G

भाग स्टॉक: 186124

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 4A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 2.5V @ 8mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V,

इच्छा-सूची
NSS40301MZ4T3G
ON Semiconductor

NSS40301MZ4T3G

भाग स्टॉक: 199286

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 40V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 200mV @ 300mA, 3A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V,

इच्छा-सूची
MJD44E3T4G
ON Semiconductor

MJD44E3T4G

भाग स्टॉक: 193525

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 10A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 2V @ 20mA, 10A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V,

इच्छा-सूची
NSV1C201LT1G
ON Semiconductor

NSV1C201LT1G

भाग स्टॉक: 133818

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 150mV @ 200mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची
MJE253G
ON Semiconductor

MJE253G

भाग स्टॉक: 124125

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 4A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 100mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V,

इच्छा-सूची
MJD32CTM
ON Semiconductor

MJD32CTM

भाग स्टॉक: 119171

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.2V @ 375mA, 3A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

इच्छा-सूची
NSS20200LT1G
ON Semiconductor

NSS20200LT1G

भाग स्टॉक: 118980

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 180mV @ 200mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V,

इच्छा-सूची
KSB772YSTU
ON Semiconductor

KSB772YSTU

भाग स्टॉक: 155810

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 200mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V,

इच्छा-सूची
TIP147TU
ON Semiconductor

TIP147TU

भाग स्टॉक: 44949

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP - Darlington, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 10A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 3V @ 40mA, 10A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 2mA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

इच्छा-सूची
SMMBTA06LT3G
ON Semiconductor

SMMBTA06LT3G

भाग स्टॉक: 191074

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 250mV @ 10mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

इच्छा-सूची
NJVMJD2955T4G
ON Semiconductor

NJVMJD2955T4G

भाग स्टॉक: 137048

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 10A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 8V @ 3.3A, 10A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

इच्छा-सूची
NSVBC850CLT1G
ON Semiconductor

NSVBC850CLT1G

भाग स्टॉक: 177948

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 45V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 5mA, 100mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 15nA (ICBO), डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

इच्छा-सूची
KSH29CTF
ON Semiconductor

KSH29CTF

भाग स्टॉक: 112933

ट्रांजिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 700mV @ 125mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 50µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V,

इच्छा-सूची
MJE15029G
ON Semiconductor

MJE15029G

भाग स्टॉक: 48553

ट्रांजिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 8A, वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 100mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100µA, डीसी करंट गेन (hFE) (न्यूनतम) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V,

इच्छा-सूची