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Optoisolators - ट्रांजिस्टर, फोटोवोल्टिक आउटपुट Ou

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FODM121BR2V
ON Semiconductor

FODM121BR2V

भाग स्टॉक: 5697

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 3750Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 50% @ 5mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 150% @ 5mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 3µs, 3µs,

इच्छा-सूची
MCT271M
ON Semiconductor

MCT271M

भाग स्टॉक: 5629

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 7500Vpk, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 45% @ 10mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 90% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 1µs, 48µs,

इच्छा-सूची
FOD2743AT
ON Semiconductor

FOD2743AT

भाग स्टॉक: 5565

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 50% @ 1mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 100% @ 1mA,

इच्छा-सूची
H11A5100
ON Semiconductor

H11A5100

भाग स्टॉक: 5618

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 30% @ 10mA,

इच्छा-सूची
H11A5TVM
ON Semiconductor

H11A5TVM

भाग स्टॉक: 5676

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 7500Vpk, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 30% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 2µs, 2µs,

इच्छा-सूची
FOD2743CSV
ON Semiconductor

FOD2743CSV

भाग स्टॉक: 5506

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 50% @ 1mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 100% @ 1mA,

इच्छा-सूची
MOC8030-M
ON Semiconductor

MOC8030-M

भाग स्टॉक: 5746

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 300% @ 10mA,

इच्छा-सूची
H11A617C300
ON Semiconductor

H11A617C300

भाग स्टॉक: 5577

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 100% @ 10mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 200% @ 10mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 2.4µs, 2.4µs,

इच्छा-सूची
MCT2SVM
ON Semiconductor

MCT2SVM

भाग स्टॉक: 5602

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 7500Vpk, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 20% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 2µs, 2µs, उदय / पतन का समय (प्रकार): 2µs, 1.5µs,

इच्छा-सूची
HMHA2801CR2V
ON Semiconductor

HMHA2801CR2V

भाग स्टॉक: 2549

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 3750Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 200% @ 5mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 400% @ 5mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 3µs, 3µs,

इच्छा-सूची
H11A3FR2VM
ON Semiconductor

H11A3FR2VM

भाग स्टॉक: 5586

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 7500Vpk, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 20% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 2µs, 2µs,

इच्छा-सूची
H11A617DW
ON Semiconductor

H11A617DW

भाग स्टॉक: 5678

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 160% @ 10mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 320% @ 10mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 2.4µs, 2.4µs,

इच्छा-सूची
CNX39USD
ON Semiconductor

CNX39USD

भाग स्टॉक: 5504

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 60% @ 10mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 100% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 20µs, 20µs,

इच्छा-सूची
CNY171VM
ON Semiconductor

CNY171VM

भाग स्टॉक: 103184

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 4170Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 40% @ 10mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 80% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 2µs, 3µs, उदय / पतन का समय (प्रकार): 4µs, 3.5µs (Max),

इच्छा-सूची
H11AV2FR2VM
ON Semiconductor

H11AV2FR2VM

भाग स्टॉक: 5644

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 7500Vpk, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 50% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 15µs, 15µs,

इच्छा-सूची
H11A617CSD
ON Semiconductor

H11A617CSD

भाग स्टॉक: 5711

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 100% @ 10mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 200% @ 10mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 2.4µs, 2.4µs,

इच्छा-सूची
TIL111FR2VM
ON Semiconductor

TIL111FR2VM

भाग स्टॉक: 2602

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 7500Vpk, उदय / पतन का समय (प्रकार): 10µs, 10µs (Max),

इच्छा-सूची
FOD2741C
ON Semiconductor

FOD2741C

भाग स्टॉक: 5647

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 100% @ 10mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 200% @ 10mA,

इच्छा-सूची
H11B2553SD
ON Semiconductor

H11B2553SD

भाग स्टॉक: 5588

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 100% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 25µs, 18µs,

इच्छा-सूची
FODM2701AR2V
ON Semiconductor

FODM2701AR2V

भाग स्टॉक: 5633

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 3750Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 50% @ 5mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 300% @ 5mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 3µs, 3µs,

इच्छा-सूची
MOC8100SM
ON Semiconductor

MOC8100SM

भाग स्टॉक: 5712

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 7500Vpk, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 30% @ 1mA, चालू / बंद समय (टाइप): 20µs, 20µs (Max), उदय / पतन का समय (प्रकार): 2µs, 2µs,

इच्छा-सूची
H11F33S
ON Semiconductor

H11F33S

भाग स्टॉक: 5660

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, चालू / बंद समय (टाइप): 25µs, 25µs (Max),

इच्छा-सूची
MOC80303SD
ON Semiconductor

MOC80303SD

भाग स्टॉक: 5595

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 300% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 3.5µs, 95µs,

इच्छा-सूची
CNY17F23S
ON Semiconductor

CNY17F23S

भाग स्टॉक: 5615

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 63% @ 10mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 125% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 2µs, 3µs, उदय / पतन का समय (प्रकार): 1µs, 2µs,

इच्छा-सूची
H11D3300W
ON Semiconductor

H11D3300W

भाग स्टॉक: 5703

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 20% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 5µs, 5µs,

इच्छा-सूची
HMA121AR2V
ON Semiconductor

HMA121AR2V

भाग स्टॉक: 5533

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 3750Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 100% @ 5mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 300% @ 5mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 3µs, 3µs,

इच्छा-सूची
H11G1
ON Semiconductor

H11G1

भाग स्टॉक: 5713

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 1000% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 5µs, 100µs,

इच्छा-सूची
HCPL2730WV
ON Semiconductor

HCPL2730WV

भाग स्टॉक: 5721

चैनलों की संख्या: 2, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 300% @ 1.6mA, चालू / बंद समय (टाइप): 300ns, 5µs,

इच्छा-सूची
MOC81083S
ON Semiconductor

MOC81083S

भाग स्टॉक: 5555

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 250% @ 10mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 600% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 2µs, 3µs, उदय / पतन का समय (प्रकार): 1µs, 2µs,

इच्छा-सूची
TIL113SD
ON Semiconductor

TIL113SD

भाग स्टॉक: 5627

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 300% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 350ns, 55µs,

इच्छा-सूची
FODM2701A
ON Semiconductor

FODM2701A

भाग स्टॉक: 5716

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 3750Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 50% @ 5mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 300% @ 5mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 3µs, 3µs,

इच्छा-सूची
TIL1113SD
ON Semiconductor

TIL1113SD

भाग स्टॉक: 5546

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, उदय / पतन का समय (प्रकार): 10µs, 10µs (Max),

इच्छा-सूची
FOD2712
ON Semiconductor

FOD2712

भाग स्टॉक: 5509

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 100% @ 10mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 200% @ 10mA,

इच्छा-सूची
H11A817AW
ON Semiconductor

H11A817AW

भाग स्टॉक: 5701

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 80% @ 5mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 160% @ 5mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 2.4µs, 2.4µs,

इच्छा-सूची
CNX39U300
ON Semiconductor

CNX39U300

भाग स्टॉक: 5686

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 60% @ 10mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 100% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 20µs, 20µs,

इच्छा-सूची
H11AV2AM
ON Semiconductor

H11AV2AM

भाग स्टॉक: 2655

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 7500Vpk, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 50% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 15µs, 15µs,

इच्छा-सूची