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Optoisolators - ट्रांजिस्टर, फोटोवोल्टिक आउटपुट Ou

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CNY17F4SD
ON Semiconductor

CNY17F4SD

भाग स्टॉक: 5539

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 160% @ 10mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 320% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 2µs, 3µs, उदय / पतन का समय (प्रकार): 1µs, 2µs,

इच्छा-सूची
H11D4
ON Semiconductor

H11D4

भाग स्टॉक: 5679

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 10% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 5µs, 5µs,

इच्छा-सूची
HMA124R1
ON Semiconductor

HMA124R1

भाग स्टॉक: 2648

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 3750Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 100% @ 1mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 1200% @ 1mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 3µs, 3µs,

इच्छा-सूची
H11AA814300W
ON Semiconductor

H11AA814300W

भाग स्टॉक: 5621

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 20% @ 1mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 300% @ 1mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 2.4µs, 2.4µs,

इच्छा-सूची
MOC8101W
ON Semiconductor

MOC8101W

भाग स्टॉक: 5699

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 50% @ 10mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 80% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 2µs, 3µs, उदय / पतन का समय (प्रकार): 1µs, 2µs,

इच्छा-सूची
CNW139S
ON Semiconductor

CNW139S

भाग स्टॉक: 5718

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 1000Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 500% @ 1.6mA,

इच्छा-सूची
HMA121CR3
ON Semiconductor

HMA121CR3

भाग स्टॉक: 5563

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 3750Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 100% @ 5mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 200% @ 5mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 3µs, 3µs,

इच्छा-सूची
HMA2701AR2
ON Semiconductor

HMA2701AR2

भाग स्टॉक: 5479

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 3750Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 150% @ 5mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 300% @ 5mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 3µs, 3µs,

इच्छा-सूची
CNX35U
ON Semiconductor

CNX35U

भाग स्टॉक: 5636

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 40% @ 10mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 160% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 20µs, 20µs,

इच्छा-सूची
HMAA2705R4V
ON Semiconductor

HMAA2705R4V

भाग स्टॉक: 5690

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 3750Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 50% @ 5mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 300% @ 5mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 3µs, 3µs,

इच्छा-सूची
MCT2FR2VM
ON Semiconductor

MCT2FR2VM

भाग स्टॉक: 5577

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 7500Vpk, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 20% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 2µs, 2µs, उदय / पतन का समय (प्रकार): 2µs, 1.5µs,

इच्छा-सूची
MOC80303S
ON Semiconductor

MOC80303S

भाग स्टॉक: 5580

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 300% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 3.5µs, 95µs,

इच्छा-सूची
H11G23SD
ON Semiconductor

H11G23SD

भाग स्टॉक: 5711

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 1000% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 5µs, 100µs,

इच्छा-सूची
FOD617B300W
ON Semiconductor

FOD617B300W

भाग स्टॉक: 5634

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 63% @ 10mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 125% @ 10mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 4µs, 3µs,

इच्छा-सूची
FOD816
ON Semiconductor

FOD816

भाग स्टॉक: 5599

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 600% @ 1mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 7500% @ 1mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 60µs, 53µs,

इच्छा-सूची
H11A617B3S
ON Semiconductor

H11A617B3S

भाग स्टॉक: 5629

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 63% @ 10mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 125% @ 10mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 2.4µs, 2.4µs,

इच्छा-सूची
HMA121FV
ON Semiconductor

HMA121FV

भाग स्टॉक: 5665

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 3750Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 100% @ 5mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 600% @ 5mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 3µs, 3µs,

इच्छा-सूची
FOD2742BR1V
ON Semiconductor

FOD2742BR1V

भाग स्टॉक: 2566

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 100% @ 10mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 200% @ 10mA,

इच्छा-सूची
HMA2701BR3V
ON Semiconductor

HMA2701BR3V

भाग स्टॉक: 5718

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 3750Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 80% @ 5mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 160% @ 5mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 3µs, 3µs,

इच्छा-सूची
H11B2300W
ON Semiconductor

H11B2300W

भाग स्टॉक: 5691

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 200% @ 1mA, चालू / बंद समय (टाइप): 25µs, 18µs,

इच्छा-सूची
H11F2W
ON Semiconductor

H11F2W

भाग स्टॉक: 5770

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, चालू / बंद समय (टाइप): 25µs, 25µs (Max),

इच्छा-सूची
H11B255SD
ON Semiconductor

H11B255SD

भाग स्टॉक: 5749

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 100% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 25µs, 18µs,

इच्छा-सूची
HCPL0452V
ON Semiconductor

HCPL0452V

भाग स्टॉक: 4341

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 19% @ 16mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 50% @ 16mA, चालू / बंद समय (टाइप): 450ns, 300ns,

इच्छा-सूची
H11F3
ON Semiconductor

H11F3

भाग स्टॉक: 5578

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, चालू / बंद समय (टाइप): 25µs, 25µs (Max),

इच्छा-सूची
FOD816W
ON Semiconductor

FOD816W

भाग स्टॉक: 5651

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 600% @ 1mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 7500% @ 1mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 60µs, 53µs,

इच्छा-सूची
CNX39US
ON Semiconductor

CNX39US

भाग स्टॉक: 5549

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 60% @ 10mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 100% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 20µs, 20µs,

इच्छा-सूची
MCT2103S
ON Semiconductor

MCT2103S

भाग स्टॉक: 5725

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 150% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 1µs, 50µs, उदय / पतन का समय (प्रकार): 1µs, 11µs,

इच्छा-सूची
HCPL2731SM
ON Semiconductor

HCPL2731SM

भाग स्टॉक: 63867

चैनलों की संख्या: 2, वोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 500% @ 1.6mA,

इच्छा-सूची
HMA2701AR2V
ON Semiconductor

HMA2701AR2V

भाग स्टॉक: 5569

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 3750Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 150% @ 5mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 300% @ 5mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 3µs, 3µs,

इच्छा-सूची
FODM1008
ON Semiconductor

FODM1008

भाग स्टॉक: 199861

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 130% @ 5mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 260% @ 5mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 5.7µs, 8.5µs,

इच्छा-सूची
CNY171FR2M
ON Semiconductor

CNY171FR2M

भाग स्टॉक: 5696

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 4170Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 40% @ 10mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 80% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 2µs, 3µs, उदय / पतन का समय (प्रकार): 4µs, 3.5µs (Max),

इच्छा-सूची
TIL111SM
ON Semiconductor

TIL111SM

भाग स्टॉक: 5502

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 7500Vpk, उदय / पतन का समय (प्रकार): 10µs, 10µs (Max),

इच्छा-सूची
MCT270
ON Semiconductor

MCT270

भाग स्टॉक: 5688

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 50% @ 10mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 115% @ 10mA,

इच्छा-सूची
H11AV1FR2M
ON Semiconductor

H11AV1FR2M

भाग स्टॉक: 5580

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 4170Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 100% @ 10mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 300% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 15µs, 15µs (Max),

इच्छा-सूची
MOC8113
ON Semiconductor

MOC8113

भाग स्टॉक: 5573

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 100% @ 10mA, चालू / बंद समय (टाइप): 4.2µs, 23µs, उदय / पतन का समय (प्रकार): 3µs, 14µs,

इच्छा-सूची
H11A817D3S
ON Semiconductor

H11A817D3S

भाग स्टॉक: 5621

चैनलों की संख्या: 1, वोल्टेज - अलगाव: 5300Vrms, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): 300% @ 5mA, वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): 600% @ 5mA, उदय / पतन का समय (प्रकार): 2.4µs, 2.4µs,

इच्छा-सूची