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डायोड - रेक्टीफायर्स - Arrays

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FFSH30120ADN-F155
ON Semiconductor

FFSH30120ADN-F155

भाग स्टॉक: 2973

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.75V @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRB41H100CT-1G
ON Semiconductor

MBRB41H100CT-1G

भाग स्टॉक: 65856

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
FFA60UP20DNTU
ON Semiconductor

FFA60UP20DNTU

भाग स्टॉक: 47322

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
NTSB20120CTT4G
ON Semiconductor

NTSB20120CTT4G

भाग स्टॉक: 4276

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 120V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
NTSB30100CT-1G
ON Semiconductor

NTSB30100CT-1G

भाग स्टॉक: 112353

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 850mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MURHF860CTG
ON Semiconductor

MURHF860CTG

भाग स्टॉक: 37237

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.8V @ 4A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MUR1610CTG
ON Semiconductor

MUR1610CTG

भाग स्टॉक: 84177

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 975mV @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
NRVBB60H100CTT4G
ON Semiconductor

NRVBB60H100CTT4G

भाग स्टॉक: 35089

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 840mV @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBR2090CTG
ON Semiconductor

MBR2090CTG

भाग स्टॉक: 83266

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 90V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 850mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
RHRG1560CC-F085
ON Semiconductor

RHRG1560CC-F085

भाग स्टॉक: 2950

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.3V @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
FYP2006DNTU
ON Semiconductor

FYP2006DNTU

भाग स्टॉक: 123509

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 710mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
NTSJ20U100CTG
ON Semiconductor

NTSJ20U100CTG

भाग स्टॉक: 178885

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 790mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRB3045CT-1G
ON Semiconductor

MBRB3045CT-1G

भाग स्टॉक: 166844

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 620mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRD650CTG
ON Semiconductor

MBRD650CTG

भाग स्टॉक: 92698

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 700mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
FFA60UP30DNTU
ON Semiconductor

FFA60UP30DNTU

भाग स्टॉक: 39669

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
FFPF20UP30DNTU
ON Semiconductor

FFPF20UP30DNTU

भाग स्टॉक: 40090

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBR41H100CTG
ON Semiconductor

MBR41H100CTG

भाग स्टॉक: 45283

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBR4050PT
ON Semiconductor

MBR4050PT

भाग स्टॉक: 23867

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 40A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 720mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
NTSB20120CT-1G
ON Semiconductor

NTSB20120CT-1G

भाग स्टॉक: 80481

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 120V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MUR3040WTG
ON Semiconductor

MUR3040WTG

भाग स्टॉक: 22744

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRF20200CTG
ON Semiconductor

MBRF20200CTG

भाग स्टॉक: 41383

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
NTSV20U100CTG
ON Semiconductor

NTSV20U100CTG

भाग स्टॉक: 74735

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 980mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
SBRB2545CTG
ON Semiconductor

SBRB2545CTG

भाग स्टॉक: 1699

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 620mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRF30L60CTG
ON Semiconductor

MBRF30L60CTG

भाग स्टॉक: 154749

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 620mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
FEP16JTA
ON Semiconductor

FEP16JTA

भाग स्टॉक: 4487

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 16A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MURP20020CTG
ON Semiconductor

MURP20020CTG

भाग स्टॉक: 4402

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 300V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
SNRVBD660CTT4G
ON Semiconductor

SNRVBD660CTT4G

भाग स्टॉक: 146139

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 700mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
NTSB30U100CTT4G
ON Semiconductor

NTSB30U100CTT4G

भाग स्टॉक: 140333

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
SB80W06T-TL-H
ON Semiconductor

SB80W06T-TL-H

भाग स्टॉक: 178726

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 4A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
NSDEMN11XV6T5G
ON Semiconductor

NSDEMN11XV6T5G

भाग स्टॉक: 4484

डायोड विन्यास: 2 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा-सूची
NTSJ2080CTG
ON Semiconductor

NTSJ2080CTG

भाग स्टॉक: 191595

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 830mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRB2545CTT4G
ON Semiconductor

MBRB2545CTT4G

भाग स्टॉक: 84490

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 820mV @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRB2535CTLT4G
ON Semiconductor

MBRB2535CTLT4G

भाग स्टॉक: 57130

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 12.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 470mV @ 12.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
NTST40120CTG
ON Semiconductor

NTST40120CTG

भाग स्टॉक: 52315

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 120V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 910mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
NSVMMBD353LT1G
ON Semiconductor

NSVMMBD353LT1G

भाग स्टॉक: 149921

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 7V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 10mA, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBR20L60CTG
ON Semiconductor

MBR20L60CTG

भाग स्टॉक: 178008

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 570mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची