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डायोड - रेक्टीफायर्स - Arrays

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MURB1660CTG
ON Semiconductor

MURB1660CTG

भाग स्टॉक: 43892

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRB3030CTLG
ON Semiconductor

MBRB3030CTLG

भाग स्टॉक: 24319

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 440mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
NTST20100CTG
ON Semiconductor

NTST20100CTG

भाग स्टॉक: 179066

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 830mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
NTSV20H120CTG
ON Semiconductor

NTSV20H120CTG

भाग स्टॉक: 186062

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 120V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.03V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBR2030CTLG
ON Semiconductor

MBR2030CTLG

भाग स्टॉक: 44203

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 520mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRD640CTG
ON Semiconductor

MBRD640CTG

भाग स्टॉक: 92707

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 700mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBR20H150CTG
ON Semiconductor

MBR20H150CTG

भाग स्टॉक: 66065

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 680mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBR20L45CTG
ON Semiconductor

MBR20L45CTG

भाग स्टॉक: 176529

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 500mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRF2045CTG
ON Semiconductor

MBRF2045CTG

भाग स्टॉक: 183582

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 570mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
NTSJ40100CTG
ON Semiconductor

NTSJ40100CTG

भाग स्टॉक: 79940

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBR6045WTG
ON Semiconductor

MBR6045WTG

भाग स्टॉक: 14854

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 620mV @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
NTSB20100CTT4G
ON Semiconductor

NTSB20100CTT4G

भाग स्टॉक: 136637

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 830mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
NTSB30120CTT4G
ON Semiconductor

NTSB30120CTT4G

भाग स्टॉक: 182577

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 120V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.08V @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
NRVBB41H100CTT4G
ON Semiconductor

NRVBB41H100CTT4G

भाग स्टॉक: 51851

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 40A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
NTSJ30U100CTG
ON Semiconductor

NTSJ30U100CTG

भाग स्टॉक: 98075

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
SB80W10T-TL-H
ON Semiconductor

SB80W10T-TL-H

भाग स्टॉक: 182651

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
NRTSV20H100CTG
ON Semiconductor

NRTSV20H100CTG

भाग स्टॉक: 154467

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 780mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
RHRG3060CC
ON Semiconductor

RHRG3060CC

भाग स्टॉक: 24283

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.1V @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRB30H60CT-1G
ON Semiconductor

MBRB30H60CT-1G

भाग स्टॉक: 163205

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 620mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
NRVBB2535CTLG
ON Semiconductor

NRVBB2535CTLG

भाग स्टॉक: 35194

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 12.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 470mV @ 12.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
NTST40H120ECTG
ON Semiconductor

NTST40H120ECTG

भाग स्टॉक: 48191

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 120V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 930mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRD1035CTLG
ON Semiconductor

MBRD1035CTLG

भाग स्टॉक: 70433

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 470mV @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
NTSJ30U80CTG
ON Semiconductor

NTSJ30U80CTG

भाग स्टॉक: 149148

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
ISL9K3060G3
ON Semiconductor

ISL9K3060G3

भाग स्टॉक: 11361

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.4V @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRP3010NTU
ON Semiconductor

MBRP3010NTU

भाग स्टॉक: 114652

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.05V @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBR40L60CTG
ON Semiconductor

MBR40L60CTG

भाग स्टॉक: 63135

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 610mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBR2080CTG
ON Semiconductor

MBR2080CTG

भाग स्टॉक: 52724

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 850mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
NTST30100CTG
ON Semiconductor

NTST30100CTG

भाग स्टॉक: 165772

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 850mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MUR3020WTG
ON Semiconductor

MUR3020WTG

भाग स्टॉक: 23174

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.05V @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRF30L45CTG
ON Semiconductor

MBRF30L45CTG

भाग स्टॉक: 114712

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 500mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
FFPF20UP60DNTU-G
ON Semiconductor

FFPF20UP60DNTU-G

भाग स्टॉक: 4317

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.2V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MBRB2060CTG
ON Semiconductor

MBRB2060CTG

भाग स्टॉक: 33787

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 950mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
NTSJ30120CTG
ON Semiconductor

NTSJ30120CTG

भाग स्टॉक: 3221

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 120V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.08V @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
MURF1620CTG
ON Semiconductor

MURF1620CTG

भाग स्टॉक: 46678

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 975mV @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
FYPF1010DNTU
ON Semiconductor

FYPF1010DNTU

भाग स्टॉक: 167634

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 950mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची
FFSH15120ADN-F155
ON Semiconductor

FFSH15120ADN-F155

भाग स्टॉक: 2934

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 8A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.75V @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा-सूची