डायोड - रेक्टीफायर्स - Arrays | असतत अर्धचालक उत्पाद | 100

SBR20150CT

भाग स्टॉक: 101440

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 950mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SMC Diode Solutions

SDUR1620CT

भाग स्टॉक: 135444

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

UMN20NFHTR

भाग स्टॉक: 103

डायोड विन्यास: 3 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VI20M120C-M3/4W

भाग स्टॉक: 106664

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 120V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 910mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V10170C-M3/4W

भाग स्टॉक: 88004

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 170V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.03V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT1080C-E3/4W

भाग स्टॉक: 153775

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 720mV @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VI40100C-M3/4W

भाग स्टॉक: 64806

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 730mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V30DM150CHM3/I

भाग स्टॉक: 95

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V40D120CHM3/I

भाग स्टॉक: 72205

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 120V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 890mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VF30M120C-M3/4W

भाग स्टॉक: 106695

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 120V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 980mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT30L60C-M3/4W

भाग स्टॉक: 87772

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VT2045C-M3/4W

भाग स्टॉक: 100703

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 580mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT2060C-M3/4W

भाग स्टॉक: 112838

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSHD320CW40

भाग स्टॉक: 1764

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 160A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 360A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VT1045CBP-M3/4W

भाग स्टॉक: 129918

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 580mV @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT3060C-M3/4W

भाग स्टॉक: 116241

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 700mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V15W60C-M3/I

भाग स्टॉक: 140876

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 7.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VI20200C-E3/4W

भाग स्टॉक: 86172

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.6V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT30045

भाग स्टॉक: 1259

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 150A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR60040CT

भाग स्टॉक: 792

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 300A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 300A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST10035

भाग स्टॉक: 1520

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA200120R

भाग स्टॉक: 942

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.6V @ 100A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA300120

भाग स्टॉक: 1023

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 150A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.6V @ 150A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR500100CT

भाग स्टॉक: 1147

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 500A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 880mV @ 250A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

GeneSiC Semiconductor

MBRT200150R

भाग स्टॉक: 1663

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 880mV @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

GeneSiC Semiconductor

MURT30020R

भाग स्टॉक: 1097

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 150A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

GeneSiC Semiconductor

MBRT40080

भाग स्टॉक: 1313

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 880mV @ 200A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

GeneSiC Semiconductor

MURTA20060R

भाग स्टॉक: 1006

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 100A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

GeneSiC Semiconductor

MBR120150CTR

भाग स्टॉक: 1494

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 60A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 880mV @ 60A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

Taiwan Semiconductor Corporation

HER1608G C0G

भाग स्टॉक: 121

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 16A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

Infineon Technologies

DD285N02KHPSA1

भाग स्टॉक: 58

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 285A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 800A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

Cree/Wolfspeed

C2D10120D

भाग स्टॉक: 4546

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.8V @ 5A, स्पीड: No Recovery Time > 500mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

Micro Commercial Co

MD200A16D2-BP

भाग स्टॉक: 1461

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 300A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

Micro Commercial Co

MF200K06F3-BP

भाग स्टॉक: 2343

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.15V @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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ON Semiconductor

SBRV660VCTT4G

भाग स्टॉक: 146140

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 700mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

ON Semiconductor

SBRB1545CTG

भाग स्टॉक: 79461

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 840mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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