डायोड - रेक्टीफायर्स - Arrays | असतत अर्धचालक उत्पाद | 100

NRVHP620MFDT1G

भाग स्टॉक: 110114

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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ON Semiconductor

NTSV20H120ECTG

भाग स्टॉक: 186022

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 120V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2050CT C0G

भाग स्टॉक: 153

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 950mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20L120CTHC0G

भाग स्टॉक: 95

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 120V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

Taiwan Semiconductor Corporation

UG1006GHC0G

भाग स्टॉक: 130

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.25V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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STMicroelectronics

STPS1545CG-TR

भाग स्टॉक: 105409

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 570mV @ 7.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB706D-40T146

भाग स्टॉक: 102011

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 370mV @ 1mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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GeneSiC Semiconductor

MBRT12020R

भाग स्टॉक: 1833

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 20V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 120A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 60A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X160A100

भाग स्टॉक: 2757

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 160A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 840mV @ 160A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST120200

भाग स्टॉक: 1639

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 60A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 920mV @ 60A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRTA300120(A)D

भाग स्टॉक: 1322

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 300A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR10005CT

भाग स्टॉक: 1579

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 50A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR20020CT

भाग स्टॉक: 1243

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT200160(A)D

भाग स्टॉक: 1391

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 200A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A06

भाग स्टॉक: 3294

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 100A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR200100CT

भाग स्टॉक: 1490

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 840mV @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR12020CTR

भाग स्टॉक: 1553

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 20V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 120A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 120A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR30030CT

भाग स्टॉक: 1489

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 30V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 150A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A10

भाग स्टॉक: 3311

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 2.35V @ 100A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT12045

भाग स्टॉक: 1864

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 120A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 60A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST16045

भाग स्टॉक: 1496

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 160A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 160A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT1045CBP-M3/4W

भाग स्टॉक: 147491

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 580mV @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT2060G-E3/4W

भाग स्टॉक: 156407

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 900mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V60D45C-M3/I

भाग स्टॉक: 32760

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 640mV @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT2060C-E3/4W

भाग स्टॉक: 141541

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 650mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT4060C-E3/4W

भाग स्टॉक: 69524

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 620mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT2080C-M3/4W

भाग स्टॉक: 118184

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 810mV @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

Vishay Semiconductor Diodes Division

VF40150C-M3/4W

भाग स्टॉक: 91361

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.43V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT6045C-M3/4W

भाग स्टॉक: 54606

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 640mV @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

Vishay Semiconductor Diodes Division

V30M120C-M3/4W

भाग स्टॉक: 99774

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 120V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 980mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40PW60CHM3/I

भाग स्टॉक: 108899

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 680mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

Vishay Semiconductor Diodes Division

V30D45C-M3/I

भाग स्टॉक: 41859

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 570mV @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

SMC Diode Solutions

SBR1545CT

भाग स्टॉक: 121214

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 720mV @ 7.5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

SMC Diode Solutions

SDURF3040CTR

भाग स्टॉक: 169247

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.45V @ 15A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

Diodes Incorporated

SBR40100CT

भाग स्टॉक: 26567

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Super Barrier, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 820mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Power Integrations

LQA40T150C

भाग स्टॉक: 36324

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए