Menu
हिंदीहिंदी
Rfqs / आदेश
0Rfqs / आदेश

डायोड - रेक्टीफायर्स - Arrays

1N6660
Microsemi Corporation

1N6660

भाग स्टॉक: 559

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 15A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 30A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
161CMQ040
SMC Diode Solutions

161CMQ040

भाग स्टॉक: 2930

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 80A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 880mV @ 80A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
16CTQ200
SMC Diode Solutions

16CTQ200

भाग स्टॉक: 111096

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 840mV @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
16CTQ150
SMC Diode Solutions

16CTQ150

भाग स्टॉक: 165466

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 800mV @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
161CMQ035
SMC Diode Solutions

161CMQ035

भाग स्टॉक: 2957

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 80A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 880mV @ 80A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
12CTQ040STR
SMC Diode Solutions

12CTQ040STR

भाग स्टॉक: 187844

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 6A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 6A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
160CMQ035
SMC Diode Solutions

160CMQ035

भाग स्टॉक: 2901

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 80A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 860mV @ 80A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
10CTQ150STR
SMC Diode Solutions

10CTQ150STR

भाग स्टॉक: 128111

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 930mV @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
16CTQ080
SMC Diode Solutions

16CTQ080

भाग स्टॉक: 124974

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
161CMQ045
SMC Diode Solutions

161CMQ045

भाग स्टॉक: 2935

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 80A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 880mV @ 80A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
166CMQ200
SMC Diode Solutions

166CMQ200

भाग स्टॉक: 2944

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 80A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 80A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
160CMQ040
SMC Diode Solutions

160CMQ040

भाग स्टॉक: 2929

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 80A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 860mV @ 80A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
169CMQ150
SMC Diode Solutions

169CMQ150

भाग स्टॉक: 2925

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 80A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 850mV @ 80A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
169CMQ135
SMC Diode Solutions

169CMQ135

भाग स्टॉक: 2892

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 135V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 80A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 850mV @ 80A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
163CMQ100
SMC Diode Solutions

163CMQ100

भाग स्टॉक: 2627

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 980mV @ 80A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
1PS66SB82,115
Nexperia USA Inc.

1PS66SB82,115

भाग स्टॉक: 141995

डायोड विन्यास: 3 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 15V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 30mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 700mV @ 30mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
1PS88SB48,115
Nexperia USA Inc.

1PS88SB48,115

भाग स्टॉक: 185243

डायोड विन्यास: 2 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 120mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 40mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
1SS374(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS374(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 104

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 10V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 500mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
1SS398TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS398TE85LF

भाग स्टॉक: 103828

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
1SS383(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS383(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 189087

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
1SS309(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS309(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 132008

डायोड विन्यास: 4 Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
1SS384TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS384TE85LF

भाग स्टॉक: 156547

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 10V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 500mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
1SS308(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS308(TE85L,F

भाग स्टॉक: 130

डायोड विन्यास: 4 Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
1SS392,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS392,LF

भाग स्टॉक: 145638

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
1SS402TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS402TE85LF

भाग स्टॉक: 78

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 20V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 50mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 550mV @ 50mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
1SS382TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS382TE85LF

भाग स्टॉक: 149

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
1SS226,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS226,LF

भाग स्टॉक: 116

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
1SS362TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS362TE85LF

भाग स्टॉक: 187

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 80mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
1SS378(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS378(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 135022

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 10V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 500mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
1SS301,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS301,LF

भाग स्टॉक: 167193

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
1SS423(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS423(TE85L,F)

भाग स्टॉक: 199611

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 620mV @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
1SS300,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS300,LF

भाग स्टॉक: 105400

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
1SS393,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS393,LF

भाग स्टॉक: 187666

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 600mV @ 100mA, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए
1SS181-TP
Micro Commercial Co

1SS181-TP

भाग स्टॉक: 178386

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
1SS184-TP
Micro Commercial Co

1SS184-TP

भाग स्टॉक: 183265

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए
1SS226-TP
Micro Commercial Co

1SS226-TP

भाग स्टॉक: 165282

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 80V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.2V @ 100mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए