डायोड - रेक्टीफायर्स - Arrays | असतत अर्धचालक उत्पाद | 100

MF200K06F2-BP

भाग स्टॉक: 2096

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.6V @ 200A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA60040R

भाग स्टॉक: 1014

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 600A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 300A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A060

भाग स्टॉक: 3220

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 120A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 120A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT20005

भाग स्टॉक: 1230

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR20010CTR

भाग स्टॉक: 1241

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT150100(A)D

भाग स्टॉक: 1863

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1000V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 150A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 150A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA40040R

भाग स्टॉक: 964

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 200A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT100140(A)D

भाग स्टॉक: 1918

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 100A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT60035R

भाग स्टॉक: 968

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 600A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 300A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X160A150

भाग स्टॉक: 2527

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 160A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 880mV @ 160A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT20035R

भाग स्टॉक: 1367

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 35V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR40010CTR

भाग स्टॉक: 1252

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 400A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 125A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR30010CTR

भाग स्टॉक: 1392

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR200150CTR

भाग स्टॉक: 1502

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 880mV @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR20005CT

भाग स्टॉक: 1207

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR300200CT

भाग स्टॉक: 1452

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 150A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 920mV @ 150A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A04

भाग स्टॉक: 2843

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR30040CTR

भाग स्टॉक: 1329

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 400V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.5V @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR12060CT

भाग स्टॉक: 1522

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 120A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 60A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A060

भाग स्टॉक: 3312

डायोड विन्यास: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 100A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 750mV @ 100A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST100200

भाग स्टॉक: 1661

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 50A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 920mV @ 50A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

GeneSiC Semiconductor

MBRT500100R

भाग स्टॉक: 1083

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 100V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 500A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 880mV @ 250A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA40020R

भाग स्टॉक: 985

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 200A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURB1620CTPBF

भाग स्टॉक: 37

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 8A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 975mV @ 8A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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ON Semiconductor

SBAS40-06LT1G

भाग स्टॉक: 116103

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 40V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 120mA (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1V @ 40mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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ON Semiconductor

MBR4045WTG

भाग स्टॉक: 18105

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 45V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 700mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

ON Semiconductor

MMBD1405A

भाग स्टॉक: 134157

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 175V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200mA, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 200mA, स्पीड: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

विशलिस्ट के लिए

ON Semiconductor

NRVBD650CTT4G-VF01

भाग स्टॉक: 146097

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 50V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 3A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 700mV @ 3A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

ON Semiconductor

NRVBB2060CTT4G

भाग स्टॉक: 161027

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 60V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 950mV @ 20A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

MSCD200-12

भाग स्टॉक: 1707

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 300A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

Microsemi Corporation

MSCD200-16

भाग स्टॉक: 1634

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 200A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.3V @ 300A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

Infineon Technologies

DD340N18SHPSA1

भाग स्टॉक: 72

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1800V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 330A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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STMicroelectronics

STPSC20H065CWY

भाग स्टॉक: 9239

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 650V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 10A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.75V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

Sensata-Crydom

F1892RD1200

भाग स्टॉक: 738

डायोड विन्यास: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 1200V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 90A (DC), वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.4V @ 270A, स्पीड: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

विशलिस्ट के लिए

Power Integrations

LQA10N150C

भाग स्टॉक: 150976

डायोड विन्यास: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 150V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 5A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.1V @ 5A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Sanken

FMD-4206S

भाग स्टॉक: 20421

डायोड प्रकार: Standard, वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): 600V, करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड): 20A, वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ अगर: 1.7V @ 10A, स्पीड: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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